一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明专利技术包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层。将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合。抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构。光刻图形化形成金属电极和金属引线。本发明专利技术通过采用预定掺杂参数的碳化硅，将碳化硅和载片进行键合，避免对碳化硅的外延和掺杂等二次加工，显著降低碳化硅器件的生产成本和难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于soi与sic的耐高温mems器件及其制备方法，属于先进制造。

技术介绍

1、随着物联网、大数据的发展，万物互联正悄然改变人们的生活方式，其中信息获取是万物互联的关键一环，传感器作为采集信息的一种有效手段发挥着重要作用。mems压力传感器作为探测信号的成熟手段，在汽车工业、航空航天、石油探测、生物医疗、消费电子等领域应用非常广泛。按照压力测量原理的不同，mems压力传感器包括电容式、光纤式和压阻式压力等类型。其中压阻式mems压力传感器是基于材料的压阻效应工作的，工艺制备简单、成本较低，因此应用也最为广泛。不过，普通的硅基压阻式压力传感器通常在硅衬底上进行反向掺杂形成pn结隔离区域，这种压力传感器一旦温度超过125℃，pn结的漏电电流就会急剧增大，导致传感器失效。而在航空航天等特种领域，发动机腔压是一个重要参数，对于判定发动机安全至关重要，但是发动机温度较高，传统传感器无法满足检测要求。

2、sic存在200多种晶型，而且各种晶型之间受温度影响极大，不同晶型之间存在转化的可能，因此给沉积高纯度的sic带来困难。此外，在制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件，其特征在于：包括SiC、金属引线、金属pad、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔；SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层；在SiC晶圆上生长一层氧化硅绝缘层；将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合；抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构；光刻图形化形成金属电极和金属引线结构。

2.一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件的制备方法，用于制作如权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种基于soi与sic的耐高温mems器件，其特征在于：包括sic、金属引线、金属pad、氧化硅绝缘层、soi的器件层、soi的埋氧层、soi的基底层和空腔；soi晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层；在sic晶圆上生长一层氧化硅绝缘层；将生长有氧化硅绝缘层的sic晶圆与soi晶圆进行键合，soi晶圆的器件层和sic晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合；抛光、图形化处理后的sic形成sic块...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤跃，谢会开，岳晋标，杨智文，魏振南，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：