一种铁电电容器及其制备方法和铁电存储器技术

本发明专利技术提供一种铁电电容器及其制备方法和铁电存储器，所述铁电电容器包括晶圆；所述晶圆设置有至少1个柱形孔；所述柱形孔内部由内壁依次在设置有阻隔层、下电极层、铁电薄膜层和上电极层；所述铁电薄膜层为HfO<subgt;2</subgt;基铁电薄膜；所述上电极层为W电极。所述铁电电容器中铁电薄膜的剩余极性高，能够在单位面积内实现更高密度的铁电电容排布；所述制备方法生产效率更高，可以提高产品的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数据存储，涉及一种铁电电容器及其制备方法和铁电存储器。

技术介绍

1、随着世界不断向信息数字化方向快速发展，数据的容量、可靠性和安全性变得至关重要。存储材料是数据的载体，合适的存储材料对未来的信息传播至关重要。作为存储材料之一，铁电材料可以以两种或两种以上的极化状态存在，在去除外加店家后蒙贴点材料可以保持非零的剩余极化(pr)状态。基于此开发出的铁电存储器是目前新型存储器中最热门的研究方向之一。理想的存储器应该是具有商业化的dram(动态随机存储器)那样的高密度，静态随机存储器(sram)那样的高运行速度，并且像闪存(nand)那样在没有电源的的情况下依然能保存信息(非易失性)，而铁电存储器恰好满足这些特征。但是由于传统铁电材料的限制，无法实现大规模制造和高密度集成，所以传统铁电材料存储器发展缓慢。目前仍然采用大于100nm的半导体工艺。随着hfo2(氧化铪)基铁电性的发现，为铁电存储器的突破带来了希望，hfo2(氧化铪)铁电材料突出特点是与cmos兼容性强，且纳米厚度下铁电性不受限，于超薄膜厚下，仍然具备铁电性。因此hfo2基铁电材料成为当本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铁电电容器，其特征在于，所述铁电电容器包括晶圆；

2.根据权利要求1所述的铁电电容器，其特征在于，所述上电极层充满所述柱形孔。

3.根据权利要求1所述的铁电电容器，其特征在于，所述晶圆的柱形孔开口一侧设置有板线层。

4.一种权利要求1-3任一项所述的铁电电容器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，沉积所述铁电薄膜层前，对所述晶圆表面的下电极材料和阻隔层材料进行刻蚀处理。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积上电极层的方法为化学气相沉积。

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【技术特征摘要】

1.一种铁电电容器，其特征在于，所述铁电电容器包括晶圆；

2.根据权利要求1所述的铁电电容器，其特征在于，所述上电极层充满所述柱形孔。

3.根据权利要求1所述的铁电电容器，其特征在于，所述晶圆的柱形孔开口一侧设置有板线层。

4.一种权利要求1-3任一项所述的铁电电容器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，沉积所述铁电薄膜层前，对所述晶圆表面的下电极材料和阻隔层材料进行刻蚀处理。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：温州核芯智存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：