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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：基底，所述基底具有衬底及位于衬底表面的突出部；栅极，包覆所述突出部的侧壁，在垂直所述基底的方向上，所述栅极的高度小于所述突出部的高度；源极，位于所述突出部未被所述栅极覆盖的区域；漏...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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