一种温度补偿衰减片制造技术

技术编号:4127675 阅读:298 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种温度补偿衰减片,属于微波射频领域内使用的标准元器件,包括陶瓷基体;导体浆料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上;电阻浆料形成的膜状电阻包括第一、第二和第三膜状电阻,所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间,所述第二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间,所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和接地端之间;所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。本实用新型专利技术所述温度补偿衰减片可以补偿由于温度变化而带来的高频或者微波有源器件的增益的变动,可以在温度变化较大的环境内保证高频或者微波有源器件的频率特性。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波射频领域内使用的标准元器件,尤其涉及一种温度补偿衰减片
技术介绍
高频及微波有源器件的温度特性会跟随外围环境温度的变化产生漂移,如高频及 微波功率放大器,其增益会跟随温度的变化而变化,功率放大器的输出功率也相应地发生 变化,进而影响整个系统的特性指标。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于高频及微波领域中的温度补偿衰减片。 本技术所采用的技术方案为一种温度补偿衰减片,包括陶瓷基体;导体浆 料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上;电阻浆料形成的膜状电阻包括 第一、第二和第三膜状电阻,所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间,所述第 二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间,所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和 接地端之间;所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。 优选地,所述第一膜状电阻与所述输入端和输出端为面接触;所述第二膜状电阻 与所述输入端和接地端之间为面接触;所述第三膜状电阻与所述输出端和接地端之间为面 接触。 优选地,所述输入端和输出端均有两条相交的直角边与所述陶瓷基体的外边缘平 齐,所述接地端有三条直角边与所述陶瓷基体的外边缘平齐。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度补偿衰减片,包括陶瓷基体;其特征在于,导体浆料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上;电阻浆料形成的膜状电阻包括第一、第二和第三膜状电阻,所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间,所述第二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间,所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和接地端之间;所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。

【技术特征摘要】
一种温度补偿衰减片,包括陶瓷基体;其特征在于,导体浆料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上;电阻浆料形成的膜状电阻包括第一、第二和第三膜状电阻,所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间,所述第二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间,所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和接地端之间;所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。2. 根据权利要求1所述的一种温度补偿衰减片,其特征在于所述第一膜状电阻与所 述输入端和输出端为面接触;所述第二膜状电阻与所述输入端和接地端之间为面接触;所 述第三膜状电阻与所述输出端和接地端之...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘汛
申请(专利权)人:深圳市禹龙通电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]

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