System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 真空镀膜设备制造技术_技高网

真空镀膜设备制造技术

技术编号:41298183 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-13 14:46
本发明专利技术涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种真空镀膜设备,包括:工艺腔;坩埚,位于工艺腔内,坩埚包括坩埚本体及可转动地设置在坩埚本体上方的盖板,坩埚本体固定在工艺腔内且顶部设置有若干用于容纳不同蒸发料的容纳槽,容纳槽的开口朝上,盖板具有缺口;磁力旋转机构,用于驱使盖板相对坩埚本体旋转以使缺口露出不同位置的容纳槽,磁力旋转机构包括若干第一电磁铁及若干第二电磁铁,第一电磁铁沿盖板的周向布置在工艺腔内,第二电磁铁沿盖板的周向布置在盖板上。通过对处于不同位置的第一电磁铁及第二电磁铁进行通电,来驱使盖板相对坩埚本体进行旋转,进而实现了蒸发料的切换。解决了现有真空镀膜设备因坩埚旋转带来的漏水及真空度问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备,尤其涉及一种真空镀膜设备


技术介绍

1、电子束真空镀膜是利用加速电子轰击蒸发料,电子的动能转换成热能使所蒸发料加热蒸发并成膜。如图1所示,现有真空镀膜设备的用于放置蒸发料的坩埚1是通过工艺腔2外的动力电机3及传动轴4来驱动旋转,进而完成蒸发料的切换。在坩埚1旋转的过程中,冷却水系统的进出水管5偶尔会在与工艺腔2的连接处出现漏水的现象,一旦漏水会影响设备的安全性以及影响整个产品的生产过程。并且,在坩埚1旋转的时候,由于传动轴4的转动,容易使得传动轴4与工艺腔2的连接处的密闭性受到影响,进而导致工艺腔2内的真空度下降,从而影响产品的产生时长及镀膜的质量。

2、此外,现有真空镀膜设备的电子枪系统一般只配备一个电子枪6,在蒸发不同蒸发料的时候所用的电子枪6是一样的。由于不同蒸发料的特性不同,不同蒸发料对相应的电子束聚焦方式有更好的熔化蒸发效果,而现有设备只配备有一个电子枪6,其电子束的聚焦方式固定,导致应用在不同蒸发料上面的效果不一样,带来了蒸发效率和蒸发料浪费的问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种真空镀膜设备,至少解决了现有真空镀膜设备存在的技术问题之一。

2、为了达到上述目的,本专利技术提供了一种真空镀膜设备,包括:

3、工艺腔;

4、坩埚,位于所述工艺腔内,所述坩埚包括坩埚本体及可转动地设置在所述坩埚本体上方的盖板,所述坩埚本体固定在所述工艺腔内且顶部设置有若干用于容纳不同蒸发料的容纳槽,所述容纳槽的开口朝上,所述盖板具有缺口;

5、磁力旋转机构,用于驱使所述盖板相对所述坩埚本体旋转以使所述缺口露出不同位置的容纳槽,所述磁力旋转机构包括若干第一电磁铁及若干第二电磁铁,所述第一电磁铁沿所述盖板的周向布置在所述工艺腔内,所述第二电磁铁沿所述盖板的周向布置在所述盖板上。

6、可选的,所述第一电磁铁与所述第二电磁铁通电时的磁性相同。

7、可选的,各个所述第一电磁铁独立供电,各个所述第二电磁铁独立供电。

8、可选的,所述磁力旋转机构还包括若干第三电磁铁,所述第三电磁铁沿所述盖板的周向布置在所述工艺腔内,所述第三电磁铁通电时用于对所述缺口进行定位。

9、可选的,所述第三电磁铁为两个且关于所述盖板的中心对称分布。

10、可选的,任意相邻两个第一电磁铁与所述盖板的中心形成的夹角相等。

11、可选的,任意相邻两个第二电磁铁与所述盖板的中心形成的夹角相等。

12、可选的,所述容纳槽沿所述盖板的周向均匀分布。

13、可选的,所述真空镀膜设备还包括若干沿所述盖板的周向分布的电子枪,至少两个所述电子枪的电子束的能量和/或聚焦方式不同。

14、可选的,所述电子枪的数量与所述容纳槽的数量相同且一一对应。

15、本专利技术提供的真空镀膜设备中,至少具有以下有益效果之一:

16、1)通过对处于不同位置的第一电磁铁及第二电磁铁进行通电,基于磁铁同性相斥、异性相吸的原理,来驱使盖板相对坩埚本体进行旋转,进而实现蒸发料的切换。由于坩埚本体不需要旋转,解决了现有真空镀膜设备因坩埚本体旋转带来的漏水及真空度问题,保障了工艺腔的密闭性;

17、2)通过设置第三电磁铁对缺口来进行定位,以便于将缺口旋转至目标位置;

18、3)通过沿盖板的周向设置具有不同电子束能量和/或聚焦方式的电子枪,能够基于不同的蒸发料选择相适配的电子枪,进而达到了更好的蒸发效果。

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【技术保护点】

1.一种真空镀膜设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述第一电磁铁与所述第二电磁铁通电时的磁性相同。

3.根据权利要求1或2所述的真空镀膜设备,其特征在于,各个所述第一电磁铁独立供电,各个所述第二电磁铁独立供电。

4.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述磁力旋转机构还包括若干第三电磁铁,所述第三电磁铁沿所述盖板的周向布置在所述工艺腔内,所述第三电磁铁通电时用于对所述缺口进行定位。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述第三电磁铁为两个且关于所述盖板的中心对称分布。

6.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,任意相邻两个第一电磁铁与所述盖板的中心形成的夹角相等。

7.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,任意相邻两个第二电磁铁与所述盖板的中心形成的夹角相等。

8.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述容纳槽沿所述盖板的周向均匀分布。

9.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述真空镀膜设备还包括若干沿所述盖板的周向分布的电子枪,至少两个所述电子枪的电子束的能量和/或聚焦方式不同。

10.根据权利要求9所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述电子枪的数量与所述容纳槽的数量相同且一一对应。

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【技术特征摘要】

1.一种真空镀膜设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述第一电磁铁与所述第二电磁铁通电时的磁性相同。

3.根据权利要求1或2所述的真空镀膜设备,其特征在于,各个所述第一电磁铁独立供电,各个所述第二电磁铁独立供电。

4.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述磁力旋转机构还包括若干第三电磁铁,所述第三电磁铁沿所述盖板的周向布置在所述工艺腔内,所述第三电磁铁通电时用于对所述缺口进行定位。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述第三电磁铁为两个且关于所述盖板的中心对称分布。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:王尧林朱焱均李志菲燕强李雨庭
申请(专利权)人:汉轩微电子制造江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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