【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电解铜箔，尤其是涉及金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池。
技术介绍
1、金属箔是电子工业中广泛应用的重要材料，是挠性覆铜板以及印刷电路板等产品的重要材料之一，金属箔在印制电路板中主要起导通电路、互联元器件的重要作用，被称为电子产品信号与电能传输、沟通的“神经网络”。同时，金属箔也是芯片封装、新能源电池中重要的原材料。
2、随着电子信息技术的发展，多层复杂或高密度细线路pcb板在高精度小型化电子产品中用量日益增多，通常用高精度电子金属箔或双面粗化电解金属箔用于高密度细线路pcb板或多层复杂pcb板内层，然而，在实际的使用过程中，存在金属蚀刻不尽的现象，这会导致金属线路呈梯形，线路间距变小，在高频高速信号传输环境下，容易造成离子迁移，影响信号传输甚至失真。由此可见，如何对金属箔进行设计，控制其蚀刻速度，已成为本领域技术人员所要亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池，通过对金属箔的结构进行设计，控制其蚀刻速度，从而避免蚀刻不尽导致金属线路呈梯形，影响金属箔的电气性能。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种金属箔，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸大于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸，所述第一表面中的金属平均晶粒尺寸与所述第二表面中的金属平均晶粒尺寸的比值x为1.5～20。
3、作为其中一种优选方案，第一表面的平均金属晶粒尺
4、作为其中一种优选方案，所述h1厚度的平均金属晶粒尺寸a1的范围为0.8≤a1＜1μm；所述h2厚度的平均金属晶粒尺寸a2的范围为0.4≤a2＜0.8μm；所述h3厚度的平均金属晶粒尺寸a3的范围为0.1≤a3＜0.4μm；
5、所述h1厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的10～20％处；所述h2厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的10～20％处至从所述第二表面至占整体金属箔厚度的40～50％处；所述h3厚度为从所述第二表面至占整体金属箔厚度的40～50％处。
6、作为其中一种优选方案，所述h1厚度为0.01～0.8μm；或/和，所述h2厚度为0.5～4μm；和/或，所述h3厚度为0.8～3μm。
7、作为其中一种优选方案，所述金属箔的整体厚度为1～15μm。
8、作为其中一种优选方案，所述金属箔第二表面为非平整表面。
9、作为其中一种优选方案，所述金属箔还包括抗氧化层，所述抗氧化层设于第一表面或/和第二表面。
10、作为其中一种优选方案，所述金属箔还包括剥离层，所述剥离层设于所述第一表面。
11、作为其中一种优选方案，所述金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述第一表面的一侧。
12、作为其中一种优选方案，所述金属箔的金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；或，
13、所述金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中任意两种形成的合金。
14、本专利技术另一实施例提供了一种覆铜层叠板，所述覆铜层叠板包括如上所述的金属箔。
15、作为其中一种优选方案，所述覆铜层叠板还包括介质层，所述介质层设于至少一所述金属箔的所述一面上。
16、作为其中一种优选方案，所述介质层材质选自聚酰亚胺、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲、环氧玻璃布、bt树脂中的至少一种。
17、作为其中一种优选方案，所述覆铜层叠板还包括第二粘接层，所述第二粘接层设于所述金属箔的所述一面上。
18、作为其中一种优选方案，所述第二粘接层的材质选自聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类或丙烯酸酯类热塑性树脂，酚醛类、环氧类、热塑性聚酰亚胺、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，bt树脂，abf树脂中的至少一种。
19、本专利技术另一实施例提供了一种线路板，所述线路板包括如上所述的金属箔或如上所述的覆铜层叠板。
20、本专利技术另一实施例提供了一种半导体材料，所述半导体材料由如上所述的金属箔制备而成。
21、本专利技术另一实施例提供了一种应用于电池的负极材料，所述负极材料包括如上所述的金属箔和涂覆在所述金属箔表面的电极活性材料。
22、本专利技术另一实施例提供了一种电池，所述电池包括如上所述的负极材料。
23、相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于以下所述中的至少一点：
24、(1)本专利技术围绕金属箔的晶粒平均尺寸进行了研究，发现在一定的蚀刻时间内，较大尺寸的晶粒可以控制蚀刻药水的蚀刻速度，防止过度咬蚀，而较小尺寸的晶粒可避免线路底部由于药水蚀刻不尽，造成线路呈梯形，影响线路之间的间距，因此，本专利技术实施例通过对金属箔的结构进行设计，控制其蚀刻速度，从而避免蚀刻不尽导致金属线路呈梯形，影响金属箔的电气性能；经专利技术人研究发现当第一表面中的金属平均晶粒尺寸与第二表面中的金属平均晶粒尺寸的比值x为1.5～20时，能有效地防止线路呈梯形。
25、(2)针对蚀刻的速度，本专利技术将不同金属晶粒尺寸设置为：第一表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.8～2μm，第二表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.1～0.5μm时，防止咬蚀过快，减缓咬蚀速度。
26、(3)本专利技术将金属箔位于不同位置的晶粒尺寸设置为：h1厚度的平均金属晶粒尺寸a1＞h2的晶粒平均尺寸a2＞h3的晶粒平均尺寸a3，使得药水在接触金属箔h1时降低蚀刻速度，防止咬蚀过快，待药水到达h2时，由于其晶粒尺寸较小，可加快咬蚀速度，待药水到达h3时，其晶粒尺寸更小，更容易被咬蚀，但是由于h3与药水接触的时间较短，不会发生过度咬蚀，发生侧蚀的现象。
27、综上，采用本专利技术金属箔制备的线路不会发生蚀刻不尽，导致线路呈梯形的现象，从而确保蚀刻后的线路之间的标准间距。
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1.一种金属箔，其特征在于，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸大于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸，所述第一表面中的金属平均晶粒尺寸与所述第二表面中的金属平均晶粒尺寸的比值X为1.5～20。
2.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，第一表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.8～2μm，第二表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.1～0.5μm。
3.如权利要求2所述的金属箔，其特征在于，
4.如权利要求3所述的金属箔，其特征在于，所述H1厚度为0.01～0.8μm；或/和，所述H2厚度为0.5～4μm；和/或，所述H3厚度为0.8～3μm。
5.如权利要求4所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔的整体厚度为1～15μm。
6.如权利要求5所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔第二表面为非平整表面。
7.如权利要求6所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括抗氧化层，所述抗氧化层设于第一表面或/和第二表面。
8.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括剥离层，所述剥离层设于所述
9.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述第一表面的一侧。
10.如权利要求9所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔的金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；或，
11.一种覆铜层叠板，其特征在于，所述覆铜层叠板包括如权利要求1～10任一项所述的金属箔。
12.根据权利要求11所述的覆铜层叠板，其特征在于，所述覆铜层叠板还包括介质层，所述介质层设于至少一所述金属箔的所述一面上。
13.根据权利要求12所述的覆铜层叠板，其特征在于，所述介质层材质选自聚酰亚胺、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲、环氧玻璃布、BT树脂中的至少一种。
14.根据权利要求11所述的覆铜层叠板，其特征在于，所述覆铜层叠板还包括第二粘接层，所述第二粘接层设于所述金属箔的所述一面上。
15.根据权利要求14所述的覆铜层叠板，其特征在于，所述第二粘接层的材质选自聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类或丙烯酸酯类热塑性树脂，酚醛类、环氧类、热塑性聚酰亚胺、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，BT树脂，ABF树脂中的至少一种。
16.一种线路板，其特征在于，所述线路板包括如权利要求1～10任一项所述的金属箔或如权利要求11～15任一项所述的覆铜层叠板。
17.一种半导体材料，其特征在于，所述半导体材料由权利要求1～10任一项所述的金属箔制备而成。
18.一种应用于电池的负极材料，其特征在于，所述负极材料包括如权利要求1～10任一项所述的金属箔和涂覆在所述金属箔表面的电极活性材料。
19.一种电池，其特征在于，所述电池包括如权利要求18所述的负极材料。
...【技术特征摘要】
1.一种金属箔，其特征在于，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸大于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸，所述第一表面中的金属平均晶粒尺寸与所述第二表面中的金属平均晶粒尺寸的比值x为1.5～20。
2.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，第一表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.8～2μm，第二表面的平均金属晶粒尺寸范围为0.1～0.5μm。
3.如权利要求2所述的金属箔，其特征在于，
4.如权利要求3所述的金属箔，其特征在于，所述h1厚度为0.01～0.8μm；或/和，所述h2厚度为0.5～4μm；和/或，所述h3厚度为0.8～3μm。
5.如权利要求4所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔的整体厚度为1～15μm。
6.如权利要求5所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔第二表面为非平整表面。
7.如权利要求6所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括抗氧化层，所述抗氧化层设于第一表面或/和第二表面。
8.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括剥离层，所述剥离层设于所述第一表面。
9.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述第一表面的一侧。
10.如权利要求9所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔的金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；或，
11.一种覆铜层叠板，其特征在于，所述覆铜层叠板包括如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏陟，周涵钰，周街胜，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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