【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及其中在一对电极间插入许多层的发光元件。本专利技术还 涉及采用该发光元件的显示器件。
技术介绍
近年来，利用来自场致发光元件(发光元件)的光发射的器件作 为用于显示、发光等的器件已引起注意。对于用于这种器件的发光元 件，公知的是其中在一对电极间插入含发光化合物的层的发光元件。在这种发光元件中，从一个电极注入的空穴与从另一个电极注入 的电子复合(recombined),形成受激分子。当受激分子返回基态时， 就发光。同时，特别强烈要求降低近年来快速发展的各种信息处理器件中 显示器件的功耗。为了实现这一点，曾试图降低发光元件的驱动电压。 从商业化角度看，不仅降低驱动电压，同时延长发光元件的寿命也很 重要。因此，实现这一点的发光元件也在研究中。例如，参考文献1旨在通过用诸如氧化钼的高功函(work function) 金属氧化物作为正极，来实现较低驱动电压和延长的发光元件寿命 (参考文献l:日本专利未审公开号9-63771 )。然而，参考文献1中公开的方法不能提供具有足够可靠性的元 件，尚未达到实际应用水平。因此，需要发展能提高可靠性或进一步 延长的元件寿命...
【技术保护点】
一种发光元件，其包括： 第一电极； 第二电极； 第一电极和第二电极之间的含有氧化物半导体和空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料的第一层； 第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层； 第二层和第二电极之间的含有氧 化物半导体和电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料的第三层。
【技术特征摘要】
JP 2004-9-30 2004-2884081、一种发光元件，其包括第一电极；第二电极；第一电极和第二电极之间的含有氧化物半导体和空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料的第一层；第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层；第二层和第二电极之间的含有氧化物半导体和电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料的第三层。2、 权利要求1的发光元件，其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层，所述第四层含有氧化物半导体、电子迁移性能高于空穴 迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性 能的材料供给电子的材料。3、 权利要求1的发光元件，其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层，所述第四层含有电子迁移性能高于空穴迁移性能的材 料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料供给 电子的材料。4、 权利要求1的发光元件，其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层，所述第四层含有氧化物半导体和空穴迁移性能高于电子 迁移性能的材料。5、 权利要求l的发光元件，其进一步包括 第三层和第二电极之间的第四层，所述第四层含有氧化物半导体、电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电 子迁移性能高于空穴迁移性能的材料供给电子的材料；和第四层和第二电极之间的第五层，所述第五层含有氧化物半导体 和空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。6、 权利要求l的发光元件，其进一步包括 笫三层和第二电极之间的第四层，所述第四层含有电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空 穴迁移性能的材料供给电子的材料；和第四层和第二电极之间的第五层，所述第五层含有氧化物半导体 和空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料。7、 一种在像素部分中包含权利要求1的发光元件的显示器件。8、 权利要求1的发光元件，其中第一层中包含的氧化物半导体 是氧化钼。9、 一种发光元件，其包括 第一电极；第二电极；第一电极和第二电极之间的含有金属氧化物和空穴迁移性能高于电子迁移性能的材料的第一层；第一层和第二电极之间的含有发光材料的第二层； 第二层和第二电极之间的含有金属氧化物和电子迁移性能高于空穴迁移性能的材料的第三层。10、 权利要求9的发光元件，其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层，所述第四层含有金属氧化物、电子迁移性能高于空穴迁 移性能的材料、和能向该第四层中的电子迁移性能高于空穴迁移性能 的材料供给电子的材料。11、 权利要求9的发光元件，其进一步包括第三层和第二电极之 间的第四层，所述第四层含有电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田寿雄，坂田淳一郎，熊木大介，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[]
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