一种P型TBC晶硅太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种P型TBC晶硅太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明专利技术利用P型片作为电池基底通过物理气相沉积，在背面依次生成隧穿氧化层、掺杂磷的硅层和掺杂磷的碳化硅层；接着，通过高温退火，在氮气的辅助下，使掺杂磷的硅层和掺杂磷的碳化硅层晶化和磷激活，并在氧气的辅助下，形成氧化硅掩膜，从而降低对硅片的损伤，简化工艺流程；本发明专利技术还通过激光去除残留不导电的钝化层，提高太阳电池的短路电流，从而提高电池效率，实现背场与硅基体的金属接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体为一种p型tbc晶硅太阳能电池及其制造方法。

技术介绍

1、作为主要清洁能源之一的光伏产业，以光伏为代表的清洁能源具有良好的经济效益和环境效益，中国的光伏产业发展势头迅猛。

2、太阳能电池是利用半导体材料的光生伏特效应，将太阳能转换成电能的装置。目前太阳能电池根据半导体材料的不同分为晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，晶硅太阳能电池根据硅片材料的不同分为单晶硅电池和多晶硅电池，单晶硅片因具有完美的晶体结构，易制备高品质的pn结从而获得更高的光电转换效率，且通过改进单晶炉、金刚线切片等环节大幅降本，是目前行业的最佳选择，单晶硅电池根据硅片掺杂元素的不同又分为p型电池和n型电池。传统p型电池硅片基底掺硼，通过扩散磷形成n+/p结构，虽然扩散工艺简单但转换效率上限较低；新型n型电池硅片基底掺磷，通过扩散硼形成p+/n结构，扩散工艺难度大，但少子寿命长，且没有硼氧复合和硼铁复合，从而避免了形成复合中心的光致衰减损失，是未来的技术迭代方向。

3、其中ibc为叉指状背接触式太阳电池，其特点是正面无栅线遮挡，能显著提升电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种P型TBC晶硅太阳能电池，其特征在于，所述P型TBC晶硅太阳能电池的工艺流程如下：清洗抛光、隧穿氧化层沉积/掺杂磷的i-Poly-Si层和掺杂磷的i-Poly-SiC沉积、激光图形化、高温退火氧化、制绒、双面AlOx、双面SiNx、激光LCO、印刷烧结、光注入。

2.一种P型TBC晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

3.根据权利要求2所述的一种P型TBC晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗液由氟化氢、过氧化氢、去离子水按质量比1.5:3:90混合制得。

4.根据权利要求2所述的一种P型TBC晶硅太阳能电...

【技术特征摘要】

1.一种p型tbc晶硅太阳能电池，其特征在于，所述p型tbc晶硅太阳能电池的工艺流程如下：清洗抛光、隧穿氧化层沉积/掺杂磷的i-poly-si层和掺杂磷的i-poly-sic沉积、激光图形化、高温退火氧化、制绒、双面alox、双面sinx、激光lco、印刷烧结、光注入。

2.一种p型tbc晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

3.根据权利要求2所述的一种p型tbc晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗液由氟化氢、过氧化氢、去离子水按质量比1.5:3:90混合制得。

4.根据权利要求2所述的一种p型tbc晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述二氧化硅薄膜的厚度为1～2nm、掺杂磷的i-poly-si层的厚度为60～90nm、掺杂磷的i-poly-sic层的厚度为150～180nm。

5.根据权利要求2所述的一种p型tbc晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(4)所述抛光处理的温度为60～85℃。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：武丹萍，何亮，张志勇，费宇，陈佳乐，
申请(专利权)人：润马光能科技金华有限公司，
类型：发明
国别省市：