【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及一种光刻(photolithography)方法以及一种使用该光刻方法来制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、可以通过对光刻胶层执行曝光工艺和显影工艺来形成在制造半导体器件的方法中用作蚀刻掩模(mask)的光刻胶图案，并且可以通过将光刻胶图案用作蚀刻掩模来对蚀刻对象层进行蚀刻，以形成具有预期形状的图案。
2、随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的图案可以具有微小的尺寸，并且已经使用了将极紫外(euv)光用作光源的光刻系统。该光刻系统可以具有高的数值孔径(na)以便提高分辨率，然而，掩模三维(3d)效果也会增强。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改进的特性的光刻方法。
2、示例实施例提供了一种使用具有改进的特性的光刻方法来制造半导体器件的方法。
3、根据示例实施例，提供了一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台。所述投影光学系统可以包括变形透镜。在所述方法中，可以将晶片和光掩模各自安装在所述晶片台和所述光掩模台上，并且可以使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的图案的布局转移到所述晶片的第一半场。可以改变所述光掩模相对于所述晶片的相对位置，并且可以执行第二曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的所述图案的布局转移到所述晶片的第二半场。
4、根据示例实施例，提供了一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台。与所述光掩模台的上
5、根据示例实施例，提供了一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，所述投影光学系统包括变形透镜。在所述方法中，可以将晶片和光掩模各自安装在所述晶片台和所述光掩模台上。可以使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的图案的布局转移到所述晶片的第一半场。可以改变所述光掩模相对于所述晶片的相对位置。可以执行第二曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的所述图案的布局转移到所述晶片的第二半场。除了所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界之外，转移到所述晶片的所述第一半场的所述图案的布局和转移到所述晶片的所述第二半场的所述图案的布局可以是基本上彼此相同的。
6、根据示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，可以将晶片和光掩模各自安装在光刻系统的晶片台和光掩模台上。可以使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的图案的布局转移到光刻胶层在所述晶片的第一半场上的部分。所述光刻系统可以包括光源、所述光掩模台、投影光学系统和所述晶片台，并且所述投影光学系统可以包括变形透镜。所述晶片可以包括顺序地堆叠在其上的蚀刻对象层和所述光刻胶层。可以改变所述光掩模相对于所述晶片的相对位置。可以执行第二曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的所述图案的布局转移到光刻胶层在所述晶片的第二半场上的部分。可以对所述光刻胶层执行显影工艺以形成光刻胶图案。可以使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺以对所述蚀刻对象层进行蚀刻，使得在所述晶片上形成材料图案。
7、根据示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，可以将晶片和光掩模各自安装在光刻系统的晶片台和光掩模台上。可以使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的图案的布局转移到光刻胶层在所述晶片的第一半场上的部分。与所述光掩模台的上表面或下表面基本上平行的水平方向可以包括基本上彼此垂直的x方向和y方向。所述光刻系统可以包括光源、所述光掩模台、投影光学系统和所述晶片台，并且所述投影光学系统可以包括在所述y方向上的缩小率为在所述x方向上的缩小率的两倍的变形透镜。所述晶片可以包括顺序地堆叠在其上的蚀刻对象层和所述光刻胶层。可以改变所述光掩模相对于所述晶片的相对位置。可以执行第二曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的所述图案的布局转移到所述光刻胶层在所述晶片的在所述晶片的所述y方向上与所述第一半场相邻的第二半场上的部分。可以在不替换所述光掩模的情况下使用同一光掩模来执行所述第二曝光工艺。可以对所述光刻胶层执行显影工艺以形成光刻胶图案。可以使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺以对所述蚀刻对象层进行蚀刻，使得在所述晶片上形成材料图案。
8、根据示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，可以将晶片和光掩模各自安装在光刻系统的晶片台和光掩模台上。可以使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的图案的布局转移到光刻胶层在所述晶片的第一半场上的部分。所述光刻系统可以包括光源、所述光掩模台、投影光学系统和所述晶片台，并且所述投影光学系统可以包括变形透镜。所述晶片可以包括顺序地堆叠在其上的蚀刻对象层和所述光刻胶层。可以改变所述光掩模相对于所述晶片的相对位置。可以执行第二曝光工艺，以将所述光掩模中所包括的所述图案的布局转移到光刻胶层在所述晶片的第二半场上的部分。可以对所述光刻胶层执行显影工艺以形成光刻胶图案。可以使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺以对所述蚀刻对象层进行蚀刻，使得在所述晶片上形成材料图案。除了所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界之外，转移到所述晶片的所述第一半场的所述图案的布局和转移到所述晶片的所述第二半场的所述图案的布局可以是基本上彼此相同的。
9、在所述光刻方法中，覆盖所述晶片的第一半场和第二半场的两个曝光工艺不需要使用不同光掩模来执行，而是可以使用同一光掩模来执行。因此，不需要用于替换光掩模的时间，以便减少工艺时间。
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1.一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，所述投影光学系统包括变形透镜，并且所述光刻方法包括：
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一半场和所述第二半场各自的面积均与场的面积的一半相对应，所述场是当所述投影光学系统包括同构透镜时由单个曝光工艺覆盖的区域。
3.根据权利要求1所述的光刻方法，其中：
4.根据权利要求3所述的光刻方法，其中，所述光掩模包括在所述x方向和所述y方向中的每个方向上彼此间隔开的芯片区域以及围绕所述芯片区域的划片道区域，并且
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，除了所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界之外，转移到所述晶片的所述第一半场的所述图案的布局和转移到所述晶片的所述第二半场的所述图案的布局是基本上彼此相同的。
6.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，所述光掩模在所述划片道区域的位于所述y方向上的中央部分处的部分中包括对准键，所述对准键在所述x方向上彼此间隔开。
7.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，位于所述光掩模沿
8.根据权利要求7所述的光刻方法，其中，所述光掩模包括：
9.根据权利要求8所述的光刻方法，其中：
10.根据权利要求8所述的光刻方法，其中：
11.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述光源产生EUV光。
12.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述光刻系统具有0.55的数值孔径。
13.根据权利要求1所述的光刻方法，其中：
14.根据权利要求13所述的光刻方法，其中：
15.一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，与所述光掩模台的上表面或下表面基本上平行的水平方向包括基本上彼此垂直的x方向和y方向，所述投影光学系统包括在所述y方向上的缩小率为在所述x方向上的缩小率的两倍的变形透镜，并且所述光刻方法包括：
16.根据权利要求15所述的光刻方法，其中，所述第一半场和所述第二半场各自的面积均与场的面积的一半相对应，所述场是在所述投影光学系统包括同构透镜的情况下由单个曝光工艺覆盖的区域。
17.根据权利要求15所述的光刻方法，其中，所述光掩模包括在所述x方向和所述y方向中的每个方向上彼此间隔开的芯片区域以及围绕所述芯片区域的划片道区域，并且
18.根据权利要求17所述的光刻方法，其中，除了所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界之外，转移到所述晶片的所述第一半场的所述图案的布局和转移到所述晶片的所述第二半场的所述图案的布局是基本上彼此相同的。
19.根据权利要求17所述的光刻方法，其中，所述光掩模在所述划片道区域的位于所述y方向上的中央部分处的部分中包括对准键，所述对准键在所述x方向上彼此间隔开。
20.一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，所述投影光学系统包括变形透镜，并且所述光刻方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种使用光刻系统的光刻方法，所述光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，所述投影光学系统包括变形透镜，并且所述光刻方法包括：
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一半场和所述第二半场各自的面积均与场的面积的一半相对应，所述场是当所述投影光学系统包括同构透镜时由单个曝光工艺覆盖的区域。
3.根据权利要求1所述的光刻方法，其中：
4.根据权利要求3所述的光刻方法，其中，所述光掩模包括在所述x方向和所述y方向中的每个方向上彼此间隔开的芯片区域以及围绕所述芯片区域的划片道区域，并且
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，除了所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界之外，转移到所述晶片的所述第一半场的所述图案的布局和转移到所述晶片的所述第二半场的所述图案的布局是基本上彼此相同的。
6.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，所述光掩模在所述划片道区域的位于所述y方向上的中央部分处的部分中包括对准键，所述对准键在所述x方向上彼此间隔开。
7.根据权利要求4所述的光刻方法，其中，位于所述光掩模沿所述y方向的下端部处的图案的布局和位于所述光掩模沿所述y方向的上端部处的图案的布局两者均被转移到所述晶片的所述第一半场和所述第二半场之间的边界。
8.根据权利要求7所述的光刻方法，其中，所述光掩模包括：
9.根据权利要求8所述的光刻方法，其中：
10.根据权利要求8所述的光刻方法，其中：
11.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述光源产生euv光。
【专利技术属性】
技术研发人员：郭旻哲，李汀镇，李承润，黄灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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