【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，用其作发光层可制成量子点发光二极管(qled，quantum dot light emitting diodes)。与有机电致发光二极管相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势。但目前qled仍存在许多应用上的问题，器件稳定性和寿命则是较为难以解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种复合材料，具有优异的电子传输性能，可以解决现有技术的不足。
2、本申请实施例提供一种复合材料，所述复合材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
3、相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层；所述电子传输层的材料包括复合材料，所述复合材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
4、相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
5、提供阳极；
6、在所述阳极上形成量子点发光层；
7、在所述量子点发光层上形成电子传输层；其中，所述电子传输层的材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面；
8、在所
9、本申请实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
10、提供阴极；
11、在所述阴极上形成电子传输层；其中，所述电子传输层的材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面；
12、在所述电子传输层上形成量子点发光层；
13、在所述量子点发光层上形成阳极，得到量子点发光二极管。
14、本申请的有益效果在于：
15、本申请的复合材料包括金属氧化物和二维金属碳化物，其中的二维金属碳化物作为配体连接在金属氧化物的表面，进而可以提高金属氧化物的传输性能，减少金属氧化物表面悬挂键数量的同时增加材料的电荷传输点位。由本申请所述的复合材料制备得到的薄膜具有优异的电子传输性能，能够增强电子迁移率，提高器件的发光性能。
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1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述二维金属碳化物包括IVB族、VB族、VIB族元素的二维金属碳化物中的至少一种；
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子的禁带宽度在2.0eV～6.0eV之间；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的复合材料，其特征在于，所述二维金属碳化物的质量为所述无机粒子的质量的3％-15％，优选为3％-10％，更优选为5％～10％；
5.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层；所述电子传输层的材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述二维金属碳化物包括IVB族、VB族、VIB族元素的二维金属碳化物中的至少一种，所述二维金属碳化物优选为二维碳化钛、二
7.根据权利要求5或6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述二维金属碳化物的质量为所述无机粒子的质量的3％-15％，优选为3％-10％，更优选为5％～10％；
8.根据权利要求5-7中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置在所述阳极和所述量子点发光层之间；
9.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机粒子的禁带宽度在2.0eV～6.0eV之间；
11.根据权利要求9或10所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层使用的量子点的表面的配体包括酸配体、硫醇配体、胺配体、膦配体、氧膦配体、磷脂、软磷脂和聚乙烯基吡啶中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述二维金属碳化物包括ivb族、vb族、vib族元素的二维金属碳化物中的至少一种；
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述无机粒子的禁带宽度在2.0ev～6.0ev之间；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的复合材料，其特征在于，所述二维金属碳化物的质量为所述无机粒子的质量的3％-15％，优选为3％-10％，更优选为5％～10％；
5.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层；所述电子传输层的材料包括无机粒子和二维金属碳化物，所述二维金属碳化物连接在所述无机粒子的表面。
6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述二维金属碳化物包括ivb族...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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