System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于光致变色效应的信息存储材料的制备方法技术_技高网

一种基于光致变色效应的信息存储材料的制备方法技术

技术编号:41264667 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:21
本发明专利技术公开了一种基于光致变色效应的信息存储材料的制备方法,属于无机光致变色功能发光材料技术领域。本发明专利技术的基于光致变色效应的信息存储材料,化学式为:A<subgt;2</subgt;Ge<subgt;4</subgt;O<subgt;9</subgt;:xBi<supgt;3+</supgt;;其中,A包括Li、Na、K和Rb中的一种或多种;x为Bi<supgt;3+</supgt;的掺杂量,0≤x≤0.08。本发明专利技术的信息存储材料在紫外光照射下表面颜色由白色变为黄色,并且能够可逆转变,可以实现信息基于光致变色效应的写入、存储与擦除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机光致变色功能发光材料,特别是涉及一种基于光致变色效应的信息存储材料的制备方法


技术介绍

1、长余辉材料一度被认为是一种良好的光信息存储材料,但是一些长余辉材料中的陷阱半高宽较大,因而在信息的读出时会受到余辉的干扰。

2、光致变色材料在一定波长和强度的电磁波照射下其表面颜色从一种颜色变为另一种颜色,并且两种状态有明显可区别的吸收谱或漫反射谱,在另一波长的电磁波照射或热处理后恢复到原来的颜色(光致变色材料在一定波长的光照射下,实现光信息的“写入”;在另一波长的光照射或者热处理下,实现光信息的“读出”)。尽管在过去的二三十年里,光致变色材料发展迅猛,特别是有机光致变色材料在商业应用上取得了突出的成果,但有机光致变色材料的固有缺陷限制了它在应用上的进一步发展,例如制备所用有机物有毒且对环境有污染,抗疲劳性较差,热稳定性较差,容易被氧化而导致变色性能降低甚至损失。对比而言,无机光致变色材料具有抗疲劳性较好、热稳定性较强、变色反应速率较快和变色持续时间较长等优点,但对信息存储的存储可持续时间,以及可达到的读取次数等方面的研究还有待深入。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种基于光致变色效应的信息存储材料的制备方法,以解决上述现有技术存在的问题。本专利技术的信息存储材料在紫外光照射下表面颜色由白色变为黄色,并且能够可逆转变,可以实现信息基于光致变色效应的写入、存储与擦除。

2、为实现上述目的,本专利技术提供了如下方案:

3、本专利技术的技术方案之一:一种基于光致变色效应的信息存储材料,化学式为:a2ge4o9:xbi3+;

4、其中,a包括li、na、k和rb中的一种或多种;

5、x为bi3+的掺杂量(摩尔量),0≤x≤0.08。

6、bi3+本身可以产生光致变色效应,且bi3+可以起到调节光致变色效应的作用。

7、本专利技术的技术方案之二:一种上述信息存储材料的制备方法,所述制备方法,包括以下步骤:

8、按照化学式中的化学计量比,分别称量含a化合物、含ge化合物和含bi化合物混合后研磨均匀,并在空气气氛下煅烧,得到所述信息存储材料。

9、进一步地,所述含a化合物为含a碳酸盐。

10、更进一步地,所述含a碳酸盐为碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾和碳酸铷。

11、进一步地,所述含ge化合物包括氧化锗。

12、进一步地,所述含bi化合物包括氧化铋。

13、进一步地,所述煅烧的温度为800~900℃,时间为3~6h。

14、更进一步地,当a包括li、na、k和rb中多种时,各元素之间均采用相同的摩尔量。

15、本专利技术的技术方案之三:一种上述信息存储材料在光开关、防伪材料、装饰材料、光学器件材料、光信息存储感应器或辐射计量计制备中的应用。

16、本专利技术公开了以下技术效果:

17、(1)本专利技术的信息存储材料(光致变色材料)在紫外光照射下表面颜色由白色变为黄色,并且能够可逆转变,可以实现信息基于光致变色效应的写入、存储与擦除。

18、(2)本专利技术的信息存储材料是一种三价铋离子掺杂的锗酸盐光致变色材料,在紫外光和可见光交替照射下颜色可以发生可逆变化。

19、(3)本专利技术的信息存储材料(光致变色材料)是一种无机光致变色材料,在紫外光的照射下,样品表面的颜色由白色变为黄色,在长波长(365~450nm)的光或者热处理(300℃左右)下,样品表面的颜色恢复为白色,并且其具有抗疲劳性和热稳定性好等优点。本专利技术的无机光致变色材料可用于光开关、防伪、装饰、光学器件材料、光信息存储感应器和辐射计量计等领域。

20、(4)本专利技术的信息存储材料制备方法简单,对设备的要求比较简单;本专利技术采用的材料易得且价格较低。

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【技术保护点】

1.一种基于光致变色效应的信息存储材料,其特征在于,化学式为:A2Ge4O9:xBi3+;

2.一种权利要求1所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法,包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述含A化合物为含A碳酸盐。

4.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述含Ge化合物包括氧化锗。

5.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述含Bi化合物包括氧化铋。

6.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述煅烧的温度为800~900℃,时间为3~6h。

7.一种权利要求1所述的信息存储材料在光开关、防伪材料、装饰材料、光学器件材料、光信息存储感应器或辐射计量计制备中的应用。

【技术特征摘要】

1.一种基于光致变色效应的信息存储材料,其特征在于,化学式为:a2ge4o9:xbi3+;

2.一种权利要求1所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法,包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述含a化合物为含a碳酸盐。

4.根据权利要求2所述的信息存储材料的制备方法,其特征在于,所述含ge化...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕洋张绍安黄贝李振彰莫锐晖郭诚信
申请(专利权)人:广东技术师范大学
类型:发明
国别省市:

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