【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于电子照相图像形成设备如复印机和激光打 印机中的显影辊,以及设置有该显影辊的电子照相处理盒和电 子照相图像形成设备。
技术介绍
作为将存在于感光鼓上的静电潜像使用调色剂可视化的显 影方法,已知使承载调色剂的显影辊与感光鼓接触的接触显影 法。显影辊需要具有赋予调色剂以良好摩擦电荷的功能。在接 触显影法中,负带电性单组分显影剂通常在多种情况下使用。于是,日本专利申请特开2000-181218和日本专利申请特开 2003-122108公开了在显影辊表面层中使用含氮树脂涂层的显 影辊作为可以有效赋予负带电性调色剂以高电荷的显影辊。此外,建议设置有弹性层的显影辊以保证在与感光鼓的接 触部上的辊隙宽度(nip width)。然而,在具有该弹性层的显影 辊中,不可避免地包含在弹性层中的低分子量物质有时候渗出 至表面。已渗出的低分子量物质粘附至接触显影辊的感光鼓表 面,因此有时候影响电子照相图像等级和感光鼓寿命。于是, 曰本专利申请特开2005-215485公开了设置屏蔽从弹性层渗出 的渗出材料的屏蔽层的显影剂承载体。
技术实现思路
本专利技术人进行了关于在日本专利 ...
【技术保护点】
一种显影辊,其包括芯轴、至少一层设置于所述芯轴上的弹性层、和设置于所述弹性层上的表面层,所述显影辊承载和输送调色剂,并将在相对的感光构件上的静电潜像用所述调色剂显影,其中 所述表面层包括含Si、N、C和H的硅化合物膜;和 在所述表面层中, 通过X射线光电子能谱法和弹性反冲探测分析测量的,Si、N、C和H的存在元素总数相对于全部元素的比例为90.00%以上,和 N与Si的丰度比N/Si为0.20以上至1.00以下,C与Si的丰度比C/Si为0.30以上至1.50以下,和H与Si的丰度比H/Si为0.15以上至0.35以下。
【技术特征摘要】
JP 2008-8-25 2008-2152671.一种显影辊,其包括芯轴、至少一层设置于所述芯轴上的弹性层、和设置于所述弹性层上的表面层,所述显影辊承载和输送调色剂,并将在相对的感光构件上的静电潜像用所述调色剂显影,其中所述表面层包括含Si、N、C和H的硅化合物膜;和在所述表面层中,通过X射线光电子能谱法和弹性反冲探测分析测量的,Si、N、C和H的存在元素总数相对于全部元素的比例为90.00%以上,和N与Si的丰度比N/Si为0.20以上至1.00以下,C与Si的丰度比C/Si为0.30以上至1.50以下,和H与Si的丰度比H/Si为0.15以上至0.35以下。2. 根据权利要求l所述的显影辊,其中所述表面层包含氧 原子。3. 根据权利要求l所述的显影辊,其中所述表面层的膜厚 度为15nm以上至5,000...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿南严也,山内健一,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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