【技术实现步骤摘要】
本技术属于温度补偿衰减器制备领域，具体涉及一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器。
技术介绍
1、未来几年，新一代互联网、5g通信、物联网等逐步实现商用，将带动微波电子元器件的市场需求，微波元器件产品将进入新一轮的快速增长期。温度补偿衰减器作为一种核心关键的微波元器件，其产品需求量将快速增长。
2、目前温度补偿衰减器主要采取金属厚膜背电极，普遍存在特定频段的驻波比过高问题，驻波比是表示传输线上驻波成分大小的一个参数，驻波比过高会导致功率下降，严重时还会引起产品失效；有待进一步改进。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器。
2、本技术采用如下技术方案：
3、一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，包括陶瓷基板、第一电极、第二电极、接地电极、多个膜状电阻和包封层；所述第一电极、第二电极与接地电极间隔设置在陶瓷基板上，分别从陶瓷基板表面经侧面向下延伸至陶瓷底板背面；多个所述膜状电阻设置在陶瓷基板表面，分别连接在第一电极与第二电极、第一电极与接地电极、第二电极与接地电极之间；所述包封层设置在多个膜状电阻顶面以保护多个膜状电阻。
4、进一步的，所述第一电极包括设置在陶瓷基板表面的第一表电极、设置在陶瓷基板背面与第一表电极相对的第一背电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与第一背电极的第一延伸电极。
5、进一步的，所述第二电极包括设置在陶瓷基板表面的第二表电极、设置在陶瓷基板背面与第
6、进一步的，所述接地电极包括设置在陶瓷基板表面的接地表电极、设置在陶瓷基板背面与接地表电极相对的接地背电极和设置在陶瓷基板侧面一端与接地表电极连接另一端与接地背电极连接的接地延伸电极。
7、进一步的，所述接地背电极沿陶瓷基板的长度方向设置在陶瓷基板背面，所述第一背电极与第二背电极与接地背电极相对，分别设置在陶瓷基板的左右两侧。
8、进一步的，所述接地背电极的长度为陶瓷基板的长度，宽度为陶瓷基板宽度的6％-7％；所述第一背电极的长度为陶瓷基板宽度的35％-46％，宽度为陶瓷基板长度的4.5％-5.5％。
9、进一步的，所述第二背电极的尺寸与第一背电极的尺寸一致。
10、进一步的，所述陶瓷基板的长度为1.96mm，宽度为1.54mm；所述接地背电极的长度为1.96mm，宽度为0.1mm；所述第一背电极的长度为0.63mm，宽度为0.1mm。
11、进一步的，所述陶瓷基板为氧化铍陶瓷基板。
12、进一步的，所述包封层呈t型设置在陶瓷基板上。
13、由上述对本技术的描述可知，与现有技术相比，本技术的有益效果是：本申请通过限定温度补偿衰减器电极的结构，使其从陶瓷基板顶面经侧面延伸至陶瓷基板背面，以使得制备的温度补偿衰减器可根据实际使用选择表面连接或背面连接，满足不同场合的使用；且进一步限定第一背电极、第二背电极及接地背电极的尺寸，可进一步提高电磁场分布的均匀性和稳定性，有效降低特定频段的电子元器件驻波比，使温度补偿衰减器在15ghz-17ghz的驻波比得到了显著改善，从而使的产品的功率损失更小，性能更加稳定；另外，优化的方式简单，易于实施，具有很高的实用价值。
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1.一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：包括陶瓷基板、第一电极、第二电极、接地电极、多个膜状电阻和包封层；所述第一电极、第二电极与接地电极间隔设置在陶瓷基板上，分别从陶瓷基板表面经侧面向下延伸至陶瓷底板背面；多个所述膜状电阻设置在陶瓷基板表面，分别连接在第一电极与第二电极、第一电极与接地电极、第二电极与接地电极之间；所述包封层设置在多个膜状电阻顶面以保护多个膜状电阻。
2.根据权利要求1所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一电极包括设置在陶瓷基板表面的第一表电极、设置在陶瓷基板背面与第一表电极相对的第一背电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与第一背电极的第一延伸电极。
3.根据权利要求2所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述第二电极包括设置在陶瓷基板表面的第二表电极、设置在陶瓷基板背面与第二表电极相对的第二背电极和设置在陶瓷基板侧面连接第二表电极与第二背电极的第二延伸电极。
4.根据权利要求3所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述接地电极包括设置在陶瓷基板表面
5.根据权利要求4所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述接地背电极沿陶瓷基板的长度方向设置在陶瓷基板背面，所述第一背电极与第二背电极与接地背电极相对，分别设置在陶瓷基板的左右两侧。
6.根据权利要求5所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述接地背电极的长度为陶瓷基板的长度，宽度为陶瓷基板宽度的6％-7％；所述第一背电极的长度为陶瓷基板宽度的35％-46％，宽度为陶瓷基板长度的4.5％-5.5％。
7.根据权利要求6所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述第二背电极的尺寸与第一背电极的尺寸一致。
8.根据权利要求6所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述陶瓷基板的长度为1.96mm，宽度为1.54mm；所述接地背电极的长度为1.96mm，宽度为0.1mm；所述第一背电极的长度为0.63mm，宽度为0.1mm。
9.根据权利要求1所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述陶瓷基板为氧化铍陶瓷基板。
10.根据权利要求1所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述包封层呈T型设置在陶瓷基板上。
...【技术特征摘要】
1.一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：包括陶瓷基板、第一电极、第二电极、接地电极、多个膜状电阻和包封层；所述第一电极、第二电极与接地电极间隔设置在陶瓷基板上，分别从陶瓷基板表面经侧面向下延伸至陶瓷底板背面；多个所述膜状电阻设置在陶瓷基板表面，分别连接在第一电极与第二电极、第一电极与接地电极、第二电极与接地电极之间；所述包封层设置在多个膜状电阻顶面以保护多个膜状电阻。
2.根据权利要求1所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一电极包括设置在陶瓷基板表面的第一表电极、设置在陶瓷基板背面与第一表电极相对的第一背电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与第一背电极的第一延伸电极。
3.根据权利要求2所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述第二电极包括设置在陶瓷基板表面的第二表电极、设置在陶瓷基板背面与第二表电极相对的第二背电极和设置在陶瓷基板侧面连接第二表电极与第二背电极的第二延伸电极。
4.根据权利要求3所述的一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器，其特征在于：所述接地电极包括设置在陶瓷基板表面的接地表电极、设置在陶瓷基板背面与接地表电极相对的接地背电极和设置在陶瓷基板侧面一端与接地表电极连接另一端与接地背电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴鸿伦，黄星凡，骆杰煌，谢艺精，庄梦琪，
申请(专利权)人：福建毫米电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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