提高Gain Boost运放PVT鲁棒性和线性度的电路制造技术

本发明专利技术涉及一种提高Gain Boost运放PVT鲁棒性和线性度的电路，包括有电路主体，电路主体上电性连接有共源共栅电路、共源级放大器电路、辅助电路，辅助电路配置有源端电压产生电路，电路主体是拥有偏置和共模反馈的全差分共源共栅电路，共源共栅电路采用尾电流管、NMOS共源共栅电路和PMOS共源共栅电路构成，共源级放大器电路的源端与接辅助电路的源端电压产生电路相连。由此，能够对现有的共源共栅增益提高单级放大器进行改造，实施成本低。增设了辅助运放源端电压产生电路，使辅助运放的输入管源端构成一个变化的节点，通过负反馈使得运放在不同PVT条件下，具有稳定的工作点和输出范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于模拟集成电路中的电路配置，尤其涉及一种提高gainboost运放pvt鲁棒性和线性度的电路。

技术介绍

1、在芯片电路中，尤其是在模拟集成电路中，有大量应用场合需要用到较高速度以及高增益的运算放大器。比如各种开关电容积分器的应用。实施期间，主要会应用到传统的套筒式和折叠共源共栅这样的一级运放。但是，因为其输出阻抗难以进一步提高，其增益会受到限制。同时，二级运放又因为存在稳定性补偿的原因，会导致速度受到限制。因此在不影响速度的情况下，在单级放大器中加入增益提高技术成为了一种有效的方法。

2、结合图3、图4来看，其是两种传统的增益提高技术的原理图，主要有单级运放主体和辅助增益提高支路组成，其增益为：

3、av≈gm1ro1ro3gm3(a1+1)。

4、其中a1为辅助支路的增益，在对输出电压摆幅要求不高或者本身受到输入共模影响的电路中，常常使用图3的简易结构，辅助支路通过一个共源级放大器实现。

5、对于对输出电压范围有严格要求的场景，往往会使用类似图4的结构，其辅助支路通过折叠共源共栅实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.提高Gain Boost运放PVT鲁棒性和线性度的电路，包括有电路主体，其特征在于：所述电路主体上电性连接有共源共栅电路、共源级放大器电路、辅助电路，所述辅助电路配置有源端电压产生电路，所述电路主体是拥有偏置和共模反馈的全差分共源共栅电路，所述共源共栅电路采用尾电流管、NMOS共源共栅电路和PMOS共源共栅电路构成，所述共源级放大器电路的源端与接辅助电路的源端电压产生电路相连。

2.根据权利要求1所述的提高Gain Boost运放PVT鲁棒性和线性度的电路，其特征在于：所述共源共栅电路中，尾电流管源端接地，尾电流管的漏端VP与MOS管M1和MOS管M2的源端相接，MOS管...

【技术特征摘要】

1.提高gain boost运放pvt鲁棒性和线性度的电路，包括有电路主体，其特征在于：所述电路主体上电性连接有共源共栅电路、共源级放大器电路、辅助电路，所述辅助电路配置有源端电压产生电路，所述电路主体是拥有偏置和共模反馈的全差分共源共栅电路，所述共源共栅电路采用尾电流管、nmos共源共栅电路和pmos共源共栅电路构成，所述共源级放大器电路的源端与接辅助电路的源端电压产生电路相连。

2.根据权利要求1所述的提高gain boost运放pvt鲁棒性和线性度的电路，其特征在于：所述共源共栅电路中，尾电流管源端接地，尾电流管的漏端vp与mos管m1和mos管m2的源端相接，mos管m5的源端接mos管m1的漏端，mos管m6的源端接mos管m2的漏端，mos管m5、mos管m6的漏端构成放大器的差分输出端，所述共源共栅电路为nmos共源共栅电路，pmos共...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钰铭，杨诚，王博，郭睿超，
申请(专利权)人：苏州明彰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：