【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
技术介绍
1、在topcon (tunnel oxide passivated contact) 电池中，通常会在硅片表面制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，二者共同形成钝化接触结构，为硅片提供良好的界面钝化。然而，掺杂多晶硅层往往会产生较大的寄生吸收，导致太阳能电池的效率较低。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件和光伏系统，以提高太阳能电池的效率。
2、根据本申请的一个方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括：
3、基底，具有第一表面和与第一表面相对设置的第二表面；
4、第一隧穿氧化层，设于基底的第一表面一侧，且与第一表面至少部分地接触；及
5、钝化介质层，设于第一隧穿氧化层背离于基底的一侧表面；钝化介质层至少包括透明导电氧化物层。
6、在其中一个实施例中，透明导电氧化物层的材质包括金属掺杂的金属氧化物。
7、在其中一个实施例中，金属氧化物包括氧化锌；
8、金属氧化物中掺杂的金属包括铝、硼、镓中的至少一种。
9、在其中一个实施例中，金属掺杂的金属氧化物包括掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺硼氧化锌中的一种。
10、在其中一个实施例中，透明导电氧化物层的材质包括掺铝氧化锌，掺铝氧化锌中铝的质量百分比为1%-20%。
11、在其中一个实施例中，透明导电氧化物层的
12、在其中一个实施例中，钝化介质层包括一层透明氧化物层和一层第一钝化层；
13、第一钝化层设于透明导电氧化物层背离于第一隧穿氧化层的一侧表面。
14、在其中一个实施例中，钝化介质层包括至少一层透明导电氧化物层和至少一层第一钝化层；
15、在透明导电氧化物和第一钝化层均设置有一层的情况下，沿背离于第一隧穿氧化层的方向，透明导电氧化物层和第一钝化层依次层叠设置；
16、在透明导电氧化物层设置有至少两层的情况下，沿背离于第一隧穿氧化层的方向，透明导电氧化物层和第一钝化层依次交替层叠设置。
17、在其中一个实施例中，第一钝化层的材质包括氧化铝、氮化硅中的至少一种；和/或
18、第一钝化层的厚度为1nm-20nm。
19、在其中一个实施例中，第一表面上具有电极区域和非电极区域；
20、第一隧穿氧化层和钝化介质层在第一表面上的正投影具有重叠投影；
21、重叠投影至少位于第一表面的非电极区域。
22、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括第一钝化接触层，第一钝化接触层设于第一表面的电极区域的一侧。
23、在其中一个实施例中，第一隧穿氧化层与第一表面的非电极区域彼此接触；
24、第一钝化接触层设于第一表面的电极区域。
25、在其中一个实施例中，第一隧穿氧化层包括与第一表面的非电极区域彼此接触的第一部分，以及与第一表面的电极区域未接触的第二部分；
26、第二部分设于第一钝化接触层背离于第一表面的一侧表面。
27、在其中一个实施例中，第一钝化接触层包括依次层叠设于第一表面的电极区域的第二隧穿氧化层和第一掺杂半导体层。
28、在其中一个实施例中，第二隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm；和/或
29、第一掺杂半导体层的厚度为10nm-500nm。
30、在其中一个实施例中，第一隧穿氧化层包括与第一表面的非电极区域彼此接触的第一部分，以及与第一表面的电极区域彼此接触的第二部分；
31、第一钝化接触层设于第二部分背离于基底的一侧表面。
32、在其中一个实施例中，第一钝化接触层包括第一掺杂半导体层；
33、第一掺杂半导体层设于第二部分背离于基底的一侧表面。
34、在其中一个实施例中，第一钝化接触层还包括第二隧穿氧化层；
35、第二隧穿氧化层设于第一掺杂半导体背离于第二部分的一侧表面。
36、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括第一栅线电极；
37、第一栅线电极在第一表面的正投影位于第一表面的电极区域，且第一栅线电极与第一钝化接触层形成欧姆接触。
38、在其中一个实施例中，沿第一栅线电极的宽度方向，第一栅线电极的尺寸与第一钝化接触层的尺寸的比值大于0且小于等于1。
39、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括第二钝化层；
40、第二钝化层设于钝化介质层背离于第一隧穿氧化层的一侧表面。
41、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括设于基底的第二表面的第二钝化接触层。
42、在其中一个实施例中，第二钝化接触层包括依次层叠设于第二表面的第三隧穿氧化层和第二掺杂半导体层。
43、在其中一个实施例中，第三隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm；和/或
44、第二掺杂半导体层的厚度为10nm-1000nm。
45、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括第二栅线电极；
46、第二栅线电极位于基底的第二表面的一侧，且第二栅线电极与第二钝化接触层形成欧姆接触。
47、在其中一个实施例中，太阳能电池还包括第三钝化层；
48、第三钝化层设于第二钝化接触层背离于基底的一侧表面。
49、在其中一个实施例中，第一隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm。
50、根据本申请的又一个方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：
51、提供基底；基底具有相对设置的第一表面和第二表面；
52、在基底的第一表面的一侧依次形成第一隧穿氧化层和钝化介质层；第一隧穿氧化层与第一表面至少部分地接触，钝化介质层设于第一隧穿氧化层背离于基底的一侧表面，钝化介质层至少包括透明导电氧化物层。
53、在其中一个实施例中，透明导电氧化物层的材质包括金属掺杂的金属氧化物。
54、在其中一个实施例中，金属掺杂的金属氧化物包括掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺硼氧化锌中的一种。
55、在其中一个实施例中，透明导电氧化物层的材质包括掺铝氧化锌，掺铝氧化锌中铝的质量百分比为1%-20%。
56、在其中一个实施例中，钝化介质层包括一层透明氧化物层和一层第一钝化层；第一钝化层设于透明导电氧化物层背离于第一隧穿氧化层的一侧表面；或者
57、钝化介质层包括至少一层透明导电氧化物层和至少一层第一钝化层；在透明导电氧化物和第一钝化层均设置有一层的情况下，沿背离于第一隧穿氧化层的方向，透明导电氧化物层和第一钝化层依次层叠设置；在透明导电氧化物层设置有至少两层的情况下，沿背离于第一隧穿氧化层的方向，透明导电氧化物层和第一钝化层依次交替层叠设置。
58、在其中一个实施例中，第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化介质层包括至少一层所述透明导电氧化物层和至少一层第一钝化层；
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括氧化铝、氮化硅中的至少一种；和/或
4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面上具有电极区域和非电极区域；
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化接触层，所述第一钝化接触层设于所述第一表面的所述电极区域的一侧。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触；
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触的第一部分，以及与所述第一表面的所述电极区域未接触的第二部分；
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层包括依次层叠设于所述第一表面的电极区域的第二隧穿氧化层和
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm；和/或
10.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触的第一部分，以及与所述第一表面的所述电极区域彼此接触的第二部分；
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层包括第一掺杂半导体层；
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层还包括第二隧穿氧化层；
13.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一栅线电极；
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一栅线电极的宽度方向，所述第一栅线电极的尺寸与所述第一钝化接触层的尺寸的比值大于0且小于等于1。
15.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层的材质包括掺铝氧化锌，所述掺铝氧化锌中铝的质量百分比为1%-20%。
16.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层的厚度为5nm-20nm。
17.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第二钝化层；
18.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括设于所述基底的所述第二表面的第二钝化接触层。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化接触层包括依次层叠设于所述第二表面的第三隧穿氧化层和第二掺杂半导体层。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm；和/或
21.根据权利要求18所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第二栅线电极；
22.根据权利要求18所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第三钝化层；
23.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm。
24.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
25.根据权利要求24所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述钝化介质层包括至少一层所述透明导电氧化物层和至少一层第一钝化层；
26.根据权利要求25所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括氧化铝、氮化硅中的至少一种。
27.根据权利要求24所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述透明导电氧化物层的材质包括掺铝氧化锌，所述掺铝氧化锌中铝的质量百分比为1%-20%。
28.根据权利要求24-27任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一表面上具有电极区域和非电极区域；
29.根据权利要求28所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触的第一部分，以及未与所述第一表面的所述电极区域接触的第二部分；
30.根据权利要求28所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一钝化接触层包括依次层叠设于所述第一表面的所述电极区域的第二隧穿氧化层和第一掺杂半导体层。
31.根据权利要求28所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述基底的...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化介质层包括至少一层所述透明导电氧化物层和至少一层第一钝化层；
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括氧化铝、氮化硅中的至少一种；和/或
4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面上具有电极区域和非电极区域；
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化接触层，所述第一钝化接触层设于所述第一表面的所述电极区域的一侧。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触；
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触的第一部分，以及与所述第一表面的所述电极区域未接触的第二部分；
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层包括依次层叠设于所述第一表面的电极区域的第二隧穿氧化层和第一掺杂半导体层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层的厚度为0.8nm-2nm；和/或
10.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括与所述第一表面的所述非电极区域彼此接触的第一部分，以及与所述第一表面的所述电极区域彼此接触的第二部分；
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层包括第一掺杂半导体层；
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化接触层还包括第二隧穿氧化层；
13.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一栅线电极；
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一栅线电极的宽度方向，所述第一栅线电极的尺寸与所述第一钝化接触层的尺寸的比值大于0且小于等于1。
15.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层的材质包括掺铝氧化锌，所述掺铝氧化锌中铝的质量百分比为1%-20%。
16.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层的厚度为5nm-20nm。
17.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第二钝化层；
18.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括设于所述基底的所述第二表面的第二钝化接触层。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈达明，柳伟，陈奕峰，吕东芸，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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