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本发明公开了一种晶圆背面金属化的方法及晶圆，属于芯片后段制造及封装技术领域，该晶圆背面金属化的方法，包括以下步骤：在基底层的背面形成图案化的光刻胶，通过所述图案化的光刻胶刻蚀所述基底层，以在所述基底层上形成凹陷；在所述基底层的背面及凹陷中蒸...
该专利属于汉轩微电子制造（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汉轩微电子制造（江苏）有限公司授权不得商用。

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