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本发明公开了一种P型TBC晶硅太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明利用P型片作为电池基底通过物理气相沉积，在背面依次生成隧穿氧化层、掺杂磷的硅层和掺杂磷的碳化硅层；接着，通过高温退火，在氮气的辅助下，使掺杂磷的硅层和掺杂磷...
该专利属于润马光能科技（金华）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过润马光能科技（金华）有限公司授权不得商用。

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