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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的形成方法包括提供基底，基底包括衬底，衬底的一侧形成有晶体管、字线结构、位线结构以及覆盖晶体管、字线结构、位线结构及衬底的绝缘层；在绝缘层内形成第一接触孔，第一接触孔...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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