【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电材料，具体涉及一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、钙钛矿复合型金属氧化物具有钙钛矿(abo3)结构，被广泛应用于燃料甲醇充电电池、固态电解质、感应器、持续高温发烫材料、固态电阻和氧化还原反应催化剂中。
2、铌酸银属于斜方晶系，分子式为agnbo3，是一种具有典型钙钛矿结构的复合氧化物材料。铌酸银具备很大的非线性光学指数，同时还具备优良的光学品质因数、光折变品质因数和压电式性能，可靠性好，生长发育速度更快；而且，铌酸银还具备良好的催化氧化性能，在防治空气污染和开发设计清洁能源方面独具特色。但是对于铌酸银在其他领域的应用，特别是在导电材料方面的应用，由于未掺杂的铌酸银电导率较低，不具有现实应用价值，因此，目前还没有相关系统的研究。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用。本专利技术提供的钠掺杂铌酸银导体材料致密性好，且具有良好的导电性能，便于在固体燃料电池阳极材料和致密扩散障碍成极限电流氧传感器中进行应用。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为ag1-xnaxnbo3；其中，x为0.01～0.10。
4、优选地，所述钠掺杂铌酸银导体材料的化学式为ag0.94na0.06nbo3、ag0.93na0.07nbo3或ag0.92na0.08nbo3。
5、优选地，所述
6、本专利技术提供了所述钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：
7、按照上述技术方案所述钠掺杂铌酸银导体材料的化学组成计量比，将硝酸银、钠源和铌氧化物混合，进行煅烧处理，得到所述钠掺杂铌酸银导体材料。
8、优选地，所述钠源包括碳酸钠、碳酸氢钠和氢氧化钠中的至少一种；所述铌氧化物包括nb2o5、nbo2、nbo和nb3o7中的至少一种。
9、优选地，所述煅烧处理的温度为600～900℃，保温时间为2～8h。
10、优选地，所述煅烧处理后包括将所得煅烧物料进行致密化处理；所述致密化处理包括依次进行的研磨、制片和烧结；所述研磨所用助剂为无水乙醇，所述煅烧物料和研磨所用助剂的用量比为1～6g：5～30ml。
11、优选地，所述烧结的温度为600～900℃，保温时间为2～8h。
12、本专利技术提供了上述技术方案所述钠掺杂铌酸银导体材料或上述技术方案所述制备方法制备得到的钠掺杂铌酸银导体材料在固体燃料电池的阳极材料中的应用。
13、本专利技术提供了上述技术方案所述钠掺杂铌酸银导体材料或上述技术方案所述制备方法制备得到的钠掺杂铌酸银导体材料在致密扩散障碍成极限电流氧传感器中的应用。
14、本专利技术提供了一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为ag1-xnaxnbo3，其中，x为0.01～0.10。本专利技术提供的钠掺杂铌酸银导体材料致密性好，且具有良好的导电性能，便于在固体燃料电池阳极材料和致密扩散障碍成极限电流氧传感器中进行应用。
15、本专利技术提供了一种钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：按照所述钠掺杂铌酸银导体材料的化学组成计量比，将硝酸银、钠源和铌氧化物混合，进行煅烧处理，得到所述钠掺杂铌酸银导体材料。本专利技术以钠源和铌氧化物和硝酸银为主要原料，利用固相合成法制备了化学式为ag1-xnaxnbo3(x为0.01～0.10)的钠掺杂铌酸银导体材料。
16、实施例显示，本专利技术制备的钠掺杂铌酸银导体材料具有单正交钙钛矿结构；采用电镜扫描检测对本专利技术制备的钠掺杂铌酸银导体材料ag1-xnaxnbo3(x＝0.06、0.07或0.08)的截面形态进行分析可知，na+掺杂能够促进提高钠掺杂铌酸银导体材料的晶粒尺寸，还能改善钠掺杂铌酸银导体材料的致密性；同时，本专利技术提供的钠掺杂铌酸银导体材料ag1-xnaxnbo3(x＝0.06、0.07或0.08)的总导电率和离子电导率都随着温度的增加而提高，由此说明钠掺杂可以改善导体材料的导电性能。
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1.一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为Ag1-xNaxNbO3；其中，x为0.01～0.10。
2.根据权利要求1所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，化学式为Ag0.94Na0.06NbO3、Ag0.93Na0.07NbO3或Ag0.92Na0.08NbO3。
3.根据权利要求1或2所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，所述钠掺杂铌酸银导体材料具有单正交钙钛矿结构。
4.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钠源包括碳酸钠、碳酸氢钠和氢氧化钠中的至少一种；所述铌氧化物包括Nb2O5、NbO2、NbO和Nb3O7中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理的温度为600～900℃，保温时间为2～8h。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧处理后包括将所得煅烧物料进行致密化处理；所述致密化处理包括依次进行的研磨、制片和烧结；所述研磨所用助剂为无水乙醇，所述煅烧物料和研磨所用助剂
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为600～900℃，保温时间为2～8h。
9.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料或权利要求4～8任一项所述制备方法制备得到的钠掺杂铌酸银导体材料在固体燃料电池的阳极材料中的应用。
10.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料或权利要求4～8任一项所述制备方法制备得到的钠掺杂铌酸银导体材料在致密扩散障碍成极限电流氧传感器中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为ag1-xnaxnbo3；其中，x为0.01～0.10。
2.根据权利要求1所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，化学式为ag0.94na0.06nbo3、ag0.93na0.07nbo3或ag0.92na0.08nbo3。
3.根据权利要求1或2所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，所述钠掺杂铌酸银导体材料具有单正交钙钛矿结构。
4.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钠源包括碳酸钠、碳酸氢钠和氢氧化钠中的至少一种；所述铌氧化物包括nb2o5、nbo2、nbo和nb3o7中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧...
【专利技术属性】
技术研发人员：单科，易中周，翟凤瑞，李楠，何云龙，
申请(专利权)人：红河学院，
类型：发明
国别省市：
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