【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体检测领域,更具体地,涉及一种用于半导体设备中的自动聚焦方法。
技术介绍
1、在半导体晶圆制造过程中,缺陷检测对芯片制造起着至关重要的作用。随着市场的迫切需求和对芯片成本与功耗的极致追求,是对芯片制程需求不断提高的主要驱动力,这使得芯片的缺陷尺寸要求越来越高,因此准确识别缺陷的类型和大小是提高产品良率的重要因素。为了提高产品良率,降低生产成本,晶圆缺陷检测系统是半导体制造过程中工艺控制与良率管理的关键之一。
2、在晶圆检测过程中,高分辨率物镜的焦深较短,同时受到平台平面度和晶圆翘曲的影响,为了获得更好的成像质量和缺陷检测灵敏度,需要保持晶圆表面一直处于物镜的焦平面或焦深范围内。
3、通常基于离焦标定曲线来实现晶圆表面的对焦,但是不同的晶圆具有不同的图案形状以及不同的反射率,基于不同图案形状和不同反射率的晶圆获取的离焦标定曲线也会存在差异,那么会对晶圆表面的对焦会产生影响。
技术实现思路
1、本专利技术为克服晶圆图案形状和反射率差异等对测量结果的影响
...【技术保护点】
1.一种用于半导体设备中的自动聚焦方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述目标离焦线性关系的拟合方程为:
3.根据权利要求2所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述目标高度位置ZF满足以下关系:
4.根据权利要求1所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述基于所述离焦关系标定曲线及所述初始状态信息(Z0,D0),朝向所述高度零点位置移动所述运动台N次,记录每次移动后的当前状态信息(Zi,Di),包括:
5.根据权利要求4所述的自动聚焦方法,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的自
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体设备中的自动聚焦方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述目标离焦线性关系的拟合方程为:
3.根据权利要求2所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述目标高度位置zf满足以下关系:
4.根据权利要求1所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述基于所述离焦关系标定曲线及所述初始状态信息(z0,d0),朝向所述高度零点位置移动所述运动台n次,记录每次移动后的当前状态信息(zi,di),包括:
5.根据权利要求4所述的自动聚焦方法,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的自动聚焦方法,其特征在于,所述基于所述离焦关系标定曲线及所述初始状态信息(z0,d0),朝向所述高度零点位置移动所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁东,汪汝俊,白平,张冲,赵润川,
申请(专利权)人:上海精积微半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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