一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及本发明专利技术涉及一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法及其应用。该制备方法主要包含两个步骤：S1、采用拓扑化学法合成掺杂Sn<supgt;2+</supgt;的硅基米片；S2、在Sn<supgt;2+</supgt;硅基纳米片表面负载Pd金属，并一步还原得到目标产物。本发明专利技术充分利用合成硅基纳米片中原料中的Sn<supgt;2+</supgt;，并在负载Pd金属时，通过一步还原实现硅基表面同时负载Pd和Sn两种金属。双金属修饰硅基纳米片能有效增加材料中活性位点的数量，进而提高复合材料的吸氢能力，最大氢气吸附量达到4.91wt％，具有显著的储氢优势，能在氢能源相关领域获得应用。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及储氢材料，具体涉及一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法及其应用。

技术介绍

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技术介绍
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1、氢利用的主要问题之一是氢的存储。目前，储氢方式主要高压气态储氢、低温液态储氢及固态储氢三种。其中，固态储氢是指用物理或者化学吸附等方法将氢气储存在固体物质中。固态储氢具有储氢密度大、储氢压力小、安全性高等显著特点，故对固态储氢研究已逐渐成为储氢领域的研究重点。找寻和研究适宜的储氢材料更是固态储氢研究的重中之重。

2、硅基纳米片是一种由硅原子组成的层状孔洞纳米结构，具有原子层间距大、吸附能高、扩散阻力小等优点，是一种极具潜在价值的储氢材料。其层间原子以“豌豆荚”非共面的翘曲结构存在。这种独特的孔洞形式为氢的存储提供便利，但这种结构只能发挥单一的物理吸附作用，氢的吸附量有限，实际应用推广有限。由于硅基纳米片中活性位点较多，可以为金属单质提供附着位点。若在硅基纳米片孔洞内负载金属，可通过金属离子对氢原子产生化学吸附，从而实现硅基纳米片对氢产生物理和化学吸附。两种模式相互促进可显著提升硅基纳米片对氢的转运和存储能力。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述甲醇溶液体积为50～80mL。

3.根据权利要求2所述的一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述CaSi2和SnCl2的质量比为1:4～6。

4.根据权利要求3所述的一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述溶液A的恒温水浴条件为：50～80℃恒温反应24～36h；所述步骤S1中的真空干燥条件为：60～80℃下干燥24～36h。...

【技术特征摘要】

1.一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述甲醇溶液体积为50～80ml。

3.根据权利要求2所述的一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述casi2和sncl2的质量比为1:4～6。

4.根据权利要求3所述的一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，所述溶液a的恒温水浴条件为：50～80℃恒温反应24～36h；所述步骤s1中的真空干燥条件为：60～80℃下干燥24～36h。

5.根据权利要求1或4所述的一种pd/sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法，其特征在于，按照pd与sn负载单质的质量进行计算，其中pd占据pd/sn双金属修饰硅基纳米片总质量的5％～20％。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘菲，赵彦亮，王怡为，王芊，
申请(专利权)人：太原工业学院，
类型：发明
国别省市：