【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，并且尤其涉及一种包括中介层(interposer)的半导体封装结构。
技术介绍
1、半导体封装结构除了为半导体晶粒(semiconductor die)提供免受环境污染物的保护之外，还可以在封装于该半导体封装结构内部的半导体晶粒与衬底(诸如印刷电路板(printed circuit board，pcb))之间提供电连接。
2、尽管现有的半导体封装结构通常满足要求，但它们并不是在所有方面都令人满意。例如，如果半导体封装结构的中介层太厚(例如，如果它包括超过八个金属层)，则中介层可能遭受翘曲，并且可能无法进行后续的制造工艺。因此，需要进一步改进半导体封装结构。
技术实现思路
1、提供半导体封装结构。半导体封装结构的示例性实施方式包括衬底、复合中介层和半导体晶粒。复合中介层被设置在衬底(substrate)上方并且包括第一中介层衬底和第二中介层衬底。第一中介层衬底包括第一导电过孔和第一介电层。第二中介层衬底被设置在第一中介层衬底上方并且包括第二导电过孔和第二介电层。第二导电过孔接合至第一导电过孔，并且第二介电层接合至第一介电层。半导体晶粒被设置在复合中介层上方并且电耦接至第一导电过孔和第二导电过孔。
2、半导体封装结构的另一实施方式包括衬底、复合中介层、凸块结构和第一半导体晶粒。复合中介层被设置在衬底上方并且包括第一中介层衬底和第二中介层衬底。第一中介层衬底包括第一导电过孔。第一导电过孔具有第一倾斜侧壁。第二中介层衬底接合至第一中介层衬底并且
3、半导体封装结构的又一实施方式包括衬底、第一半导体层、第一中介层衬底、第二中介层衬底、第二半导体层和半导体晶粒。第一半导体层被设置在衬底上方。第一中介层衬底被设置在第一半导体层上方并且包括第一导电过孔。第一导电过孔具有在朝向衬底的方向上减小的第一宽度。第二中介层衬底接合至第一中介层衬底并且包括第二导电过孔。第二导电过孔具有在朝向衬底的方向上增加的第二宽度。第二半导体层被设置在第二中介层衬底上方。半导体晶粒被设置在第二半导体层上方并且电耦接至第一导电过孔和第二导电过孔。
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1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一导电过孔的第一顶部表面面积大于所述第一导电过孔的第一底部表面面积，并且所述第二导电过孔的第二底部表面面积大于所述第二导电过孔的第二顶部表面面积。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述第二导电过孔的所述第二底部表面面积基本上等于所述第一导电过孔的所述第一顶部表面面积。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述复合中介层还包括半导体层，所述半导体层被设置在所述第一中介层衬底下方并且包括通孔。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述衬底通过所述通孔和凸块结构电耦接至所述第一中介层衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述复合中介层还包括半导体层，所述半导体层被设置在所述第二中介层衬底上方并且包括通孔，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括被设置在所述第一中介层衬底下方并且将所述衬底电耦接至所述第一中介层衬底的导电焊盘。
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9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述第一倾斜侧壁在第一方向上延伸，并且所述第二倾斜侧壁在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述第一导电过孔具有第三倾斜侧壁，并且所述第二导电过孔具有连接到所述第三倾斜侧壁的第四倾斜侧壁。
11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述复合中介层还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括多个导电焊盘，所述多个导电焊盘被设置在所述复合中介层的相反侧上并且电耦接至所述第一通孔和所述第二通孔。
13.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中，所述第一半导体层、所述第一中介层衬底、所述第二中介层衬底和所述第二半导体层的侧壁是共面的。
14.根据权利要求11所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括电耦接至所述第二半导体层的第三通孔的第二半导体晶粒。
15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括围绕所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒的模制材料，其中，所述模制材料的侧壁与所述复合中介层的侧壁共面。
16.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中，所述第二中介层衬底通过混合接合而接合到第一中介层衬底。
18.根据权利要求16所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括在所述第一半导体层和所述第二半导体层中延伸的多个通孔。
19.根据权利要求16所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括围绕所述半导体晶粒的模制材料，
20.根据权利要求19所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括底部填充材料，所述底部填充材料在所述衬底与所述第一半导体层之间延伸并且覆盖所述第一半导体层的边缘。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一导电过孔的第一顶部表面面积大于所述第一导电过孔的第一底部表面面积，并且所述第二导电过孔的第二底部表面面积大于所述第二导电过孔的第二顶部表面面积。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中，所述第二导电过孔的所述第二底部表面面积基本上等于所述第一导电过孔的所述第一顶部表面面积。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述复合中介层还包括半导体层，所述半导体层被设置在所述第一中介层衬底下方并且包括通孔。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中，所述衬底通过所述通孔和凸块结构电耦接至所述第一中介层衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述复合中介层还包括半导体层，所述半导体层被设置在所述第二中介层衬底上方并且包括通孔，
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括被设置在所述第一中介层衬底下方并且将所述衬底电耦接至所述第一中介层衬底的导电焊盘。
8.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述第一倾斜侧壁在第一方向上延伸，并且所述第二倾斜侧壁在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中，所述第一导电过孔具有第三倾斜侧壁，并且所述第二导电过孔具有连接到所述第三倾斜侧壁的第四倾斜侧壁。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：张聚宝，段志刚，梁昌，段炼，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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