【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路领域，涉及半导体器件的散热，尤其涉及一种散热盖体的制备方法、芯片的封装方法及其设备。
技术介绍
1、现有技术中，常在封装结构中引入散热盖增强散热，并在散热盖与芯片背面之间增设导热界面材料(thermal interface materia,tim)加强散热通路的散热效率。其中，以铟材料作为典型的导热界面材料。
2、传统在封装结构中引入铟片的方法是，首先在芯片上通过贴片机自动将卷带封装的铟片吸取，并通过喷涂助焊剂等胶体将铟片临时固定在芯片上。再通过小车或人工转运至封装散热盖工站，通过自动贴盖机贴装散热盖。最后通过封装过程中的热工艺，熔化铟片并完成芯片封装。但施加的助焊剂等胶体在经历热工艺后不能完全挥发而残留于界面处，导致空洞的产生，进而影响整体的散热性能。
3、为了消除助焊剂等胶体的不利影响，业界开始探索不使用助焊剂等，直接将铟片贴在芯片上完成封装的工艺。但目前的工艺会使得铟片在工站间转运过程中发生移位，甚至完全从芯片上脱离，在后续贴装散热盖工艺中影响封装焊接效果，进而无法完成批量化生产。p>
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【技术保护点】
1.一种散热盖体的制备方法，所述散热盖体内贴合至少一个导热铟片，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.如权利要求1的方法，其特征在于，所述铟片拾取单元在运送所述导热铟片的过程中，所述铟片拾取单元中的至少一个对所述导热铟片施加第二作用。
3.如权利要求2的方法，其特征在于，所述第一作用与所述第二作用的类型不同。
4.如权利要求1的方法，其特征在于，至少一个所述铟片拾取单元与所述导热铟片的角部接触。
5.如权利要求4的方法，其特征在于，与所述角部接触的所述铟片拾取单元施加的第一作用具有第一强度，与其他位置接触的所述铟片...
【技术特征摘要】
1.一种散热盖体的制备方法，所述散热盖体内贴合至少一个导热铟片，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.如权利要求1的方法，其特征在于，所述铟片拾取单元在运送所述导热铟片的过程中，所述铟片拾取单元中的至少一个对所述导热铟片施加第二作用。
3.如权利要求2的方法，其特征在于，所述第一作用与所述第二作用的类型不同。
4.如权利要求1的方法，其特征在于，至少一个所述铟片拾取单元与所述导热铟片的角部接触。
5.如权利要求4的方法，其特征在于，与所述角部接触的所述铟片拾取单元施加的第一作用具有第一强度，与其他位置接触的所述铟片拾取单元施加的第一作用具有第二强度，第一强度不同于第二强度。
6.如权利要求1-4中任一项的方法，其特征在于，通过第一处理器对所述铟片拾取单元进行控制，所述第一处理器从第一传感器获取所述导热铟片在运送时的姿态信息。
7.如权利要求1的方法，其特征在于，贴合导热铟片的步骤中，在所述表面部远离所述导热铟片的一侧设置平台部，通过所述平台部对所述散热盖本体施加第三作用。
8.一种芯片的封装方法，至少一个所述芯片安装在一芯片载板上，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：
9.如权利要求8的方法，其特征在于，不同的所述芯片上放置的所述导热铟片具有不同的厚度。
10.如权利要求8的方法，其特征在于，还包括，将完成制备的散热盖本体运送至所述腔室中，所述散热盖本体包括一表面部，以及围设在所述表面部周围的四周部，所述表面部与所述四周部形成一容置空间；
11.如权利要求10的方法，其特征在于，所述第五作用同时使得所述导热铟片与所述散热盖本体的所述表面部实现贴合。
【专利技术属性】
技术研发人员：华菲，金英镇，董云亮，
申请(专利权)人：宁波施捷电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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