【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片制造，特别是涉及晶圆加工平台及其上料方法。
技术介绍
1、在芯片制造
，晶圆加工平台作为一种用于定位并放置晶圆的载台结构，在蚀刻、光刻等加工工序中支撑晶圆，广泛应用在晶圆加工制造的各个制程工艺中。
2、现有技术中，晶圆加工平台主要集成有旋转dd（driect drive，直接驱动）马达、测距仪、顶升装置，顶升装置用于承接晶圆，并且通过旋转dd马达的配合作用实现晶圆的转动，而且根据测距仪反馈数据进行晶圆的自动调平，确保加工精度。目前，顶升装置主要包括以下两种结构形式：第一种，顶升装置包括顶针以及与顶针传动连接的气缸，通过气缸驱动顶针运动以承接晶圆并带动晶圆上下移动，但是考虑到气缸启停阶段会有振动，存在晶圆偏移风险；第二种，顶升装置包括气浮调平模组以及与气浮调平模组传动连接的陶瓷载台，通过气浮调平模组驱动陶瓷载台运动以吸附晶圆并带动晶圆上下移动，但是由于陶瓷载台的运动行程较长、抗干扰性较弱导致振动累积，同样存在晶圆偏移风险。
3、因此，提供一种晶圆上料过程中振动较少、运动平稳的晶圆加工平台及其上料方法是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、基于此，提供一种晶圆加工平台及其上料方法，能够提高抗干扰性、减少振动累积，使得晶圆的下降过程运动平稳，减少晶圆偏移风险。
2、本申请提供了一种晶圆加工平台的上料方法，包括：
3、步骤s100，控制顶升气缸动作，顶升气缸驱动顶升柱和支撑柱从初始位置上升至顶升柱和支撑柱承接晶
4、步骤s200，控制气浮调平模组的直线电机动作，直线电机通过楔形机构驱动陶瓷载台上升至陶瓷载台承接并吸附晶圆；
5、步骤s300，控制顶升气缸和直线电机反向动作，直线电机通过楔形机构驱动陶瓷载台下降至工作位置。
6、在其中一个实施例中，在所述步骤s100之前还包括：控制直线电机反向动作，直线电机驱动陶瓷载台从工作位置下降至设备零点位置，在竖直方向上初始位置、设备零点位置以及工作位置依次向上排布。
7、在其中一个实施例中，所述步骤s300具体包括：
8、步骤s310，控制顶升气缸反向动作，顶升气缸驱动顶升柱、支撑柱下移至初始位置；
9、步骤s320，控制直线电机反向动作，直线电机通过楔形机构驱动陶瓷载台下降至工作位置。
10、在其中一个实施例中，在所述步骤s300之后还包括：
11、步骤s400，控制陶瓷载台破除真空，并且控制顶升气缸正向动作，顶升气缸驱动顶升柱和支撑柱从初始位置上升并从陶瓷载台上顶升晶圆；
12、步骤s500，在取料手取走晶圆之后，顶升气缸驱动顶升柱和支撑柱下移至初始位置。
13、在其中一个实施例中，在步骤s320之后还包括：
14、步骤s330，控制至少一个直线电机动作，直线电机驱动楔形机构位置变化，以通过楔形机构的楔形面调平陶瓷载台。
15、在其中一个实施例中，在步骤s200中，根据晶圆的尺寸，选择控制陶瓷载台上相应的气路启动以吸附晶圆，其中，晶圆的尺寸与气路的真空吸附面积呈正比。
16、另外，本申请还提供了一种执行如上述任一项技术方案所述的晶圆加工平台的上料方法的晶圆加工平台，包括：
17、基台；
18、气浮调平模组，包括设于所述基台上的至少一组直线电机、楔形机构，所述楔形机构的上表面为楔形面，所述直线电机的输出端与所述楔形机构传动连接，且用于驱动所述楔形机构在所述基台上移动；
19、顶升装置，包括顶升气缸、顶升柱及多个支撑柱，所述顶升气缸安装于所述基台上，且伸出端沿竖直方向延伸，多个所述支撑柱沿周向均匀设于所述顶升气缸的伸出端上，所述顶升柱设置在所述顶升气缸的伸出端的中心位置；
20、陶瓷载台，可移动地设于所述楔形面上，用于吸附晶圆；
21、控制模块，分别与所述直线电机、所述气缸、所述陶瓷载台通信连接，用于控制所述直线电机、所述气缸的正反向动作以及控制所述陶瓷载台的气路启停。
22、在其中一个实施例中，所述直线电机和所述楔形机构的数目为多个，且沿所述基台的周向均匀布置，所述顶升装置设置在所述基台的中心位置，所述陶瓷载台上设置有用于所述支撑柱和所述顶升柱升降的容置位。
23、在其中一个实施例中，所述支撑柱和所述顶升柱通过顶升安装板与所述顶升气缸的伸出端相连接，并且所述顶升安装板设置在所述陶瓷载台的下方；
24、所述支撑柱的上端部两侧形成有台阶，所述台阶与所述容置位之间形成有拆装空间；和/或，所述顶升柱通过螺纹连接件与所述顶升安装板相连接，所述螺纹连接件的头部位于所述顶升安装板的上方。
25、在其中一个实施例中，所述陶瓷载台包括壳体以及多个气管接头，所述壳体内形成有多个气路，所述多个气管接头沿所述壳体的一方向依次设置，所述气管接头与所述控制模块通信连接，且与所述气路一一对应连接；
26、所述多个支撑柱中的一部分以所述顶升柱为中心沿方形轮廓排布，另一部分以所述顶升柱为圆心的沿圆形轮廓排布。
27、在上述晶圆加工平台及其上料方法中，控制模块控制顶升气缸正向动作，顶升气缸的伸出端沿竖直方向伸出，带动支撑柱和顶升柱从初始位置沿竖直方向向上运动，直至支撑柱和顶升柱承接晶圆。接着控制模块控制气浮调平模组的直线电机正向动作，直线电机的输出端驱动楔形机构在基台上移动，楔形机构的楔形面在基台上的位置随之改变，陶瓷载台相对于楔形面移动并且在竖直方向上上升，直至陶瓷载台上升至承接晶圆，并且控制模块控制陶瓷载台的气路开启以能够吸附晶圆。然后控制模块控制顶升气缸和直线电机反向动作，顶升气缸的伸出端带动支撑柱和顶升柱沿竖直方向向下运动，直线电机通过楔形机构驱动陶瓷载台下降，直至陶瓷载台下降到工作位置，此时晶圆的上料完成，可以进行晶圆的加工工艺。上述晶圆加工平台及其上料方法通过将顶升气缸和气浮调平模组配合驱动，一方面可以将气浮调平模组的行程限定在顶升气缸的初始位置和晶圆承接位置之间的合适位置，以能够缩短陶瓷载台的运动行程，提高抗干扰性、减少振动累积，从而能够减少晶圆偏移风险；另一方面可以将陶瓷载台与支撑柱、顶升柱在同一位置进行晶圆的交接和吸附，并且陶瓷载台吸附晶圆后下降至工作位置，以使得晶圆的下降过程运动平稳、振动较少，从而能够减少晶圆偏移风险。
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1.一种晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，所述步骤S300具体包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在所述步骤S300之后还包括：
4.根据权利要求2所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在步骤S320之后还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在步骤S200中，根据晶圆的尺寸，选择控制陶瓷载台上相应的气路启动以吸附晶圆，其中，晶圆的尺寸与气路的真空吸附面积呈正比。
6.一种执行如权利要求1-5任一项所述的晶圆加工平台的上料方法的晶圆加工平台，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆加工平台，其特征在于，所述直线电机和所述楔形机构的数目为多个，且沿所述基台的周向均匀布置，所述顶升装置设置在所述基台的中心位置，所述陶瓷载台上设置有用于所述支撑柱和所述顶升柱升降的容置位。
8.根据权利要求7所述的晶圆加工平台，其特征在于，所述支撑柱和所述顶升柱通过顶升安装板与所
9.根据权利要求6所述的晶圆加工平台，其特征在于，所述陶瓷载台包括壳体以及多个气管接头，所述壳体内形成有多个气路，所述多个气管接头沿所述壳体的一方向依次设置，所述气管接头与所述控制模块通信连接，且与所述气路一一对应连接；
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，所述步骤s300具体包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在所述步骤s300之后还包括：
4.根据权利要求2所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在步骤s320之后还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆加工平台的上料方法，其特征在于，在步骤s200中，根据晶圆的尺寸，选择控制陶瓷载台上相应的气路启动以吸附晶圆，其中，晶圆的尺寸与气路的真空吸附面积呈正比。
6.一种执行如权利要求1-5任一项所述的晶圆加工平台的上料方法的晶圆加工平台，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙朝阳，丁圣磊，马林，王正根，
申请(专利权)人：迈为技术珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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