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本发明涉及本发明涉及一种Pd/Sn双金属修饰硅基纳米片材料的制备方法及其应用。该制备方法主要包含两个步骤：S1、采用拓扑化学法合成掺杂Sn<supgt;2+</supgt;的硅基米片；S2、在Sn<supgt;2+<...
该专利属于太原工业学院所有，仅供学习研究参考，未经过太原工业学院授权不得商用。

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