一种金刚石生长钼台结构制造技术

本技术公开了一种金刚石生长钼台结构，解决现有技术调整金刚石生长钼台与水冷台之间的传热时，存在操作繁琐以及钼材料浪费的技术问题。本技术包括水冷台，以及设于水冷台上用于生长金刚石的金刚石生长钼台；金刚石生长钼台与水冷台顶端螺纹连接，水冷台顶面与金刚石生长钼台之间形成有间隙。本技术设计科学合理，使用方便，通过调整金刚石生长钼台距水冷台顶部的距离来灵活调整水冷台与金刚石生长钼台之间的传热，可于较大范围内调整金刚石生长温度；相对于现有对金刚石生长钼台进行复杂加工以调整水冷台与金刚石生长钼台之间的传热，本技术操作更为简单；本技术结构简单，无需进行复杂加工，避免了钼材料浪费。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于人造金刚石，具体涉及一种金刚石生长钼台结构。

技术介绍

1、微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)是制备高品质金刚石的一种方法，mpcvd设备内，等离子体沉积使得金刚石生长。mpcvd设备内，温度是影响金刚石生长的重要参数之一，合理的温度范围有利于提高金刚石生长，温度超出额定范围，则不利于金刚石生长。mpcvd设备内影响金刚石生长温度的因素有：输入的微波功率、腔体压力和盛放金刚石生长的金刚石生长钼台与水冷台之间的传热。输入的微波功率直接决定了等离子体加热的能量，功率越高，温度也就越高。而腔体压力决定了等离子体的大小，从而决定了等离子密度，腔体压力越大，等离子体越小，等离子气团密度也就越高，从而温度越高。

2、为追求较高的金刚石生长速度和质量，mpcvd设备内需提供尽可能大的微波功率和腔体压力，而尽可能大的微波功率和腔体压力将导致金刚石生长温度升高，此时，为使金刚石生长温度适宜，调整金刚石生长钼台与水冷台之间的传热尤为重要，当微波功率和腔体压力将导致金刚石生长温度升高时，可通过调整金刚石生长钼台与水冷台之间的传热使得金刚石生长温度处于适本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，包括水冷台（1），以及设于水冷台（1）上用于生长金刚石（2）的金刚石生长钼台（3）；金刚石生长钼台（3）与水冷台（1）顶端螺纹连接，并且水冷台（1）顶面与金刚石生长钼台（3）之间形成有间隙（4）；

2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，安装槽（5）深度与凸台（9）高度相一致。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，金刚石生长钼台（3）外径与台体（8）外径大小相同。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，水冷台（1）外壁上开设有呈环形的防滑槽（10）...

【技术特征摘要】

1.一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，包括水冷台（1），以及设于水冷台（1）上用于生长金刚石（2）的金刚石生长钼台（3）；金刚石生长钼台（3）与水冷台（1）顶端螺纹连接，并且水冷台（1）顶面与金刚石生长钼台（3）之间形成有间隙（4）；

2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，安装槽（5）深度与凸台（9）高度相一致。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，金刚石生长钼台（3）外径与台体（8）外径大小相同。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长钼台结构，其特征在于，水冷台（1）外壁上开设有呈环形的防滑槽（10），防滑槽（10）位于金刚石生长钼台（3）下方。

【专利技术属性】
技术研发人员：袁稳，郑怡，侯淅燕，
申请(专利权)人：成都稳正科技有限公司，
类型：新型
国别省市：