【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机半导体，主要内容是作为有机电致发光二极管(oled)客体掺杂材料的纯绿光窄谱带发射b/n化合物及基于其制备的oled。
技术介绍
1、oled材料具有自发光、低能耗以及柔性显示等优势，已然成为第三代显示技术。其潜力巨大但是行业仍不成熟，需国内企业共同努力完善产业链和相关技术。oled客体发光材料从早期的荧光、磷光以及热活化延迟荧光材料(tadf)已经经历了技术路线的更替，且目前产线仍然以荧光和磷光材料为主。因此，构建可商用的tadf材料意义重大。随着5g基站的不断建立以及对高显色标准的要求不断提高，oled客体发光材料除需具备高的发光效率和稳定的电致发光性能外，还需要材料本征表现除更窄的半峰宽(fwhm)以满足高的色纯度要求。
2、近年来，随着多重共振型热活化延迟荧光材料(mr-tadf)的问世，新型的分子设计得到了科研工作者的认可。主要原因是这类材料因较小的基态和激发态之间的结构弛豫和振动耦合，实现了分子精细发射能级的调控，以0-0跃迁为主导。相关的材料表现出极小的fwhm和优异的色纯度，此外，刚性的分子骨架抑制了非辐射跃迁，使得辐射跃迁速率得以有效改善。蓝色荧光材料可借助分子工程实现高荧光量子产率和窄fwhm，尤其b/n类化合物的fwhm能很好控制在30nm以下。而人眼更为敏感的绿光区域，主要以磷光材料主导，fwhm普遍较宽。基于此，满足更高的绿光显色标准，研究窄fwhm的高效绿光mr-tadf材料具有重要意义。
3、目前b/n化合物的相关专利较为成熟，源于可选择构建的电子给体单元较
4、咔唑类化合物一般具有如下特征：(1)刚性的分子构型，能够抑制分子的非辐射跃迁，符合构建高光致发光量子产率的材料制备；(2)具有较强的给电子能力，且分子设计较为灵活多样；(3)高的空穴传输能力可以有效改善器件内部空穴的注入和传输，进而抑制单线态-三线态湮灭和三线态-三线态湮灭。因此，合理设计和优化咔唑结构，并将其与mr-tadf骨架有机整合可以实现高效、绿光和高色纯度mr-tadf材料的构建。因此，开发基于咔唑衍生物的mr-tadf材料，在绿光显示领域具有独特的优势及强劲的潜力。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于针对现有技术不足，设计一类基于咔唑衍生物的b/n有机化合物，并将该材料应用于oled器件中，提供一类新型绿光窄谱带发光材料。
2、具体而言，本专利技术具体技术方案如下：1)一种基于咔唑衍生物的b/n有机化合物，其特征在于，具有如下通式结构：
3、
4、其中，r1、r2各自独立地选自取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯胺基；r3、r4各自独立地选自取代或未取代的苯基；r5选自氢、取代或未取代的苯基。
5、2)如上述1)所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自c1-c6的烷基。
6、3)如上述1)所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基。
7、4)如上述1)所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述r5选自氢、苯基、三叔丁基苯基。
8、5)如上述1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，具有如下结构：
9、
10、
11、
12、本专利技术的另一目的在于提供6)一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的至少一层的有机发光层，所述有机发光层中含有上述1)～5)中任一项所述的b/n化合物。
13、7)根据上述6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述b/n化合物在有机电致发光器件中作为发光材料使用。
14、本专利技术所述有机化合物可以用于制备成绿光oled器件。oled器件包括基片、阳极、空穴注入材料、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入材料和阴极。基片为玻璃，阳极为氧化铟锡(ito)，空穴注入层为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(hat-cn)，空穴层采用4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺(tapc)，电子传输层采用1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(tmpypb)，电子注入材料为lif，阴极为金属al；有机发光层包括主体材料和发光材料，所述主体材料是2，6-双((9h-咔唑-9-基)-3,1-亚苯基)吡啶(2,6dczppy)，发光材料为本专利技术所述有机化合物。
15、本专利技术的有益效果：
16、(1)本专利技术将在咔唑的3，6号位上分别引入苯基衍生物和二苯胺类衍生物，通过双功能单元的选择与优化，调节分子的空间结构，另外不同给电子能力二苯胺类衍生物的引入可以调节分子内部的给电子能力和发射波长，以及发射光谱精细能级的调控和fwhm的调节。本专利技术中所述基于咔唑类衍生物的b/n型多重共振热活化延迟荧光(mr-tadf)材料具有高的辐射跃迁速率和较纯的绿光发射，且大的外围空间位阻可以有效抑制分子间的团聚以避免器件制备过程中局部分子聚集引起的浓度淬灭和光谱展宽。
17、(2)本专利技术化合物应用于oled器件，可以作为发光层材料，在电激发下实现绿光窄谱带发射，可以应用于oled照明或者3d显示领域；
18、(3)本专利技术化合物可以为设计新型的咔唑基化合物提供新的选择，且可作为给体单元与不同受体单元相结合以构建多样的给/受体型tadf材料；
19、(4)本专利技术化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率，材料的荧光量子效率接近100％；
20、(5)本专利技术化合物的光谱fwhm较窄，能够有效提升器件的色纯度和发光效率；
21、(6)利用本专利技术所述基于咔唑衍生物的b/n型有机化合物制备的oled性能表现优良，除具有高外量子效率和低效率滚降特性，还表现出稳定的绿光电致发光性能，其在显示、3d显示与照明领域具有潜在的应用价值。
22、附图附表说明
23、图1为本专利技术所列举的材料应用于oled器件的结构示意图；
24、其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为空穴阻挡，8为电子传输层，9为电子注入层，10为阴极层。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于，具有如下通式结构：
2.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自C1-C6的烷基。
3.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基。
4.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于，所述R5选自氢、苯基、三叔丁基苯基。
5.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于，具有如下结构：
6.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间的至少一层的有机发光层，所述有机发光层中含有权利要求1～5中任一项所述的B/N化合物。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述B/N化合物在有机电致发光器件中作为发光材料使用。
【技术特征摘要】
1.一种基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，具有如下通式结构：
2.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自c1-c6的烷基。
3.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基。
4.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭峰，朱运会，杨戬，张其胜，
申请(专利权)人：浙江虹舞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。