【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、在采用传统的单片堆叠方案制备堆叠晶体管(stacked transistor)时，存在以下技术难点：难以实现有源区的电学隔离。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。
2、第一方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管的制备方法，上述方法包括：提供一衬底，衬底包括依次堆叠设置的顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅...
【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的制备方法、其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成间隔设置在所述第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹所述第二有源结构的第一浅槽隔离结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构和所述第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述倒片并去除所述底部衬底之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述倒片并去除所述底部衬底，包括：
6.根据权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的制备方法、其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成间隔设置在所述第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹所述第二有源结构的第一浅槽隔离结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构和所述第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述倒片并去除所述底部衬底之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，葛延栋，卢浩然，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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