【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新能源电池领域，特别涉及一种topcon电池结构及其生产工艺。
技术介绍
1、现有topcon太阳能电池结构是背面为隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，正面选择性发射极，隧穿氧化钝化接触层结构为纳米氧化硅和掺杂多晶硅层。纳米氧化硅厚度为1.5-2.5nm，掺杂多晶硅层为140-160nm，其简要电池结构示意图如图2所示。
2、此种结构会存在如下两个难题：第一，在制作隧穿氧化层时会存在孔洞缺陷，从而无法保证氧化层的质量，第二，在制作时，掺杂多晶硅层中的磷含量会反向扩散进入氧化硅层，进而破坏氧化硅层，从而会导致隧穿氧化层失效的情况。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种topcon电池结构及其生产工艺，此种工艺会大大改善隧穿氧化多晶硅钝化接触层的质量，使得电池整体效率得到提升。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种topcon电池结构，包括硅片本体，所述硅片本体正面从内至外依次设置有p+发射极层、氧化铝钝化层和第一减反射膜层，所述硅片本体背面从内至外依次设置有纳米二氧化硅层、富氢多晶硅层、次富氢多晶硅层、轻掺多晶硅层、较重掺多晶硅层和第二减反射膜层，还包括设置在硅片本体正面的正面电极和设置在硅片背面的背面电极。
3、本专利技术还公开了一种topcon电池生产工艺，其步骤为：
4、s100：对硅片本体进行碱制绒处理，然后进行b元素扩散，将边结去除干净，正面保留bsg，背面碱抛光处理；
5、
6、s300：在siox隧穿氧化层上制备富氢多晶硅层；
7、s400：在富氢多晶硅层上制备次富氢多晶硅层；
8、s500：在次富氢多晶硅层上制备轻掺多晶硅层；
9、s600：在轻掺多晶硅层上制备较重掺多晶硅层；
10、s700：对步骤s600制成的半成品进行晶化退火处理和去bpsg处理，在硅片本体正面依次采用ald方式沉积alox膜层，pe方式沉积sinx或sioxny叠层；
11、s800：在硅片本体背面pe方式沉积sinx减反射膜；
12、s900：通过丝网印刷方式在经过步骤s800形成的电池结构两侧表面形成金属电极。
13、进一步的是：在步骤s300中，制备富氢多晶硅层的方法为等离子气相沉积pecvd方式或低压化学气相沉积lpcvd方式；
14、在步骤s400中，制备次富氢多晶硅层的方法为等离子气相沉积pecvd方式或低压化学气相沉积lpcvd方式；
15、在步骤s500中，制备轻掺多晶硅层的方法为等离子气相沉积pecvd方式或低压化学气相沉积lpcvd方式；
16、在步骤s600中，制备较重掺多晶硅层的方法为等离子气相沉积pecvd方式或低压化学气相沉积lpcvd方式。
17、进一步的是：在步骤s100中，采用热扩散的方式进行b元素扩散。
18、进一步的是：在步骤s700中，对步骤s600制成的半成品进行晶化退火处理，其中，晶化退火处理的温度为860～895℃。
19、本专利技术的有益效果是：
20、1、本技术方案大大改善隧穿氧化多晶硅钝化接触层的质量，改善了该结构层的复合电流密度j0，改善了接触电阻率，使得电池整体效率得到提升，提升0.22％-0.28％(绝对值)。
21、2.本技术方案提高电池转化效率，降低电池的每瓦制造成本，使得光伏发电度电成本更低。
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1.一种TOPCON电池结构，其特征在于：包括硅片本体(1)，所述硅片本体(1)正面从内至外依次设置有P+发射极层(2)、氧化铝钝化层(3)和第一减反射膜层(4)，所述硅片本体(1)背面从内至外依次设置有纳米二氧化硅层(5)、富氢多晶硅层(6)、次富氢多晶硅层(7)、轻掺多晶硅层(8)、较重掺多晶硅层(9)和第二减反射膜层(10)，还包括设置在硅片本体(1)正面的正面电极(11)和设置在硅片背面的背面电极(12)。
2.一种TOPCON电池生产工艺，其特征在于：
3.如权利要求2所述的TOPCON电池生产工艺，其特征在于：
4.如权利要求2所述的TOPCON电池生产工艺，其特征在于：在步骤S100中，采用热扩散的方式进行B元素扩散。
5.如权利要求2所述的TOPCON电池生产工艺，其特征在于：在步骤S700中，对步骤S600制成的半成品进行晶化退火处理，其中，晶化退火处理的温度为860～895℃。
【技术特征摘要】
1.一种topcon电池结构，其特征在于：包括硅片本体(1)，所述硅片本体(1)正面从内至外依次设置有p+发射极层(2)、氧化铝钝化层(3)和第一减反射膜层(4)，所述硅片本体(1)背面从内至外依次设置有纳米二氧化硅层(5)、富氢多晶硅层(6)、次富氢多晶硅层(7)、轻掺多晶硅层(8)、较重掺多晶硅层(9)和第二减反射膜层(10)，还包括设置在硅片本体(1)正面的正面电极(11)和设置在硅片背面的背面电极(12)。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李德平，何亮，孟凡滨，夏中雪，陈燕青，管安浩，
申请(专利权)人：润马光能科技金华有限公司，
类型：发明
国别省市：
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