【技术实现步骤摘要】
fcfc^方法和^^其方^^造半H^装置的方法本申请是2005年4月28日提交的、申请号为200510081724. 4、专利技术名称 为〗|^^1射方法和使用其方法制造半!^装置的方法的申请的分案申请。 絲领域本专利技术涉^-种、W6ll射方法，特别涉及一种通过自动聚傳4^i对辐射目 标的、 ^織进行控制的' >驗方法。另夕卜，本专利技术还涉及一种采用这种激 ^4t方法制it半!M^装置的方法。
技术介绍
最a年，在一个衬底上制选,膜晶体管(TFT)的技术已经有了很大的进 步，有源矩P车显示装置的应用^^ny寻到了提高。尤其是，^J 1多结晶半科 膜形成的TFT在场效应迁移率方面要优于^^]常规非晶半fM^膜所形成的TFT, 因》b^TFT A^多结晶半f^^膜形成时可以实现高速才刺乍。因为这个原因，已 经尝试通it^M^亥象素相同的衬底上形成的驱动电路来控制这个象素，而该象 素通常利用设置在该衬底外的驱动电路iM空制。出于成;^f虑，希望用于半^装置中的衬^IJE皮璃衬底。然而玻璃衬底 在抗热方面4M并且容易因为受热而变形。因此，在采用多结晶半!M^膜的TFT...
【技术保护点】
一种激光辐射方法，包括： 在台上提供被辐射物； 在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形光斑辐射所述被辐射物；以及 在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统； 其中，在所 述台沿第一方向移动之前，所述被辐射物与所述光学系统之间的距离由自动聚焦机构控制。
【技术特征摘要】
JP 2004-4-28 2004-1344381、一种激光辐射方法，包括在台上提供被辐射物；在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形光斑辐射所述被辐射物；以及在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统；其中，在所述台沿第一方向移动之前，所述被辐射物与所述光学系统之间的距离由自动聚焦机构控制。2 、4財居权利要求1的、^>,方法，其中所述线形ito^续^^UW荡器发出。3、 ^^^又禾，]^求1的、a^,方法，其中所錄形^5^人半^^^ #荡器发出。4、 才財居4又矛J^求1的^,方法，其中所述自动聚俜^^勾包括四阵列iy^则器o5、 一种iltit^方法，包括在第一台上提供被,物；利用光学系统脊W^荡器发出的'^^成形为线形她，所述光学系统设有第二台，该第二台^i为跨桥在所錄一台上；以及在沿第一方向移动所述第一台的时，利用所錄形it^織所述被織物；其中，在沿第一方向移动所述第一台之前，所述被，物与所述光学系统之间的距离由自动聚焦才M勾控制。6 、才財居权利要求5的i!Ut織方法，其中所^ 荡器是连续^ ^荡器。7 、 才M居权禾，J^求5的^bt鄉方法，其中所必 #荡器是半# *振荡器。8、 根据权利要求5的^bt，方法，其中所述自动聚傳4^勾包括四阵列i^&则器o9、 一种制ii半^^^i:的方法，包才乱-在台上提供具有半f^膜的衬底；在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形itJ趕,所述半导体膜；以及在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统；其中，在所述台沿第一方向移动之前，所述半^^膜与所述光学系统之间的距离由自动聚禁^i^j控制。10、 根据权矛决求9的制造:半，装置的方法，其中所i^形ibia^续^^^荡器发出。11 、 根据权利要求9的制造:半*装置的方法，其中所述线形光J^^半^^IUW荡器发出。12、 ##权利要求9的制造半H^装置的方法，其中所述自动聚傳^N^包括四阵列i^^则器。13、 才M居权矛漆求9的制it半^^^置的方法，其中所述半!M^膜包括硅。14、 一种制造半H^装置的方法，包4舌在第一台上提供具有半^^膜的衬底；利用光学系统将 6^荡器发出的' ^成形为线形她，所述光学系统设有第二台，该第二台iti为跨桥在所述第一台上；以及在沿第一方向移动所述第一台的时，利用所魏形^J汪骑所述半!^^膜;其中，在沿第一方向移动所述第一台之前，所述半H^膜与所述光学系统之间的3巨离由自动聚焦才;0^空制。15、 才財...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中幸一郎，山本良明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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