【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化学气相沉积法沉积金刚石,具体为一种高度可调节的生长基台。
技术介绍
1、微波等离子体化学气相沉积法是一种应用广泛的新型cvd沉积方式,在制备单晶金刚石时具有放电稳定,生长可控,安全高效的特点。
2、专利号cn201721069482.1中公开了一种高度可控制的cvd金刚石生长基片台,包括底座,所述底座的上表面竖直设有两个相互平行设置的第一立柱,所述第一立柱为中空结构,两个所述第一立柱中均竖直设有第二立柱,且第二立柱贯穿第一立柱的上端侧壁设置,两个所述第二立柱远离第一立柱的侧壁之间横向设有台体,两个所述第一立柱的侧壁均横向设有套筒,所述套筒中横向设有转杆,且转杆贯穿套筒和第一立柱的侧壁设置,位于所述第一立柱中的转杆一端设有齿轮,所述第二立柱的侧壁竖直设有与齿轮匹配的齿条,所述转杆为中空结构。
3、上述基片台使用时,采用两侧的齿条进行支撑,在调节时,需要拨动两侧的拨片,然后转动两侧的转杆带动齿条升降,操作繁琐不便,为此,本申请提出一种高度可调节的生长基台。
技术实现思路
1、本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高度可调节的生长基台,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述底座(110)底部设置有均匀分布的支腿,所述支腿底部均设置有防滑垫。
3.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述转套(120)与丝杆(130)之间、支架(150)与转轴(160)之间均设置有轴承。
4.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述底座(110)采用凹型座,所述底座(110)侧壁开设有通孔,所述转轴(160)从通孔穿出底座(110)外侧。
5.根据权利
...【技术特征摘要】
1.一种高度可调节的生长基台,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述底座(110)底部设置有均匀分布的支腿,所述支腿底部均设置有防滑垫。
3.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述转套(120)与丝杆(130)之间、支架(150)与转轴(160)之间均设置有轴承。
4.根据权利要求1所述的一种高度可调节的生长基台,其特征在于,所述底座(110)采用凹型座,所述底座(110)侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁稳,侯淅燕,郑怡,李兵,
申请(专利权)人:成都稳正科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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