System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法技术_技高网

一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法技术

技术编号:41194534 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-07 22:23
一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法,射频负载片包括基板、导体层、多个电阻体层和保护层,所述导体层包括接地部、电极部、分流部和侧面连通部,多个所述电阻体层分别连接所述分流部形成至少两条并联的电流通路,每条所述电流通路包括至少两个电阻体层,同一条所述电流通路上的电阻体层通过所述电极部串联,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构,所述电阻体层为圆形结构,所述分流部和所述电阻体层之间为弧形连接,所述电阻体层与所述电极部之间为弧形衔接。本发明专利技术的电阻体层采用串并联的结构连接,增加电阻体层的面积占比,防止聚集过多的热量,具有频率更高,回波损耗更低的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频负载片领域,特别是一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法


技术介绍

1、射频功率负载应用广泛,但其频率条件受产品尺寸影响。一般来说,产品尺寸越大相同损耗下能达到的频率就越低,这时需要通过设计电极电阻结构进行阻抗匹配,常见的电阻结构为单一的方形电阻或多边形电阻,该结构缺点在于高频阻抗匹配性差。回波损耗的调节大多依赖于电极结构的设计,为了满足频率要求往往电极部分设计得又细又长,可靠性大大降低。并且在电极电阻衔接部分,过窄的电极端在有信号浪涌时容易烧毁。

2、目前市场上射频功率负载的频率大多集中在6ghz以内,100w以上的负载频率基本在4ghz以下,以150w,6.35*6.35*1(mm)尺寸的射频负载片为例,在驻波比保持1.25:1的情况下,相同尺寸的射频负载片无法做到负载频率10.5ghz,通常在负载频率超过6ghz之后驻波比就会剧增。另外现有结构的射频负载片也无法做到既兼顾高频低损耗且抗浪涌的特性,还能保证大面积的电阻体层占比。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是克服现有技术的缺点,提供一种电阻体层采用串并联的结构连接,增加电阻体层的面积占比,防止聚集过多的热量,具有频率更高,回波损耗更低的性能的大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法。

2、本专利技术采用如下技术方案:

3、一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,包括基板、导体层、多个电阻体层和保护层,所述导体层和所述电阻体层设置在所述基板上,所述保护层设置在所述导体层和所述电阻体层上,所述导体层包括接地部、电极部、分流部和侧面连通部,所述接地部设置在所述基板的背面,所述电极部和所述分流部设置在所述基板的正面,多个所述电阻体层分别连接所述分流部形成至少两条并联的电流通路,每条所述电流通路包括至少两个电阻体层,同一条所述电流通路上的电阻体层通过所述电极部串联,所述侧面连通部设置在所述基板的侧面且所述侧面连通部连通所述电流通路和所述接地部,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构,所述电阻体层为圆形结构,所述分流部和所述电阻体层之间为弧形连接,所述电阻体层与所述电极部之间为弧形衔接。

4、进一步地,所述导体层还包括输入部和引流部,所述输入部和所述引流部设置在所述基板的正面,所述引流部连通所述输入部和所述分流部,所述分流部连接所述电流通路,每条所述电流通路上串联有至少两个电阻体层,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构。

5、进一步地,所述接地部覆盖所述基板的整个背面。

6、进一步地,每条所述电流通路上设置有两个电阻体层,所述电极部包括第一电极和第二电极,所述第一电极串联同一条电流通路上的两个所述电阻体层,所述第二电极连通所述电阻体层和所述侧面连通部。

7、进一步地,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层覆盖在所述导体层和电阻体层上,所述第二保护层覆盖在所述第一保护层上。

8、进一步地,所述第一保护层为玻璃保护层,所述第二保护层为树脂保护层。

9、进一步地,所述基板为尺寸为6.35*6.35*1mm的氧化铍陶瓷基板。

10、进一步地,还包括有引线、盖板和法兰盘,所述法兰盘设置在所述基板的背部,所述引线设置在所述基板的正面,且所述引线一端接触所述导体层,另一端延伸凸出与所述基板,所述盖板设置在所述基板正面且所述盖板覆盖引线与所述基板接触的一侧。

11、一种制备方法,用于制作如上述的射频负载片,包括如下步骤:

12、步骤一、将大功率导体浆料通过绘有图形的钢丝网版印刷在具有良好导热性能的整版基板上,进行850℃的烧制固化使其具有导电性能,整版基板的正反两面各执行一次,使整版形成多个导体层;

13、步骤二、将大功率电阻浆料通过钢丝网在有导体层的整版基板上进行丝印烧制固化,使整版上形成多个电阻体层;

14、步骤三、在具有导体层和电阻体层的整版基板上印刷烧制保护层;

15、步骤四、将整版基板进行一次裂片,使整版基板分隔成多个条形工件;

16、步骤五、将条形工件放入定制夹具中,用浆料对侧面进行端涂,形成侧面连通部;

17、步骤六、将条形工件进行二次裂片,将条形工件分隔成单颗射频负载片,单颗射频负载片经过电镀膜层增加其可焊性,使单颗射频负载片可以单独使用,也可以焊接其它元件使用。

18、由上述对本专利技术的描述可知,与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:

19、第一、通过分流部与电阻体层之间的弧形连接,以及电阻体层与电极部之间的弧形衔接,大大增加了衔接面积降低了电流密度,使得功率热能不会再衔接处堆积,导致先接触烧毁,使得本专利技术具有抗浪涌的电性能特性,大大增加了大功率负载的可靠性。

20、第二、采用四个电阻体层串并联的结构,可以使本专利技术再驻波比要求在1.25:1max的情况下,频率能高达10.5ghz,低损耗远超同类型产品。

21、第三、电阻体层采用圆形结构且采用串并联的连接方式,增大电阻体层在基板上的面积占比,在保证电性能的情况下,增加电阻面积占比可以分担电流压力,从而增加可靠性。

22、第四、电阻体层的面积占比增大,有效防止聚集过多的热量,大大增加了射频负载片所能达到的功率最大值。

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【技术保护点】

1.一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:包括基板、导体层、多个电阻体层和保护层,所述导体层和所述电阻体层设置在所述基板上,所述保护层设置在所述导体层和所述电阻体层上,所述导体层包括接地部、电极部、分流部和侧面连通部,所述接地部设置在所述基板的背面,所述电极部和所述分流部设置在所述基板的正面,多个所述电阻体层分别连接所述分流部形成至少两条并联的电流通路,每条所述电流通路包括至少两个电阻体层,同一条所述电流通路上的电阻体层通过所述电极部串联,所述侧面连通部设置在所述基板的侧面且所述侧面连通部连通所述电流通路和所述接地部,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构,所述电阻体层为圆形结构,所述分流部和所述电阻体层之间为弧形连接,所述电阻体层与所述电极部之间为弧形衔接。

2.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述导体层还包括输入部和引流部,所述输入部和所述引流部设置在所述基板的正面,所述引流部连通所述输入部和所述分流部,所述分流部连接所述电流通路,每条所述电流通路上串联有至少两个电阻体层,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构。</p>

3.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述接地部覆盖所述基板的整个背面。

4.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:每条所述电流通路上设置有两个电阻体层,所述电极部包括第一电极和第二电极,所述第一电极串联同一条电流通路上的两个所述电阻体层,所述第二电极连通所述电阻体层和所述侧面连通部。

5.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层覆盖在所述导体层和电阻体层上,所述第二保护层覆盖在所述第一保护层上。

6.根据权利要求4所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述第一保护层为玻璃保护层,所述第二保护层为树脂保护层。

7.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述基板为尺寸为6.35*6.35*1mm的氧化铍陶瓷基板。

8.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:还包括有引线、盖板和法兰盘,所述法兰盘设置在所述基板的背部,所述引线设置在所述基板的正面,且所述引线一端接触所述导体层,另一端延伸凸出与所述基板,所述盖板设置在所述基板正面且所述盖板覆盖引线与所述基板接触的一侧。

9.一种制备方法,用于制作如权利要求1至8任一所述的射频负载片,其特征在于:包括如下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:包括基板、导体层、多个电阻体层和保护层,所述导体层和所述电阻体层设置在所述基板上,所述保护层设置在所述导体层和所述电阻体层上,所述导体层包括接地部、电极部、分流部和侧面连通部,所述接地部设置在所述基板的背面,所述电极部和所述分流部设置在所述基板的正面,多个所述电阻体层分别连接所述分流部形成至少两条并联的电流通路,每条所述电流通路包括至少两个电阻体层,同一条所述电流通路上的电阻体层通过所述电极部串联,所述侧面连通部设置在所述基板的侧面且所述侧面连通部连通所述电流通路和所述接地部,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构,所述电阻体层为圆形结构,所述分流部和所述电阻体层之间为弧形连接,所述电阻体层与所述电极部之间为弧形衔接。

2.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述导体层还包括输入部和引流部,所述输入部和所述引流部设置在所述基板的正面,所述引流部连通所述输入部和所述分流部,所述分流部连接所述电流通路,每条所述电流通路上串联有至少两个电阻体层,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构。

3.根据权利要求1所述的一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片,其特征在于:所述接地部覆盖所述基板的整个背面。

4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢艺精张烽潘甲东黄星凡唐加能刘剑林吴泓颖罗丞
申请(专利权)人:福建毫米电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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