【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、最近，随着半导体装置的存储容量变得更大并且集成度更高，设计规则已经不断降低。这种趋势在作为存储器半导体装置之一的动态随机存取存储器(dram)装置中也是显著的。通常，为了使dram装置工作，对于每个单元使用了超过特定电平的电容。
2、为此，正在研究在电容器中利用具有高介电常数的介电层的方法或增加电容器的下电极与介电层之间的接触面积的方法。例如，当下电极的高度增大时，电容器与介电层之间的接触面积可以增加，从而使电容器的电容增大。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体装置包括：基底，包括有源区域；第一接合垫，连接到有源区域并设置在基底上；第二接合垫，连接到有源区域，并且与第一接合垫间隔开，其中，第二接合垫设置在基底上；第一下电极，设置在第一接合垫上并且在与基底基本垂直的方向上延伸；第二下电极，设置在第二接合垫上并且在与基底基本垂直的方向上延伸；介电层，沿着第一下电极和第二下电极延伸；以及上电极，设置在介电层上，其...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下电极的第一下表面相对于基底的下表面设置在第二下电极的第二下表面下方。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下电极在第一点处具有第一宽度并且在第二点处具有大于第一宽度的第二宽度，其中，第二点相对于基底的下表面设置在第一点上方。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：绝缘图案，设置在第一接合垫与第二接合垫之间，其中，绝缘图案的上表面相对于基底的下表面设置在第一接合垫的上表面下方。
5.根据权利要求4所述的半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下电极的第一下表面相对于基底的下表面设置在第二下电极的第二下表面下方。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下电极在第一点处具有第一宽度并且在第二点处具有大于第一宽度的第二宽度，其中，第二点相对于基底的下表面设置在第一点上方。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：绝缘图案，设置在第一接合垫与第二接合垫之间，其中，绝缘图案的上表面相对于基底的下表面设置在第一接合垫的上表面下方。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，介电层沿着绝缘图案的上表面延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，介电层的最下表面相对于基底的下表面设置在第一接合垫的上表面和第二接合垫的上表面中的每个下方。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上电极的下表面相对于基底的下表面设置在第二接合垫的上表面下方。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包括在第一接合垫和第二接合垫中的每个中的第一材料不同于包括在第一下电极和第二下电极中的每个中的第二材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：电极支撑件，设置在第一下电极的侧壁和...
【专利技术属性】
技术研发人员：李到瑾，金东昱，金亮阧，朴相郁，徐旻揆，李建烨，洪定杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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