本发明专利技术公开了一种显示装置。具有栅极驱动电路的显示装置包括具有彼此级联的多个级的移位寄存器，多个级中的每个级包括上拉单元、下拉单元、放电单元和保持单元，其中，放电单元和保持单元中的至少一个包括彼此并联连接的非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述栅极驱动电路具有改善的驱动能力并且即使在延长使用期后仍保持可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有栅极驱动电路的显示装置，更具体地讲，涉及一种 具有改善的驱动能力并且即使在延长使用期后仍保持可靠性的栅极驱动电 路、 一种具有该栅极驱动电路的显示装置。
技术介绍
随着现代社会迅速地朝着信息化社会改变，市场对更加轻薄的面板显示 器的需求增加。诸如阴极射线管(CRT)的传统显示装置并不适于这种需求。 因此，诸如等离子体显示面板(PDP)装置、等离子体寻址液晶显示面板 (PALC)装置、液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)装置的 平板显示(FDP)装置正在急剧增多。具体地讲，对具有诸如增强的画面品 质、减轻的重量和纤薄轮廓的优良特性和优点的显示装置的需求正在急剧增 加。通常，显示装置包括其上布置有薄膜晶体管(TFT)的下基底、与下基 底相对的上基底及置于下基底和上基底之间的液晶材料的层，并通过调整施 加到液晶层的电场的强度来显示图像。显示装置包括用来驱动显示面板的栅 极驱动电路和向显示面板输出图像信号的数据驱动电路。用于显示装置的显示面板的栅极驱动电路可以包括栅4及驱动集成电路 (IC)。可以以载带封装(TCP)或薄膜覆晶(COG)的形式安装栅极驱动IC。 栅极驱动电路可以直接形成在显示面板中。在装置的制造成本、大小或设计 方面，正在尝试各种有利的方法。例如，可以直接在非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)的显示面板上形成用于产生栅极信号的传统栅极驱动电路，以代替栅 极驱动IC的^f吏用。
技术实现思路
根据本专利技术在此已经确定的是，在显示面板上直接安装^^极驱动器的尝 试可以影响空间局限性。因此，本专利技术提供了一种具有这样的栅极驱动器的 显示装置，即，该栅极驱动器即使在延长使用之后仍能够确保可靠性，而没 有降低驱动能力，同时栅极驱动器占据较小的面积。本专利技术还提供了一种具有这样的栅极驱动电路的显示装置，即，该栅极 驱动电路具有改善的驱动能力并且即使在延长使用期后仍保持可靠性。本专利技术的上述和其它特征和优点将在以下对示例性实施例的描述中进行 描述，或者通过以下对示例性实施例的描述将变得清楚。根据本专利技术的示例性实施例，提供了 一种包括移位寄存器的栅极驱动电路，移位寄存器具有彼此级联的多个级，所述多个级中的每个级包括上拉单元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中，向所述第一结点施加第一输入信号；下拉单元，如果输入第二输入信号，则下拉 单元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平；放电单元，响应于第二输入信 号将第一结点的信号放电到栅极截止电压的电平；保持单元，响应于第一时 钟信号将第一结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信号的 电平，其中，放电单元和保持单元中的至少一个包括彼此并联连接的非晶硅 薄膜晶体管(TFT )和多晶硅TFT。根据本专利技术的其它示例性实施例，提供了 一种包括移位寄存器的栅极驱 动电路，移位寄存器具有彼此级联的多个级，所述多个级中的每个级包括 上拉单元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中， 向所述第一结点施加第一输入信号；下拉单元，如果输入第二输入信号，则 下拉单元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平；放电单元，响应于第二输 入信号将第一结点的信号放电到栅极截止电压的电平；保持单元，响应于第 一时钟信号将第一结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信 号的电平，其中，在栅极驱动电路中设置形成有非晶硅TFT的第一区和形成 有多晶硅TFT的第二区。根据本专利技术的其它示例性实施例，提供了 一种包括显示面板和栅极驱动 电路的显示装置，显示面板分成显示图像的显示区和围绕显示区的外围区， 栅极驱动电路设置在外围区中并且包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此级 联的多个级以向栅极线输出栅极信号，所述多个级中的每个级包括上拉单元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中，向所述 第一结点施加第一输入信号；下拉单元，如果输入第二输入信号，则下拉单元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平；放电单元，响应于第二输入信号 将第一结点的信号放电到栅极截止电压的电平；保持单元，响应于第一时钟 信号将第一结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信号的电 平，其中，放电单元和保持单元中的至少一个包括彼此并联连接的非晶硅TFT 和多晶^圭TFT。根据本专利技术另外的示例性实施例，提供了 一种包括显示面板和栅极驱动 电路的显示装置，显示面板分成显示图像的显示区和围绕显示区的外围区， 栅极驱动电路设置在外围区中并且包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此级 联的多个级以向栅极线输出栅极信号，所述多个级中的每个级包括上拉单 元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中，向所述 第一结点施加第一输入信号；下拉单元，如果输入第二输入信号，则下拉单 元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平；放电单元，响应于第二输入信号 将第一结点的信号放电到栅极截止电压的电平；保持单元，响应于第一时钟 信号将第 一 结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信号的电 平，其中，在栅极驱动电路中设置形成有非晶硅TFT的第一区和形成有多晶 硅TFT的第二区。根据本专利技术其它的示例性实施例，提供了一种制造显示装置的方法，该 方法包括以下步骤在显示面板上形成包括多个非晶TFT的栅极驱动电路； 将多个非晶TFT分到第一区和第二区中；通过利用激光使第一区退火，使形 成在第一区中的非晶TFT晶化成多晶TFT。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其他特 征和优点将变得更加清楚，在附图中图1是示出了根据本专利技术示例性实施例的示例性显示装置的框图2是示出了图1中示出的示例性栅极驱动器的框图3是图2中示出的第j级的示例性实施例的电路图4是对图3中示出的第j级的操作例举的信号图5是在图1中示出的示例性显示装置中包括的示例性显示面板的布局图6是在图5中示出的示例性显示面板中包括的示例性多晶薄膜晶体管(TFT)的布局图7是沿着图6中的I-I，线截取的示例性多晶TFT的剖^见图8是示出了根据本专利技术另一实施例的示例性显示装置的框图9是示出了图8中示出的示例性栅极驱动器的框图10是图9中示出的第j级的示例性实施例的电路图ll是在图8中示出的示例性显示装置中包括的示例性显示面板的布局图。具体实施例方式通过参照以下示例性实施例的详细描述和附图，可以更容易理解本专利技术 和实施本专利技术的方法的优点和特征。然而，本专利技术可以以多种不同的形式来 实施，不应该被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使 本公开将是彻底和完全的，并将向本领域的技术人员充分地传达本专利技术的构 思，本专利技术将仅仅由权利要求书来限定。在整个说明书中，相同的标号表示 相同的元件。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应该理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层上、连接到 或结合到另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直 接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相 反，当元件被称作直接在另一元件或层上、直接连接到或直接 结合到另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的标号始终表示 相同的元件。如在这里使用的，术语和/或包括一个或多个相关所列的项本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，所述显示装置包括显示面板和栅极驱动电路，显示面板分成显示图像的显示区和围绕显示区的外围区，栅极驱动电路设置在外围区中并包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此级联的多个级，以向栅极线输出栅极信号，所述多个级中的每个级包括： 上 拉单元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中，向所述第一结点施加第一输入信号； 下拉单元，如果输入第二输入信号，则下拉单元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平； 放电单元，响应于第二输入信号将第一结点的信号放电到 栅极截止电压的电平； 保持单元，响应于第一时钟信号将第一结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信号的电平， 其中，放电单元和保持单元中的至少一个包括彼此并联连接的非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。
【技术特征摘要】
KR 2008-8-1 10-2008-00756911、一种显示装置，所述显示装置包括显示面板和栅极驱动电路，显示面板分成显示图像的显示区和围绕显示区的外围区，栅极驱动电路设置在外围区中并包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此级联的多个级，以向栅极线输出栅极信号，所述多个级中的每个级包括上拉单元，响应于第一结点的信号输出第一时钟信号作为栅极信号，其中，向所述第一结点施加第一输入信号；下拉单元，如果输入第二输入信号，则下拉单元将栅极信号放电到栅极截止电压的电平；放电单元，响应于第二输入信号将第一结点的信号放电到栅极截止电压的电平；保持单元，响应于第一时钟信号将第一结点的信号保持在被放电到栅极截止电压的电平的栅极信号的电平，其中，放电单元和保持单元中的至少一个包括彼此并联连接的非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。2、 如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置包括形成有非晶硅薄膜 晶体管的第一区和形成有多晶硅薄膜晶体管的第二区，其中，第一区和第二 区分开。3、 如权利要求2所述的显示装置，其中，通过激光使第二区退火。4、 如权利要求1所述的显示装置，其中，第一输入信号是扫描开始信号 或前一级的栅极信号，第二输入信号是扫描开始信号或下一级的栅极信号。5、 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述非晶硅薄膜晶体管和所述 多晶硅薄膜晶体管中的每个具有设置在源电极和漏电极下方的栅电极。6、 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多晶硅薄膜晶体管的迁移 率是所述非晶硅薄膜晶体管的迁移率的4倍至10倍。7、 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多晶硅薄膜晶体管的迁移 率...
【专利技术属性】
技术研发人员：李旼哲，金炯杰，全珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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