System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件技术_技高网

太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件技术

技术编号:41250052 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-09 23:58
本公开实施例涉及光伏技术领域,提供一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,太阳能电池的制备方法包括:提供基底,基底具有相对的第一面和第二面,第一面包括交替排布的栅线区和非栅线区;进行扩散处理,以在第一面形成掺杂源层,掺杂源层内具有掺杂离子;对栅线区上的掺杂源层进行至少两次激光处理,以使掺杂源层内的掺杂离子扩散至基底内,形成选择性发射极;其中,相邻两次的激光处理之间的间隔时间为1min‑180min。本公开实施例至少可以提到太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及光伏,特别涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件


技术介绍

1、节约能源是当今社会最为关注的一个话题,开发和利用新型的环保清洁能源能够为全球的能源短缺问题提供很大的帮助。太阳能是全球储备最为丰富的能源,利用好太阳能并开发高效且稳定的太阳能电池能够极大地缓解全球的能源危机。在未来的科技发展及生产生活中,太阳能电池将会承担越来越重要的作用。

2、然而,太阳能电池的性能有待提高。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,至少可以提高太阳能电池的性能。

2、根据本公开一些实施例,本公开实施例一方面提供一种太阳能电池的制备方法,包括:提供基底,所述基底具有相对的第一面和第二面,所述第一面包括交替排布的栅线区和非栅线区;进行扩散处理,以在所述第一面形成掺杂源层,所述掺杂源层内具有掺杂离子;对所述栅线区上的所述掺杂源层进行至少两次激光处理,以使所述掺杂源层内的所述掺杂离子扩散至所述基底内,形成选择性发射极;其中,相邻两次的所述激光处理之间的间隔时间为1min-180min。

3、在一些实施例中,任一所述激光处理中,所述掺杂源层内的所述掺杂离子扩散至所述基底内形成初始发射极;在前一次所述激光处理结束后,下一次所述激光处理开始之前,在前一次所述激光处理对应形成的所述初始发射极表面形成保护层。

4、在一些实施例中,所述太阳能电池的制备方法还包括:在任意相邻两次的所述激光处理的间隔时间内提供有氧氛围。

5、在一些实施例中,在形成所述选择性发射极之后,还包括:去除所述保护层;去除所述掺杂源层。

6、在一些实施例中,在进行所述激光处理过程中还包括:提供保护气体,所述保护气体用于保护所述栅线区。

7、在一些实施例中,所述保护气体的气体流量为20sccm-1000sccm。

8、在一些实施例中,前一次所述激光处理的激光功率大于下一次所述激光处理的激光功率。

9、在一些实施例中,前一次所述激光处理的激光功率与下一次所述激光处理的激光功率差值大于0w且小于或等于30w。

10、在一些实施例中,前一次所述激光处理的时长大于下一次所述激光处理的时长。

11、在一些实施例中,每一次所述激光处理的时长为大于0s且小于或等于5s。

12、在一些实施例中,所述激光处理的激光功率为20w-70w。

13、在一些实施例中,在所述激光处理后还包括:进行退火处理,以修复所述激光处理带来的损伤。

14、在一些实施例中,所述太阳能电池的制备方法还包括:形成依次层叠的隧穿层以及掺杂导电层,所述隧穿层位于所述第二面与所述掺杂导电层之间;形成第一钝化层,所述第一钝化层位于所述掺杂导电层背离所述隧穿层的表面;形成第二钝化层,所述第二钝化层位于所述第一面上;形成第一电极,所述第一电极与所述选择性发射极电接触;形成第二电极,所述第二电极与所述掺杂导电层电接触。

15、根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池,包括:基底,所述基底具有相对的第一面和第二面,所述第一面包括交替排布的栅线区和非栅线区,所述基底内具有选择性发射极,所述选择性发射极内具有掺杂离子;其中,所述第一面具有金字塔结构,所述金字塔结构包括塔基和塔尖,所述栅线区内的部分所述塔基上有两个或两个以上的所述塔尖,所述非栅线区内的一个所述塔基上有一个所述塔尖。

16、在一些实施例中,在垂直于所述第二面的方向上,所述栅线区内的所述选择性发射极的深度为1μm-4μm。

17、在一些实施例中,所述栅线区内的所述选择性发射极包括:沿自所述第一面朝向所述第二面依次排布的第一区和第二区,所述第一区中所述掺杂离子的浓度大于所述第二区中所述掺杂离子的浓度。

18、在一些实施例中,所述第一区中所述掺杂离子的浓度为6e18cm-3-1e20cm-3,所述第二区中所述掺杂离子的浓度为4e18cm-3-1e20cm-3。

19、在一些实施例中,在垂直于所述第二面的方向上,所述第一区的深度为0.1μm-2μm,所述第二区的深度为0.1μm-2μm。

20、在一些实施例中,所述栅线区内的一个所述塔尖与对应的所述塔基的最大距离为0.8μm-4μm。

21、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

22、本公开实施例提供的太阳能电池的制备方法的技术方案中,基底具有相对的第一面和第二面,第一面包括交替排布的栅线区和非栅线区。进行扩散处理,以在第一面形成掺杂源层,掺杂源层内具有掺杂离子。对栅线区上的掺杂源层进行至少两次激光处理,以使掺杂源层内的掺杂离子扩散至基底内,形成选择性发射极。其中,相邻两次的激光处理之间的间隔时间为1min-180min。通过对栅线区上的掺杂源层多次激光处理,可以形成掺杂离子掺杂浓度较高的选择性发射极,可以降低选择性发射极的电阻,提高选择性发射极与后续形成的第一电极之间的金属接触性能,从而可以提高太阳能电池的性能。选择性发射极的掺杂离子掺杂浓度较高,还可以提高太阳能电池的开路电压和填充因子,进而提高太阳能电池的性能。此外,通过对栅线区上的掺杂源层多次激光处理,可以提高选择性发射极表面的掺杂离子浓度,从而可以提高选择性发射极与后续形成的第一电极之间的金属接触性能,进而可以提高太阳能电池的性能。另外,每次激光处理的激光能量可以相对较低,使激光处理对基底第一面的激光损伤相对较小,即激光处理引入的缺陷相对较少,可以提高太阳能电池的性能。

23、相邻两次的激光处理之间的间隔时间为1min-180min。一方面,可以保证在进行下一次激光处理时,前一次激光处理的基底受到激光照射的区域从熔融状态冷却为结晶状态,因此,下一次激光处理期间引入的缺陷较少,且因为相邻两次激光处理的间隔时间适中,可以避免出现由于间隔时间过短而可能出现的掺杂离子浓度和掺杂离子深度大幅度增加的情况,从而可以减小出现俄歇复合和srh(shockley-read-hall)复合的概率,进而有利于改善太阳能电池的钝化性能。另一方面,相邻两次激光处理的间隔时间适中,可以避免由于相邻两次激光处理的间隔时间过长而可能带来的因环境因素污染基底的第一面的问题,相邻两次激光处理的间隔时间适中,还可以避免由于环境因素引起的在栅线区的基底吸入水汽影响掺杂离子的掺杂效果的问题。以上两个方面,均有利于提高太阳能电池的性能。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,任一所述激光处理中,所述掺杂源层内的所述掺杂离子扩散至所述基底内形成初始发射极;在前一次所述激光处理结束后,下一次所述激光处理开始之前,在前一次所述激光处理对应形成的所述初始发射极表面形成保护层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的制备方法还包括:

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在形成所述选择性发射极之后,还包括:

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在进行所述激光处理过程中还包括:

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述保护气体的气体流量为20sccm-1000sccm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的激光功率大于下一次所述激光处理的激光功率。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的激光功率与下一次所述激光处理的激光功率差值大于0W且小于或等于30W。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的时长大于下一次所述激光处理的时长。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,每一次所述激光处理的时长大于0s且小于或等于5s。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述激光处理的激光功率为20W-70W。

12.根据权利要求1-11所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述激光处理后还包括:

13.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的制备方法还包括:

14.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

15.根据权利要求14所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述第二面的方向上,所述栅线区内的所述选择性发射极的深度为1μm-4μm。

16.根据权利要求14所述的太阳能电池,其特征在于,所述栅线区内的所述选择性发射极包括:沿自所述第一面朝向所述第二面依次排布的第一区和第二区,所述第一区中所述掺杂离子的浓度大于所述第二区中所述掺杂离子的浓度。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一区中所述掺杂离子的浓度为6E18cm-3-1E20cm-3,所述第二区中所述掺杂离子的浓度为4E18cm-3-1E20cm-3。

18.根据权利要求16所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述第二面的方向上,所述第一区的深度为0.1μm-2μm,所述第二区的深度为0.1μm-2μm。

19.根据权利要求14所述的太阳能电池,其特征在于,所述栅线区内的一个所述塔尖与对应的所述塔基的最大距离为0.8μm-4μm。

20.一种光伏组件,其特征在于,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,任一所述激光处理中,所述掺杂源层内的所述掺杂离子扩散至所述基底内形成初始发射极;在前一次所述激光处理结束后,下一次所述激光处理开始之前,在前一次所述激光处理对应形成的所述初始发射极表面形成保护层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的制备方法还包括:

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在形成所述选择性发射极之后,还包括:

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在进行所述激光处理过程中还包括:

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述保护气体的气体流量为20sccm-1000sccm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的激光功率大于下一次所述激光处理的激光功率。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的激光功率与下一次所述激光处理的激光功率差值大于0w且小于或等于30w。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,前一次所述激光处理的时长大于下一次所述激光处理的时长。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,每一次所述激光处理的时长大于0s且小于或等于5s。

【专利技术属性】
技术研发人员:杨楠楠金井升张彼克郭子齐
申请(专利权)人:晶科能源海宁有限公司
类型:发明
国别省市:

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