【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。引线是存储器中的重要部件，主要用于将各结构电学引出。目前在形成引线的过程中易出现结构缺陷，产品良率较低。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可避免结构损伤，提高产品良率。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供基底，所述基底包括衬底，所述衬底的一侧形成有晶体管、字线结构、位线结构以及覆盖所述晶体管、所述字线结构、所述位线结构及所述衬底的绝缘层；
4、在所述绝缘层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述衬底；
5、形成随形贴附于所述第一接触孔的内壁的
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述衬底，包括：
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2nm～5nm。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层内形成第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔，所述第二接触孔露出所述晶体管，所述第三接触孔露出所述字线结构，所述第四接触孔露出所述位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述衬底，包括：
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2nm～5nm。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层内形成第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔，所述第二接触孔露出所述晶体管，所述第三接触孔露出所述字线结构，所述第四接触孔露出所述位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：
7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第一接触孔内形成第一引线，在所述第二接触孔内形成第二引线，在所述第三接触孔内形成第三引线，在所述第四接触孔内形成第四引线，包括：
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材料为氮化钛，所述第二导电层的材料为钨。
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一导...
【专利技术属性】
技术研发人员：于业笑，刘忠明，崔静思，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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