半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括衬底上的BLSA电路图案、在衬底的与BLSA电路图案相邻的部分上的列电路图案、以及单元阵列。单元阵列包括在BLSA电路图案和列电路图案上沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的位线、沿第二方向延伸并沿第一方向彼此间隔开的栅电极、在栅电极在第一方向上的侧壁上的栅极绝缘图案、在栅极绝缘图案在第一方向上的侧壁上并接触位线的沟道、沟道上的着陆焊盘、以及着陆焊盘上的电容器。BLSA电路图案和列电路图案在竖直方向上与单元阵列重叠。

【技术实现步骤摘要】

本公开的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地，本公开的示例实施例涉及一种包括竖直沟道的存储器装置。

技术介绍

1、已经开发了包括竖直沟道晶体管的存储器装置。这种存储器装置可包括存储器单元和用于向存储器单元施加电信号的外围电路图案，并且可使用有效地布置存储器单元和外围电路图案的方法来提高存储器装置的集成度。

技术实现思路

1、示例实施例提供了一种具有改进的特性的半导体装置。

2、根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可包括衬底上的位线读出放大器(blsa)电路图案、在衬底的与blsa电路图案相邻的部分上的列电路图案、以及单元阵列。单元阵列可包括位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道、着陆焊盘和电容器。位线可形成在blsa电路图案和列电路图案上，并且位线中的每一个可在基本上平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，并且位线可在基本上平行于衬底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。栅电极可在第一方向上彼此间隔开，并且栅电极中的每一个可在位线上沿第二方向延伸。栅极绝缘图案中的每一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括列解码器、列选择线驱动器、输入/输出读出放大器和写入驱动器中的至少一个。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中,所述列电路图案包括所述列选择线驱动器，并且

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括所述输入/输出读出放大器，并且

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述位线读出放大器电路图案分别位于所述第一衬垫中的每一个在第一方向上相对的第一侧部处，且

<p>7.如权利要求5...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括列解码器、列选择线驱动器、输入/输出读出放大器和写入驱动器中的至少一个。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中,所述列电路图案包括所述列选择线驱动器，并且

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括所述输入/输出读出放大器，并且

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述位线读出放大器电路图案分别位于所述第一衬垫中的每一个在第一方向上相对的第一侧部处，且

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括列选择线驱动器，并且

8.如权利要求7所述的半导体装置，还包括全局列选择线，所述全局列选择线在所述单元阵列上沿所述第一方向连续地延伸穿过所述第一衬垫和所述第二衬垫，所述全局列选择线电连接到所述列选择线。

9.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述列电路图案包括输入/输出读出放大器，并且

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述输入/输出读出放大器在所述第三方向上与所述单元阵列部分地重叠，并且

11.一种半导体装置，包括：

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述衬垫在所述衬底的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林周元，徐宁焄，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：