物体表面上的颗粒检测制造技术

本发明专利技术涉及物体表面上的颗粒检测。本发明专利技术公开了一种用于检验物体表面的系统和方法。在一个实施例中，所述系统包括用于照射物体表面的照射源、用于拦截来自被照射的物体表面的散射光并将物体表面的所需区域的真实图像进行投影的光学元件、以及用于接收被投影的真实图像的传感器。计算机系统可被耦合至传感器，用于储存和分析真实图像。在一个实施例中，所述方法包括用照射束照射物体表面、拦截来自被照射的物体表面的散射光、和将物体表面的所需区域的真实图像投影到传感器上。这样，系统和方法被提供用于掩模版上的污染物或缺陷进行原位检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及光刻术，尤其涉及用于颗粒检测的系统和方法。
技术介绍
光刻术被广泛地认为是制造集成电路(ic)以及其它装置和/或结构中的关键工艺。光刻设备是在光刻术中使用的机器，其将所需图案应用 到衬底上(例如应用到衬底的目标部分上)的机器。在用光刻设备制造IC的过程中，图案形成装置(其可选地称为掩模或掩模版)生成待形成 在IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。典型 地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(例 如抗蚀剂)层上。通常，单个衬底包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同层通常需要用不同的掩模版在不同层上对不同图案成像。因此，在光刻过程中可以更换掩模版。现有的光刻系统投影非常小的掩模图案特征。在掩模版的表面上出 现的灰尘或外来颗粒物质能够对获得的产品产生不利影响。在光刻过程 之前或在光刻过程中沉积在掩模版上的任何颗粒物质可能扭曲投影到衬 底上的图案中的特征。因此，特征尺寸越小，从掩模版上除去的颗粒的 临界尺寸越小。通常一起使用薄膜和掩模版。薄膜是很薄的透明层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检验物体表面的系统，包括：　至少一个照射源，用于提供照射束以照射所述物体表面；　光学元件，用于拦截来自所述被照射的物体表面的散射光并且将所述物体表面的所需区域的真实图像进行投影；和　传感器，用于接收所述被投影的真实 图像，　其中，位于所述物体表面上的颗粒在所述真实图像中是可检测的。

【技术特征摘要】
US 2008-8-20 61/090,4371.一种用于检验物体表面的系统，包括至少一个照射源，用于提供照射束以照射所述物体表面；光学元件，用于拦截来自所述被照射的物体表面的散射光并且将所述物体表面的所需区域的真实图像进行投影；和传感器，用于接收所述被投影的真实图像，其中，位于所述物体表面上的颗粒在所述真实图像中是可检测的。2. 根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个照射源被配 置，使得所述照射束被以倾斜的角度提供至所述物体表面。3. 根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个照射源被配 置，使得所述照射束被提供作为垂直的光，并且以与所述物体表面成倾 斜的角度放置所述传感器。4. 根据权利要求1所述的系统，其中，所述物体表面的所需区域是 所述物体表面的全场。5. 根据权利要求1所述的系统，其中，所述光学元件和所述传感器 形成照相机，两个或多个照相机被放置，使得从不同角度面对所述物体 表面，且由所述两个或多个照相机获得的所述真实图像允许所述物体表 面的视差成像。6. 根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个照射源、所述 光学元件以及所述传感器集成到光刻系统中，用于使得所述系统能够执 行带有薄膜的掩模版的原位检验。7. —种用于检验掩模版及其薄膜的表面的原位掩模版污染物检测系 统，包括第一照射源，用于提供掩模版照射束以照射所述掩模版的表面；第一光学元件，用于拦截来自所述被照射的掩模版表面的第一散射 光并且将所述掩模版表面的所需区域的真实掩模版图像进行投影；第一传感器，用于接收所述被投影的真实掩模版图像，其中，位于 所述掩模版表面上的颗粒在所述真实掩模版图像中是可检测的；第二照射源，用于提供薄膜照射束以照射与所述掩模版相关联的薄膜的表面；第二光学元件，用于拦截来自被照射的薄膜表面的第二散射光并且将所述薄膜表面的所需区域的真实薄膜图像进行投影；和第二传感器，用于接收所述被投影的真实掩模版图像，其中，位于 所述薄膜表面上的颗粒在所述真实薄膜图像中是可检测的。8. —种光刻系统，包括 颗粒检测系统，具有第一照射源，用于提供照射束以照射物体表面； 光学元件，用于拦截来自所述被照射的物体表面的散射光并且 将所述物体表面的所需区域的真实图像进行投影；和 传感器，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤理维拉基米尔斯基，詹姆斯H沃尔什，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]