【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路领域，具体为一种无片外电容抗高压ldo电路结构。
技术介绍
1、无片外电容（no external capacitor）抗高压低压差稳压器（ldo）电路通常指的是设计得不需要外部电容来实现稳定的输出电压。传统的ldo电路通常需要一个输出电容来提高系统的稳定性和噪声抑制能力。然而，在某些应用场景中，特别是对于面积、成本和电路复杂性有较高要求的情况下，设计一种不需要外部电容的ldo电路就显得更为重要。
2、先进的集成电路工艺支持的电压常见的一般是5v，3.3v，1.8v，1.2v等，常见的都是所谓低压工艺，但是实际应用中有一种情况vdd是高压（一般9v以上），同时vdd也会有一定幅度的变化（比如12v，18v，24v的变化）。如果采用ldo模块转换，那么设计的ldo模块就需要高压工艺的支持。这样会导致芯片必须要有高压工艺支持，而高压工艺一般都比较费芯片面积，导致了电路成本大大增加。怎么用低压工艺来实现就是一个很现实的问题。
技术实现思路
1、为了解决现有电路成本高的问题，本专利技术提供了一种无片外电容抗高压ldo电路结构，其无需采用高压工艺，降低电路成本。
2、其技术方案是这样的：一种无片外电容抗高压ldo电路结构，其特征在于，其包括偏置电流源，所述偏置电流源一端连接nmos管mn1的栅端和漏端、nmos管mn2的栅端，所述偏置电流源另一端连接pmos管mp1的源端和pmos管mp2的源端，所述pmos管mp1的栅端和漏端相连并连接所
3、采用本专利技术后，通过串联电阻网络中4:12的电阻对输出电压vout进行分压采样，然后和基准电压vref进行比较，差值经过放大器，放大后控制驱动nmos管mn8，根据vout的变化来改变使nmos管mn8压降，这样使vout稳定维持在设定值，然后可以通过调节4:12的电阻值，来对vout值进行设定，完成ldo电压调节功能，实现高压转低压的稳压输出电压，上述电路用常规工艺即可实现，大大简化了设计的实现难度和同时也降低了电路成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种无片外电容抗高压LDO电路结构，其特征在于，其包括偏置电流源，所述偏置电流源一端连接NMOS管MN1的栅端和漏端、NMOS管MN2的栅端，所述偏置电流源另一端连接PMOS管MP1的源端和PMOS管MP2的源端，所述PMOS管MP1的栅端和漏端相连并连接所述PMOS管MP2的栅端和NMOS管MP2的漏端，所述PMOS管MP2的漏端连接PMOS管MP3的源端和PMOS管MP4的源端，所述PMOS管MP3的栅端接基准电路输出的基准电压，所述PMOS管MP4的栅端接反馈电压VFB，所述PMOS管MP3的漏端连接NMOS管MN3的栅端和漏端、NMOS管MN4的栅端，所述PMOS管MP4的漏端连接电容C1一端、NMOS管MN5的栅端、所述NMOS管MN4的漏端，所述NMOS管MN1的源端、NMOS管MN2的源端、NMOS管MN3的源端、NMOS管MN4的源端、NMOS管MN5的源端均接地，所述NMOS管MN5的漏端和所述电容C1另一端相连并连接PMOS管MP9的源端、PMOS管MP8的栅端和漏端，所述PMOS管MP9的栅端和漏端相连并连接PMOS管MP10的源端，所述PMOS管MP1
...【技术特征摘要】
1.一种无片外电容抗高压ldo电路结构，其特征在于，其包括偏置电流源，所述偏置电流源一端连接nmos管mn1的栅端和漏端、nmos管mn2的栅端，所述偏置电流源另一端连接pmos管mp1的源端和pmos管mp2的源端，所述pmos管mp1的栅端和漏端相连并连接所述pmos管mp2的栅端和nmos管mp2的漏端，所述pmos管mp2的漏端连接pmos管mp3的源端和pmos管mp4的源端，所述pmos管mp3的栅端接基准电路输出的基准电压，所述pmos管mp4的栅端接反馈电压vfb，所述pmos管mp3的漏端连接nmos管mn3的栅端和漏端、nmos管mn4的栅端，所述pmos管mp4的漏端连接电容c1一端、nmos管mn5的栅端、所述nmos管mn4的漏端，所述nmos管mn1的源端、nmos管mn2的源端、nmos管mn3的源端、nmos管mn4的源端、nmos管mn5的源端均接地，所述nmos管mn5的漏端和所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。