【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片后段制造及封装，特别涉及一种晶圆背面金属化的方法及晶圆。
技术介绍
1、在当前半导体芯片的制作工艺中，往往忽视对晶圆背面的处理。然而对于功率元器件芯片，如电源芯片（power ic）等，晶圆背面的处理却至关重要，晶圆背面处理往往包括正面贴膜、背面减薄、背面湿法清洗、正面揭膜、背面金属蒸镀和金属引线键合等一系列工艺。
2、在上述流程工艺中，减薄完成后，晶圆背面表面通常十分平滑，为了增强金属蒸镀时的黏附性，一般进行晶圆背面蚀刻，增加其粗糙度。尽管蚀刻处理能提升晶圆背面的粗糙度，但其效果有限，仅能形成较浅的粘附粗糙层。在后续的金属蒸镀过程中，还是会存在粘附性不足情况，引起金属层脱落等严重器件问题。进一步的，蒸镀时金属层与器件粘附性差，也会导致封装过程中引线和蒸镀金属之间欧姆接触增大，电阻增大，能耗上升，甚至可能造成器件上的金属引线脱落，导致器件失效。
3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技...
【技术保护点】
1.一种晶圆背面金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，所述基底层的正面具有器件层，在形成所述图案化的光刻胶前，在所述器件层背离所述基底层的一侧贴附耐腐蚀膜。
3.根据权利要求2所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在贴附所述耐腐蚀膜后，还对所述基底层进行减薄。
4.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在形成所述图案化的光刻胶前，对所述基底层的背面进行清洗。
5.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在所述基底层的背面形成所述...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，所述基底层的正面具有器件层，在形成所述图案化的光刻胶前，在所述器件层背离所述基底层的一侧贴附耐腐蚀膜。
3.根据权利要求2所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在贴附所述耐腐蚀膜后，还对所述基底层进行减薄。
4.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在形成所述图案化的光刻胶前，对所述基底层的背面进行清洗。
5.根据权利要求1所述的晶圆背面金属化的方法，其特征在于，在所述基底层的背面形成所述图案化的光刻胶的步骤包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：王尧林，朱焱均，陈煜，燕强，李雨庭，
申请(专利权)人：汉轩微电子制造江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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