【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，具体涉及一种散热装置及散热系统。
技术介绍
1、在半导体激光器芯片生产的过程中，晶圆一般都需要经过pecvd工序。pecvd是在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法，且该方法可在较低温度下形成固体膜，而晶圆在经过pecvd工序需要进行散热。
2、现有技术中，晶圆经过pecvd工序进行散热时，通常采用静置的方式进行散热，即通过空气将晶圆的热量带走，该种散热方式需要的时间长，且散热效果不佳，导致晶圆的散热效率较低。
技术实现思路
1、因此，本技术所要解决的技术问题在于克服晶圆经过pecvd工序后采用静置的方式进行散热，需要的时间长，且散热效果不佳，导致晶圆的散热效率较低的缺陷。
2、为此，本技术提供一种散热装置，包括：
3、底座，所述底座上开设有至少一放置部...
【技术保护点】
1.一种散热装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述底座(1)上开设有安装部，所述冷却件(2)的至少部分适于设置在所述安装部内，且所述介质入口(21)和所述介质出口(22)设置在所述安装部外，以向所述流通通道内通入所述冷却介质和将所述流通通道内的所述冷却介质流出至外界。
3.根据权利要求2所述的散热装置，其特征在于，所述冷却件(2)的至少部分呈盘旋状设置在所述安装部内。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的散热装置，其特征在于，还包括过滤件(3)，所述过滤件(3)设置在所述冷却件(2)靠近所述介质...
【技术特征摘要】
1.一种散热装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述底座(1)上开设有安装部，所述冷却件(2)的至少部分适于设置在所述安装部内，且所述介质入口(21)和所述介质出口(22)设置在所述安装部外，以向所述流通通道内通入所述冷却介质和将所述流通通道内的所述冷却介质流出至外界。
3.根据权利要求2所述的散热装置，其特征在于，所述冷却件(2)的至少部分呈盘旋状设置在所述安装部内。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的散热装置，其特征在于，还包括过滤件(3)，所述过滤件(3)设置在所述冷却件(2)靠近所述介质入口(21)的一端，所述过滤件(3)适于过滤所述冷却介质中的杂质。
5.根据权利要求4所述的散热装置，其特征在于，还包括盖合件(4)，所述盖合件(4)与所述底座(1)转动连接，在所述晶圆放置在所述放置部(11)内时，所述盖合件(4)适于盖合所述放置部(11)，以分...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱国建，余小明，冷祥，
申请(专利权)人：无锡市华辰新美半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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