【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
技术介绍
1、随着多媒体技术的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(oled)显示装置、液晶显示(lcd)装置等的各种显示装置。
2、通常，显示装置包括诸如有机发光显示面板或lcd面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件，诸如以发光二极管(led)为例。led的示例包括使用有机材料作为发光材料的有机led(oled)和使用无机材料作为发光材料的无机led。
技术实现思路
1、本公开的实施例的方面和特征提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法，该显示装置能够防止由于在通过将发光材料层接合在电路基底上来形成发光元件期间通过蚀刻具有非挥发性质的连接电极层来形成连接电极时可能发生的重新布置现象(rearrangement phenomenon)而在每个发光元件上形成侧壁。
2、然而，本公开的实施例的方面和特征不限于这里阐述的方面和特征。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述以及其它方面和特征对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更清楚。
3、根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：多个像素电极，在基底上；发光元件，在多个像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；以及连接电极，在多个像素电极与发光元件之间，其中，连接电极的宽度比发光元件的宽度大，并且发光元件中的每个的上角部和连接电极中的每个的上角部是倒圆的。
4、连接电极与发光元件之间的边界部分
5、连接电极包括非挥发性材料，非挥发性材料包括从金(au)、铜(cu)、银(ag)和(rg)之中选择的一种或更多种。
6、显示装置还包括：第一绝缘层，在像素电极之间，其中，第一绝缘层具有台阶结构。
7、第一绝缘层包括与连接电极叠置的第一区域以及不与连接电极叠置的第二区域，并且第一区域的厚度比第二区域的厚度大。
8、显示装置还包括：第二绝缘层，覆盖发光元件中的每个的顶表面和侧表面、连接电极的顶表面的不与发光元件叠置的部分以及连接电极中的每个的侧表面，其中，第二绝缘层包括位于发光元件的顶表面处的开口，并且还包括与发光元件中的每个的上角部对应的上角部以及位于与连接电极中的每个的上角部对应的角部处的倾斜部分。
9、显示装置还包括：共电极，在第二绝缘层上，其中，共电极通过开口与发光元件接触，并且包括与发光元件中的每个的上角部对应的上角部以及位于与连接电极中的每个的上角部对应的角部处的倾斜部分。
10、发光元件中的每个包括在第三方向上顺序地堆叠的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
11、根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：用连接电极层将其上定位有多个像素电极的第一基底和其上定位有发光材料层的第二基底接合，并且去除第二基底；在发光材料层上形成具有台阶结构的硬掩模图案；通过使用硬掩模图案蚀刻发光材料层和连接电极层来形成发光元件和连接电极；以及在发光元件上沉积共电极，其中，硬掩模图案包括中间部分和沿着中间部分的外围定位的边缘部分，并且中间部分的厚度比边缘部分的厚度大。
12、在沉积共电极的步骤之前，所述方法还包括：形成第二绝缘层，以覆盖发光元件中的每个的顶表面和侧表面以及连接电极中的每个的顶表面和侧表面，其中，第二绝缘层包括位于发光元件的顶表面处的开口，并且共电极通过开口与发光元件的顶表面接触。
13、连接电极包括非挥发性材料，非挥发性材料包括从金(au)、铜(cu)、银(ag)和(rg)之中选择的一种或更多种。
14、形成发光元件和连接电极的步骤包括：通过对发光材料层执行一次蚀刻工艺直到去除边缘部分来限定发光元件区域；通过对连接电极层执行二次蚀刻工艺来限定连接电极区域；以及通过对发光材料层和连接电极层执行三次蚀刻工艺来形成发光元件和连接电极。
15、连接电极的宽度比发光元件的宽度大，并且发光元件中的每个的上角部和连接电极中的每个的上角部是倒圆的。
16、第一基底还包括位于像素电极之间的第一绝缘层，并且第一绝缘层通过三次蚀刻工艺形成为具有台阶结构。
17、第一绝缘层包括与连接电极叠置的第一区域以及不与连接电极叠置的第二区域，并且第一区域的厚度比第二区域的厚度大。
18、在发光元件上沉积共电极的步骤之前，所述方法还包括：形成第二绝缘层，以覆盖发光元件中的每个的顶表面和侧表面、连接电极的顶表面的不与发光元件叠置的部分以及连接电极中的每个的侧表面，并且第二绝缘层具有位于发光元件的顶表面处的开口，其中，第二绝缘层包括与发光元件中的每个的上角部对应的上角部以及位于与连接电极中的每个的上角部对应的角部处的倾斜部分。
19、其中，在发光元件上沉积共电极的步骤包括：在第二绝缘层上沉积共电极，共电极通过开口与发光元件接触，并且具有与发光元件中的每个的上角部对应的上角部以及位于与连接电极中的每个的上角部对应的角部处的倾斜部分。
20、根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：用连接电极层将其上定位有多个像素电极的第一基底和其上定位有发光材料层的第二基底接合，并且去除第二基底；在发光材料层上形成包括硬掩模图案和光致抗蚀剂掩模图案的双掩模图案；通过使用双掩模图案蚀刻发光材料层和连接电极层来形成发光元件和连接电极；以及在发光元件上沉积共电极，其中，硬掩模图案限定发光元件区域，并且光致抗蚀剂掩模图案形成为围绕硬掩模图案中的每个的顶表面和侧表面并且限定连接电极区域。
21、在沉积共电极之前，所述方法还包括：形成覆盖发光元件中的每个的顶表面和侧表面以及连接电极中的每个的顶表面和侧表面的第二绝缘层，其中，第二绝缘层包括位于发光元件的顶表面处的开口，并且共电极通过开口与发光元件的顶表面接触。
22、连接电极包括非挥发性材料，非挥发性材料包括从金(au)、铜(cu)、银(ag)和(rg)之中选择的一种或更多种。
23、形成发光元件和连接电极的步骤包括：通过使用双掩模图案对发光材料层执行一次蚀刻工艺来限定发光元件区域；通过对连接电极层执行二次蚀刻工艺来限定连接电极区域；以及通过对发光材料层和连接电极层执行三次蚀刻工艺来形成发光元件和连接电极。
24、第一基底还包括位于像素电极之间的第一绝缘层，并且第一绝缘层通过三次蚀刻工艺形成为具有台阶结构。
25、第一绝缘层包括与连接电极叠置的第一区域以及不与连接电极叠置的第二区域，并且第一区域的厚度比第二区域的厚度大。
26、根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：用连接电极层将其上定位有多个像素电极的第一基底和其上定位有发光材料层的第二基底接合，并且去除第二基底；在发光材料层上形成具有台阶结构的光致抗蚀剂掩模图案；通过使用光致抗蚀剂掩模图案蚀刻发光材料层和连接电极层来形成发光元件和连接电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极与所述发光元件之间的边界部分的角部是倒圆的。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极包括非挥发性材料，所述非挥发性材料包括从金、铜、银和之中选择的一种或更多种。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件中的每个包括在第三方向上顺序地堆叠的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
9.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，在沉积所述共电极的步骤之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连接电极包括非挥发性材料，所述非挥发性材料包括从金、铜、银和之中选择的一种或更多种。<...
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极与所述发光元件之间的边界部分的角部是倒圆的。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极包括非挥发性材料，所述非挥发性材料包括从金、铜、银和之中选择的一种或更多种。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件中的每个包括在第三方向上顺序地堆叠的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
9.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，在沉积所述共电极的步骤之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连接电极包括非挥发性材料，所述非挥发性材料包括从金、铜、银和之中选择的一种或更多种。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述发光元件和所述连接电极的步骤包括：通过对所述发光材料层执行一次蚀刻工艺直到去除所述边缘部分来限定发光元件区域；通过对所述连接电极层执行二次蚀刻工艺来限定连接电极区域；以及通过对所述发光材料层和所述连接电极层执行三次蚀刻工艺来形成所述发光元件和所述连接电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
14.根据权利要求12所述的方法，其中：
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
16.根据权利要求13所述的方法，在所述发光元件上沉积所述共电极的步骤之前，所述方法还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述发光元件上沉积所述共电极的步骤包括：在所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秀哲，金泰均，赵晟原，朴鎭泽，崔宰豪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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