CMOS图像传感器及电子设备制造技术

本申请提供一种CMOS图像传感器及电子设备。所述CMOS图像传感器自上而下包括像素结构层、红外光吸收层及导电互连层，其中，所述像素结构层背离所述红外光吸收层的表面为入射面，所述像素结构层包括若干间隔设置的像素单元，所述红外光吸收层包括电致变色材料层。本申请提供的CMOS图像传感器经改善的结构设计，能够有效减少乃至避免因导电互连层的金属面的红外反射带来的串扰，可显著提高CMOS图像传感器在红外应用领域的性能和精度，同时不增加制程的复杂性，不影响传感器的其他性能。本申请提供的电子设备，其红外成像能力得到显著提升，因而在红外成像领域的应用可以得到进一步拓展。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及图像采集，具体涉及一种cmos图像传感器以及一种电子设备。

技术介绍

1、cmos图像传感器(complementary metal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体)因具有低成本、低功耗以及高整合度等优点而得到越来越广泛的应用。在红外应用领域，cmos图像传感器常被用于安防类产品。

2、然而，传统的cmos图像传感器存在一些局限性。例如，硅基cmos图像传感器对长波长的红外光响应较弱，限制了它在红外应用领域的性能。其次，cmos图像传感器紧邻硅表面的金属层会对穿透的红外光产生反射，引发信号串扰，降低了传感器的精度和性能。

3、为解决信号串扰问题，可以采用对应像素单元设置光学滤光片的方式来减少金属面红外反射带来的影响。但这种解决方案增加了制程的复杂性和成本并可能影响图像传感器的性能。

4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器自上而下包括像素结构层、红外光吸收层及导电互连层，其中，所述像素结构层背离所述红外光吸收层的表面为入射面，所述像素结构层包括若干间隔设置的像素单元，所述红外光吸收层包括电致变色材料层。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述电致变色材料层包括非化学计量的金属氧化物层和除金属氧化物层外的金属化合物层中的至少一种，其中，金属氧化物层和金属化合物层中的金属元素选自钨、钽、铒、钒或铬中的一种。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器还包括红外吸收辅助...

【技术特征摘要】

1.一种cmos图像传感器，其特征在于，所述cmos图像传感器自上而下包括像素结构层、红外光吸收层及导电互连层，其中，所述像素结构层背离所述红外光吸收层的表面为入射面，所述像素结构层包括若干间隔设置的像素单元，所述红外光吸收层包括电致变色材料层。

2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述电致变色材料层包括非化学计量的金属氧化物层和除金属氧化物层外的金属化合物层中的至少一种，其中，金属氧化物层和金属化合物层中的金属元素选自钨、钽、铒、钒或铬中的一种。

3.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述cmos图像传感器还包括红外吸收辅助层，所述像素单元包括光电转换元件及对应的像素电路晶体管，所述红外吸收辅助层覆盖所述像素电路晶体管及所述光电转换元件，所述红外光吸收层位于所述红外吸收辅助层背离所述光电转换元件的表面。

4.根据权利要求3所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述cmos图像传感器沿背离像素结构层的方向依次设置有透明的第一电极材料层、所述红外光吸收层以及第二电极材料层，所述第一电极材料层位于所述红外吸收辅助层背离所述光电转换元件的表面。

5.根据权利要求4所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述第一电极材料层选自氧化锡层、氧化铟锡层及氧化铟锌层中的至少一种；和/或，所述第二电极材料层包括金属导电层、金属氧化物导电层和石墨导电层中的至少一种；和/或，所述红外吸收辅助层包括氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳琛，张驰，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：