【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在集成电路制造中，随着基本器件尺寸不断缩小，沟道长度越来越短，栅极对沟道的控制能力越来越弱，短沟道效应越来越强，器件内部有很多电场上的互相干扰，会导致栅端的电场不能够发挥全部的作用，导致晶体管漏电。
2、为了继续缩小面积，各种新颖的结构一直被探索，包括鳍式场效应晶体管、垂直堆叠互补场效应晶体管、全栅极晶体管等，但是，28nm已经接近极限。
3、因此，提供一种短沟道效应弱且尺寸较小的半导体结构及其形成方法是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以减小短沟道效应弱及半导体结构尺寸。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底及位于衬底表面的突出部；栅极，包覆所述突出部的部分侧壁，在垂直所述基底的方向上，所述栅极的高度小于所述突出部的高度；源/漏极，位于所述突出部未被所述栅极覆盖的区域；漏/源极，位于所述衬底未被所述栅极及所述突出部覆盖的区域；沟道，位于所述源/漏极及所述漏/源极之间，且部分所述沟道位于所述突出部被所述栅极覆盖的区域。
3、在一些实施例中，所述栅极环绕所述突出部设置；所述栅极、源/漏极以及漏/源极构成l型，所述沟道为l型。
4、在一些实施例中，所述栅极包括：包覆所述突出部的部分侧壁的栅氧化层及包覆所述栅氧化层外壁的栅金属层。>
5、在一些实施例中，所述半导体结构还包括分别位于所述源/漏极的顶部和漏/源极的顶部的接触结构。
6、在一些实施例中，所述半导体结构还包括介质层，所述介质层包覆所述栅极及所述突出部。
7、为了解决上述问题，本申请还提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供一基底，所述基底包括衬底，所述衬底上形成有所述半导体结构的漏/源极，所述基底还包括位于所述衬底表面的所述漏/源极对应区域以外区域的突出部；于所述突出部的部分侧壁形成所述半导体结构的栅极，在垂直所述基底的方向上，所述栅极的高度小于所述突出部的高度；于所述突出部未被所述栅极覆盖的区域形成所述半导体结构的源/漏极，所述源/漏极及所述漏/源极之间形成沟道，且部分所述沟道位于所述突出部被所述栅极覆盖的区域。
8、在一些实施例中，所述栅极环绕所述突出部设置；所述栅极、源/漏极以及漏/源极构成l型，所述沟道为l型。
9、在一些实施例中，所述提供一基底的步骤进一步包括：提供一衬底；对所述衬底进行离子注入，形成所述半导体结构的漏/源极；于所述衬底表面形成外延层；刻蚀所述外延层以于所述衬底表面的所述漏/源极对应区域以外区域形成所述突出部。
10、在一些实施例中，所述于所述突出部的侧壁形成所述半导体结构的栅极的步骤进一步包括：沉积高介电常数材料于所述突出部的侧壁以及所述衬底未被所述突出部覆盖的表面，以形成栅氧化材料层；沉积金属材料于所述栅氧化材料层的顶面以及侧壁，以形成栅金属材料层；回刻蚀所述栅氧化材料层及所述栅金属材料层，以形成包覆所述突出部的部分侧壁的栅氧化层及包覆所述栅氧化层外壁的栅金属层，所述栅氧化层及所述栅金属层构成所述栅极。
11、在一些实施例中，所述于所述突出部未被所述栅极覆盖的区域形成源/漏极，所述源/漏极及所述漏/源极之间形成沟道，且部分所述沟道位于所述突出部被所述栅极覆盖的区域的步骤进一步包括：对所述突出部未被所述栅极覆盖的区域进行离子注入，以形成所述源/漏极。
12、上述技术方案，通过在衬底上形成漏/源极，在衬底表面的漏/源极对应区域以外区域形成突出部，在所述突出部的部分侧壁形成栅极，在所述突出部未被所述栅极覆盖的区域形成源/漏极，使所述源/漏极及所述漏/源极之间形成部分位于所述突出部被所述栅极覆盖的区域的沟道，在减小短沟道效应的同时减小了半导体结构的尺寸。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极环绕所述突出部设置；所述栅极、源/漏极以及漏/源极构成L型，所述沟道为L型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括：包覆所述突出部的部分侧壁的栅氧化层及包覆所述栅氧化层外壁的栅金属层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括分别位于所述源/漏极的顶部和漏/源极的顶部的接触结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层，所述介质层包覆所述栅极及所述突出部。
6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述栅极环绕所述突出部设置；
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述提供一基底的步骤进一步包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述于所述突出部的侧壁形成所述半导体结构的栅极的步骤进一步包括：
10.根据权利
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极环绕所述突出部设置；所述栅极、源/漏极以及漏/源极构成l型，所述沟道为l型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括：包覆所述突出部的部分侧壁的栅氧化层及包覆所述栅氧化层外壁的栅金属层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括分别位于所述源/漏极的顶部和漏/源极的顶部的接触结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层，所述介质层包覆所述栅极及所述突出部。
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，董信国，孟昭生，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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