半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域（发射极区域）经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明专利技术的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，特别涉及可以实现晶体管的安全动作区 域的扩大和热散逸的避免、以及电阻成分的降低的半导体装置。
技术介绍
作为分立式双极型晶体管，公知有如下的双极型晶体管，其在由格子 状发射极区域和岛状基极区域构成的动作区域上分别配置有两层基极电极 及发射极电极(例如参照专利文献1 ) 参照图6,以npn型晶体管为例说明现有的半导体装置。图6 (A)是半导体装置IOO整体的平面图，图6 (B)是图6 (A)的 i-i线剖面图，图6(C)是图6(A)的j-j线剖面图。另外，在图6(A)中， 由虚线表示第二层电极。在n+型硅半导体基板51a上例如层叠n-型半导体层51b等而设置集电 极区域。在n-型半导体层51b表面设置作为p型杂质区域的基极区域53, 在基极区域53表面呈格子状地扩散n+型杂质而形成有发射极区域54。由 此，基极区域53被分离为岛状，与发射极区域54交替地配置。另外，被 分离为岛状的结构是表面的结构，比发射极区域54更深地形成的基极区域 53在深区域构成一个连续的区域。以下将在如上所述被分割为岛状的基极 区域和其周边的发射极区域形成的晶体管称为单元，将配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：　　　　一导电型半导体基板，其构成集电极区域；　　　　逆导电型基极区域，其设于所述基板上；　　　　一导电型发射极区域，其设于所述基极区域表面；　　　　第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；第一基极电极，其与多个所述基极区域接触；　　　　第一发射极电极，其与所述发射极区域接触；　　　　第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；　　　　平板状的第二基极电极，其配置于所述第二绝缘膜上；以及　　　　平板状的第二发射极电极，其配置于所述第二绝缘膜上且与所述第二基极电极邻接，　　　　所述第二发射极电极设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上且...

【技术特征摘要】
JP 2008-8-26 217104/08;JP 2009-7-15 166992/091.一种半导体装置，其特征在于，具有一导电型半导体基板，其构成集电极区域；逆导电型基极区域，其设于所述基板上；一导电型发射极区域，其设于所述基极区域表面；第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；第一基极电极，其与多个所述基极区域接触；第一发射极电极，其与所述发射极区域接触；第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；平板状的第二基极电极，其配置于所述第二绝缘膜上；以及平板状的第二发射极电极，其配置于所述第二绝缘膜上且与所述第二基极电极邻接，所述第二发射极电极设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上且与所述第一发射极电极接触，所述第二基极电极具有比所述第二发射极电极小的面积，且设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上并与所述第一基极电极接触。2. 如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基极电极 分别与配置于该第 一基极电极的延伸方向的多个所述基极区域全部接触。...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥和也，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]