一种基于咔唑衍生物制备的B/N化合物及其应用制造技术

技术编号:41323892 阅读:31 留言:0更新日期:2024-05-13 15:02
本发明专利技术属于电致发光材料技术领域,涉及一类基于咔唑衍生物制备的B/N化合物及其在有机电致发光器件(OLED)中的应用。本发明专利技术所述基于新型咔唑衍生物的B/N化合物作为B/N型多重共振型热活化延迟荧光材料(MR‑TADF),利用其所制备的有机电致发光器件性能表现优良,除具有高外量子效率和窄发射光谱特征外,还表现出高色纯度的绿光发射和稳定的器件性能,其在显示与照明领域具有潜在的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体,主要内容是作为有机电致发光二极管(oled)客体掺杂材料的纯绿光窄谱带发射b/n化合物及基于其制备的oled。


技术介绍

1、oled材料具有自发光、低能耗以及柔性显示等优势,已然成为第三代显示技术。其潜力巨大但是行业仍不成熟,需国内企业共同努力完善产业链和相关技术。oled客体发光材料从早期的荧光、磷光以及热活化延迟荧光材料(tadf)已经经历了技术路线的更替,且目前产线仍然以荧光和磷光材料为主。因此,构建可商用的tadf材料意义重大。随着5g基站的不断建立以及对高显色标准的要求不断提高,oled客体发光材料除需具备高的发光效率和稳定的电致发光性能外,还需要材料本征表现除更窄的半峰宽(fwhm)以满足高的色纯度要求。

2、近年来,随着多重共振型热活化延迟荧光材料(mr-tadf)的问世,新型的分子设计得到了科研工作者的认可。主要原因是这类材料因较小的基态和激发态之间的结构弛豫和振动耦合,实现了分子精细发射能级的调控,以0-0跃迁为主导。相关的材料表现出极小的fwhm和优异的色纯度,此外,刚性的分子骨架抑制了非辐射跃迁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于咔唑衍生物制备的B/N化合物,其特征在于,具有如下通式结构:

2.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物,其特征在于,所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自C1-C6的烷基。

3.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物,其特征在于,所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基。

4.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物,其特征在于,所述R5选自氢、苯基、三叔丁基苯基。

5.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的B/N化合物,其特征在于,具有如下结构:

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【技术特征摘要】

1.一种基于咔唑衍生物制备的b/n化合物,其特征在于,具有如下通式结构:

2.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物,其特征在于,所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自c1-c6的烷基。

3.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物,其特征在于,所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基。

4.如权利要求1所述的基于咔唑衍生物制备的b/n化合物,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗旭峰朱运会杨戬张其胜
申请(专利权)人:浙江虹舞科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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