【技术实现步骤摘要】
本技术属于电阻器制备领域，具体涉及一种金刚石芯片电阻器。
技术介绍
1、随着5g通信、物联网等技术的发展与应用的逐步落地，射频作为其中的关键技术也得到了快速发展，对射频微波元器件的需求也在逐渐增大，金刚石芯片电阻器主要应用于高功率滤波器、高功率放大器、隔离器、相控阵雷达tr组件模块等，集中在卫星通讯、微波通讯及5g通信基站等方面，拥有比较广泛的应用，当下要求设备在质量和外形尺寸做到小型化，大功率，金刚石芯片电阻器的小型化和大功率设计是必然趋势与要求。
2、常规的金刚石芯片电阻器往往尺寸较小，线条简单，频段较宽，能满足高频的电性能要求，但相对功率往往要小很多，相同的图形结构放到更大的金刚石基片上提升的功率不高；如何在相对较高的功率要求下，扩宽产品的频段，保证产品的电性能指标非常关键。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种高功率、小型化、宽频带的金刚石芯片电阻器。
2、本技术采用如下技术方案：
3、一种金刚石芯片电阻器，包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的膜状电阻、设置在金刚石基板表面与膜状电阻一端连接的第一电极、设置在金刚石基板表面与膜状电阻另一端连接的第二电极和设置在金刚石基板背面的背电极，所述第一电极一端与膜状电阻连接另一端向外蜿蜒延伸。
4、进一步的，所述第一电极包括与膜状电阻连接的第一连接段、与第一连接段连接向外延伸的第一折弯段、与第一折弯段连接向内延伸靠近第一连接段的第二折弯段、与第二折弯段连接向外延
5、进一步的，所述第一电极的面积占金刚石基板表面面积的9.15％。
6、进一步的，所述第一连接段的面积占金刚石基板表面2.62％，所述第一折弯段的面积占金刚石基板面积的2.31％，所述第二折弯段的面积占金刚石基板面积的1.79％，所述第三折弯段的面积占金刚石基板面积的1.77％，所述延伸段的面积占金刚石基板面积的0.66％。
7、进一步的，所述第一电极蜿蜒延伸的长度为金刚石基板长度的27.34％。
8、进一步的，所述第一折弯段向外延伸的长度为金刚石基板长度的15.62％，第二折弯段向内延伸的长度为金刚石基板长度的9.37％，所述第三折弯段向外延伸的长度为金刚石基板长度的15.62％，所述延伸段向外延伸的长度为金刚石基板长度的5.47％。
9、进一步的，所述膜状电阻的面积占金刚石基板表面面积的49.01％。
10、进一步的，所述第二电极包括设置在金刚石基板表面与膜状电阻连接的表电极和设置在金刚石基板侧面连接表电极与背电极的延伸电极。
11、进一步的，所述第二电极的面积占金刚石基板表面面积的4.6％。
12、由上述对本技术的描述可知，与现有技术相比，本技术的有益效果是：本申请制备的金刚石芯片电阻器在1-15ghz频段下，电压驻波比同样≤1.6，且在通500w射频功率状态下，安装好产品及散热器，产品表面的壳温≤100℃，远远低于设计的150℃，且制备的氮化坦电阻层耐温300℃，在通入500w射频功率的状态下，1.5h直流电阻阻值变化≤5％，外观无明显变化；
13、通过从结构优化，保证了产品的可靠性，完成了一款高功率500w的金刚石芯片电阻器的制作及测试，优化了金刚石芯片电阻器在整个频段下的电性能指标，提高了产品可应用的频段，同时500w的高功率可以满足多种场景下的使用，满足了需要的设计要求；解决了金刚石芯片电阻器需要兼顾的小型化、高功率、宽频段问题；其中，具体限定了电极的结构，通过蜿蜒的结构及线宽调整达到一定的阻抗匹配作用，同时特定线条之间的相互耦合作用能够消除高频段下寄生电抗参数的影响，从而使产品在整个频段的电性能得到改善与保障。
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1.一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的膜状电阻、设置在金刚石基板表面与膜状电阻一端连接的第一电极、设置在金刚石基板表面与膜状电阻另一端连接的第二电极和设置在金刚石基板背面的背电极，所述第一电极一端与膜状电阻连接另一端向外蜿蜒延伸。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一电极包括与膜状电阻连接的第一连接段、与第一连接段连接向外延伸的第一折弯段、与第一折弯段连接向内延伸靠近第一连接段的第二折弯段、与第二折弯段连接向外延伸的第三折弯段和与第三折弯段连接向外延伸的延伸段。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一电极的面积占金刚石基板表面面积的9.15％。
4.根据权利要求3所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一连接段的面积占金刚石基板表面2.62％，所述第一折弯段的面积占金刚石基板面积的2.31％，所述第二折弯段的面积占金刚石基板面积的1.79％，所述第三折弯段的面积占金刚石基板面积的1.77％，所述延伸段的面积占金刚石基板面积的0.66％。
...【技术特征摘要】
1.一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的膜状电阻、设置在金刚石基板表面与膜状电阻一端连接的第一电极、设置在金刚石基板表面与膜状电阻另一端连接的第二电极和设置在金刚石基板背面的背电极，所述第一电极一端与膜状电阻连接另一端向外蜿蜒延伸。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一电极包括与膜状电阻连接的第一连接段、与第一连接段连接向外延伸的第一折弯段、与第一折弯段连接向内延伸靠近第一连接段的第二折弯段、与第二折弯段连接向外延伸的第三折弯段和与第三折弯段连接向外延伸的延伸段。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一电极的面积占金刚石基板表面面积的9.15％。
4.根据权利要求3所述的一种金刚石芯片电阻器，其特征在于：所述第一连接段的面积占金刚石基板表面2.62％，所述第一折弯段的面积占金刚石基板面积的2.31％，所述第二折弯段的面积占金刚石基板面积的1.79％，所述第三折弯段的面积占金刚石基板面...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘甲东，刘昌鑫，唐加能，骆杰煌，黄星凡，
申请(专利权)人：福建毫米电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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