一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用，属于导电材料技术领域。本发明专利技术提供的钠掺杂铌酸银导体材料的化学式为Ag<subgt;1‑x</subgt;Na<subgt;x</subgt;NbO<subgt;3</subgt;，其中，x为0.01～0.10。本发明专利技术通过向铌酸银中掺杂钠，提高了电子‑离子混合传导，有效提高了铌酸银导体材料的总电导率和离子电导率；同时，本发明专利技术所得钠掺杂铌酸银导体材料致密性好，便于在固体燃料电池阳极材料和致密扩散障碍成极限电流氧传感器中进行应用。实施例结果表明：本发明专利技术所得钠掺杂铌酸银导体材料的导电性能较好，在900℃的总电导率为0.000585～0.0058S/cm，在900℃的离子电导率为0.000228～0.00143S/cm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导电材料，具体涉及一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、钙钛矿复合型金属氧化物具有钙钛矿(abo3)结构，被广泛应用于燃料甲醇充电电池、固态电解质、感应器、持续高温发烫材料、固态电阻和氧化还原反应催化剂中。

2、铌酸银属于斜方晶系，分子式为agnbo3，是一种具有典型钙钛矿结构的复合氧化物材料。铌酸银具备很大的非线性光学指数，同时还具备优良的光学品质因数、光折变品质因数和压电式性能，可靠性好，生长发育速度更快；而且，铌酸银还具备良好的催化氧化性能，在防治空气污染和开发设计清洁能源方面独具特色。但是对于铌酸银在其他领域的应用，特别是在导电材料方面的应用，由于未掺杂的铌酸银电导率较低，不具有现实应用价值，因此，目前还没有相关系统的研究。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种钠掺杂铌酸银导体材料及其制备方法和应用。本专利技术提供的钠掺杂铌酸银导体材料致密性好，且具有良好的导电性能，便于在固体燃料电池阳极材料和致密扩散障碍成极限电流氧传感器中进行应用。

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【技术保护点】

1.一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为Ag1-xNaxNbO3；其中，x为0.01～0.10。

2.根据权利要求1所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，化学式为Ag0.94Na0.06NbO3、Ag0.93Na0.07NbO3或Ag0.92Na0.08NbO3。

3.根据权利要求1或2所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，所述钠掺杂铌酸银导体材料具有单正交钙钛矿结构。

4.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钠源包括碳酸钠、碳酸氢钠和氢氧化钠中的至少一...

【技术特征摘要】

1.一种钠掺杂铌酸银导体材料，化学式为ag1-xnaxnbo3；其中，x为0.01～0.10。

2.根据权利要求1所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，化学式为ag0.94na0.06nbo3、ag0.93na0.07nbo3或ag0.92na0.08nbo3。

3.根据权利要求1或2所述的钠掺杂铌酸银导体材料，其特征在于，所述钠掺杂铌酸银导体材料具有单正交钙钛矿结构。

4.权利要求1～3任一项所述钠掺杂铌酸银导体材料的制备方法，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钠源包括碳酸钠、碳酸氢钠和氢氧化钠中的至少一种；所述铌氧化物包括nb2o5、nbo2、nbo和nb3o7中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：单科，易中周，翟凤瑞，李楠，何云龙，
申请(专利权)人：红河学院，
类型：发明
国别省市：