【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法。
技术介绍
1、为了提高mos管的驱动能力和稳定性，经常会用到bjt（三极管）组合图腾柱驱动电路，如图1所示，电路由1个npn bjt、1个pnp bjt、2个限流电阻器、一个功率mos管和其他外围的电容器组合而成，一般需要设置组合图腾柱电路时常需要设置多个分立器件，成本较高、占用空间较大。
2、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，以解决组合图腾柱电路需要设置多个分立器件，成本较高、占用空间较大的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，包括以下步骤：
3、提供n型掺杂的衬底，并在所述衬底上制作第一电阻、第二电阻、npn三极管、pnp三极管和nmos管，其中，所述第一电阻和所述第二电阻通过填充多晶硅形成；
4、使用金属引线将所述第一电阻的第二侧与所述npn三极管和pnp三极管的基极相连，以及将所述第二电阻的第一侧与所述npn三极管的发射极和所述pnp三极管的发射极相连，还将所述第二电阻的第二侧与所述nmos管的栅极相连。
5、优选地，制作所述第一电阻和第二电阻包括：在所述衬底上通过光刻定义出所需
6、优选地，制作所述npn三极管包括：在所述衬底上形成第一氧化层，并通过刻蚀在所述第一氧化层上形成暴露出所述衬底的第一开口，在所述第一开口中进行p型离子注入以形成充当所述npn三极管基极的第一p型掺杂区；并在所述衬底表面形成第二氧化层，在所述第一p型掺杂区中进行n型离子注入，形成作为所述npn三极管发射极的第一n型掺杂区。
7、优选地，制作所述npn三极管还包括：在所述衬底的背面进行n型离子注入，形成作为集电极的第四n型掺杂区，还在所述衬底的背面淀积金属材料，形成第一集电极金属层。
8、优选地，制作所述pnp三极管包括：在所述衬底上形成第三氧化层，并通过刻蚀在所述第三氧化层上形成暴露出所述衬底的第二开口，在所述第二开口中进行n型离子注入以形成充当所述pnp三极管基极的第二n型掺杂区；并在所述衬底表面形成第四氧化层，在所述第二n型掺杂区中进行p型离子注入，形成作为所述pnp三极管发射极的第二p型掺杂区。
9、优选地，制作所述pnp三极管还包括：在所述衬底的背面进行p型离子注入，形成作为集电极的第四p型掺杂区，还在所述衬底的背面淀积金属，形成第二集电极金属层。
10、优选地，制作所述nmos管包括：在所述衬底上刻蚀形成栅极沟槽，对所述栅极沟槽的内表面进行氧化绝缘处理，形成氧化绝缘层，并在所述栅极沟槽内进行多晶硅填充形成栅极；在所述栅极的周围进行p型离子注入，形成第三p型掺杂区，在所述第三p型掺杂区靠近所述氧化绝缘层的一侧进行n型离子注入，形成第三n型掺杂区；对所述衬底的背面进行减薄，并在所述衬底的背面淀积金属材料，形成漏极金属层。
11、优选地，在所述衬底的表面形成复合绝缘层，并刻蚀出引线沟道，在所述引线沟道及所述复合绝缘层表面淀积金属，以形成金属引线将所述第一电阻、第二电阻、npn三极管、pnp三极管和nmos管引出。
12、优选地，所述第一填充区的顶部第一侧连接第一金属引线，用于接收控制信号，第二侧通过第二金属引线分别与所述第一p型掺杂区、所述第二n型掺杂区的顶部相连。
13、优选地，使用第三金属引线将第二p型掺杂区、第一n型掺杂区和第二填充区的顶部第一侧相连，所述第二填充区顶部的第二侧通过第四金属引线与所述栅极相连，所述第三n型掺杂区接出有第五金属引线，用于和外部信号连接。
14、在本专利技术提供的bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，将bjt组合图腾柱驱动电路所需的npn三极管、pnp三极管、nmos管和第一电阻和第二电阻集成在同一衬底100上，降低器件的使用量、减少系统的成本和占用空间。进一步的，第一电阻和第二电阻采用多晶硅填充形成，阻值可以达到几十欧姆，能够满足绝大部分应用场景，而内部集成的npn三极管、pnp三极管和nmos管通过共射连接组合而成的推挽结构，可以大大增强mos管的栅极驱动能力和稳定性。
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1.一种BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述第一电阻和第二电阻包括：在所述衬底上通过光刻定义出所需区域，并刻蚀出两个沟槽，在所述沟槽内填充多晶硅，形成第一填充区和第二填充区。
3.如权利要求2所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述NPN三极管包括：在所述衬底上形成第一氧化层，并通过刻蚀在所述第一氧化层上形成暴露出所述衬底的第一开口，在所述第一开口中进行P型离子注入以形成充当所述NPN三极管基极的第一P型掺杂区；并在所述衬底表面形成第二氧化层，在所述第一P型掺杂区中进行N型离子注入，形成作为所述NPN三极管发射极的第一N型掺杂区。
4.如权利要求3所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述NPN三极管还包括：在所述衬底的背面进行N型离子注入，形成作为集电极的第四N型掺杂区，还在所述衬底的背面淀积金属材料，形成第一集电极金属层。
5.如权利要求3所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其
6.如权利要求5所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述PNP三极管还包括：在所述衬底的背面进行P型离子注入，形成作为集电极的第四P型掺杂区，还在所述衬底的背面淀积金属，形成第二集电极金属层。
7.如权利要求5所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述NMOS管包括：在所述衬底上刻蚀形成栅极沟槽，对所述栅极沟槽的内表面进行氧化绝缘处理，形成氧化绝缘层，并在所述栅极沟槽内进行多晶硅填充形成栅极；在所述栅极的周围进行P型离子注入，形成第三P型掺杂区，在所述第三P型掺杂区靠近所述氧化绝缘层的一侧进行N型离子注入，形成第三N型掺杂区；对所述衬底的背面进行减薄，并在所述衬底的背面淀积金属材料，形成漏极金属层。
8.如权利要求1所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成复合绝缘层，并刻蚀出引线沟道，在所述引线沟道及所述复合绝缘层表面淀积金属，以形成金属引线将所述第一电阻、第二电阻、NPN三极管、PNP三极管和NMOS管引出。
9.如权利要求5所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，所述第一填充区的顶部第一侧连接第一金属引线，用于接收控制信号，第二侧通过第二金属引线分别与所述第一P型掺杂区、所述第二N型掺杂区的顶部相连。
10.如权利要求7所述的BJT组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，使用第三金属引线将第二P型掺杂区、第一N型掺杂区和第二填充区的顶部第一侧相连，所述第二填充区顶部的第二侧通过第四金属引线与所述栅极相连，所述第三N型掺杂区接出有第五金属引线，用于和外部信号连接。
...【技术特征摘要】
1.一种bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述第一电阻和第二电阻包括：在所述衬底上通过光刻定义出所需区域，并刻蚀出两个沟槽，在所述沟槽内填充多晶硅，形成第一填充区和第二填充区。
3.如权利要求2所述的bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述npn三极管包括：在所述衬底上形成第一氧化层，并通过刻蚀在所述第一氧化层上形成暴露出所述衬底的第一开口，在所述第一开口中进行p型离子注入以形成充当所述npn三极管基极的第一p型掺杂区；并在所述衬底表面形成第二氧化层，在所述第一p型掺杂区中进行n型离子注入，形成作为所述npn三极管发射极的第一n型掺杂区。
4.如权利要求3所述的bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述npn三极管还包括：在所述衬底的背面进行n型离子注入，形成作为集电极的第四n型掺杂区，还在所述衬底的背面淀积金属材料，形成第一集电极金属层。
5.如权利要求3所述的bjt组合图腾柱驱动器件的制造方法，其特征在于，制作所述pnp三极管包括：在所述衬底上形成第三氧化层，并通过刻蚀在所述第三氧化层上形成暴露出所述衬底的第二开口，在所述第二开口中进行n型离子注入以形成充当所述pnp三极管基极的第二n型掺杂区；并在所述衬底表面形成第四氧化层，在所述第二n型掺杂区中进行p型离子注入，形成作为所述pnp三极管发射极的第二p型掺杂区。
6.如权利要求5所述的bjt组合图腾柱驱动器件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱焱均，李志菲，燕强，王尧林，李雨庭，
申请(专利权)人：汉轩微电子制造江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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