适用于高精度片上电容的测量电路制造技术

本发明专利技术涉及一种适用于高精度片上电容的测量电路，采用偏置电流产生电路、时序控制电路、运算放大器、模数转换器、控制开关相连构成链路，链路中串联有参考电容与被测电容，运算放大器采用两个进行布局，运算放大器具有正输入端、负输入端以及输出端，其负输入端与输出端相连，偏置电流产生电路设有独立的输出端，该输出端通过第一开关连接至被测电容，同时该输出端连接到其中一个单位增益电路的正输入端。由此，能够利用通过电容电荷共享原理，引入片外标准电容做参考，可以精确测量芯片内的电容数值。通过将电容两端电压分别作为ADC的输入和参考电压，使得参考电流、充电时间、电容漏电等非理想因素被排除，提高测量精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测量电路，尤其涉及一种适用于高精度片上电容的测量电路。

技术介绍

1、在芯片设计中，电容器是一个不可或缺的器件。

2、结合目前的主流的集成电路工艺制程来看，常见的片上电容制作办法有以下几种：

3、1.利用mos源漏与栅作为极板的mos电容。

4、2.利用相邻的金属作为极板的金属插指电容。

5、3.利用上下层金属作为极板的mim电容。

6、但是，不论哪种工艺，电容的绝对精度都难以做到非常精确，考虑到寄生效应，实际电容值与设计值相差较大。而且随工艺角、温度等参数变化而变化。在一些应用场合中，我们需要知道芯片中的电容器的精确电容值。

7、目前，传统处理方式如图3所示，构建一个测量电路，其中cdut为待测的电容器。先将待测电容器进行放电，然后给待测电容器用一个参考电流源iref进行充电，充电时间为△t，然后将电流源关掉。此时cdut上的电压值为此电压经过adc进行模数转换后(这里以8bit adc为例)，得到数字码

8、

9、由此可以得到待测电容器的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.适用于高精度片上电容的测量电路，其特征在于：采用偏置电流产生电路、时序控制电路、运算放大器、模数转换器、控制开关相连构成链路，

2.根据权利要求1所述的适用于高精度片上电容的测量电路，其特征在于：所述时序控制电路配置有三个独立输出端，包括第一输出端、第二输出端、第三输出端，

3.根据权利要求1所述的适用于高精度片上电容的测量电路，其特征在于：所述模数转换器的信号输入端接第二个单位增益电路的输出端与第二单位增益电路的输出端相连，所述模数转换器的参考电压输入端连接第一单位增益电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的适用于高精度片上电容的测量电路，其特征...

【技术特征摘要】

1.适用于高精度片上电容的测量电路，其特征在于：采用偏置电流产生电路、时序控制电路、运算放大器、模数转换器、控制开关相连构成链路，

2.根据权利要求1所述的适用于高精度片上电容的测量电路，其特征在于：所述时序控制电路配置有三个独立输出端，包括第一输出端、第二输出端、第三输出端，

3.根据权利要求1所述的适用...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘锐，
申请(专利权)人：苏州明彰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：