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本发明公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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