【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及残余应力消减，特别是一种机匣残余应力调控装置及方法。
技术介绍
1、钛合金机匣具有同轴设置的内环与外环，在内环与外环之间连接有沿其径向设置的叶片。由于钛合金机匣具有这样复杂的结构，因此通常是由钛合金材质的板材焊接制成。但是，在制造钛合金机匣时，在其内部会产生非常复杂的残余应力，如果不对残余应力进行处理，任由残余应力释放，会严重影响钛合金机匣的制造精度以及使用寿命。因此，亟需一种机匣残余应力调控装置及方法，可以对机匣内的残余应力进行消减，以提高机匣的制造精度及使用寿命。
技术实现思路
1、鉴于现有技术的以上问题，本申请提供一种机匣残余应力调控装置及方法，可以对机匣内的残余应力进行消减，以提高机匣的制造精度及使用寿命。
2、为达到上述目的，本申请第一方面提供一种机匣残余应力调控装置，所述机匣包括同轴设置的内环与外环，内环与外环之间沿径向均匀设置有多个叶片；包括：消减槽，所述消减槽中盛装有水，用于容置所述机匣，所述消减槽的底部朝向上方设置有超声换能器；消减盖，所述消减盖设置在所述消减槽的槽口，所述消减盖的底部设置有第一反射楔块，所述第一反射楔块向下延伸到相邻的两个所述叶片之间，所述第一反射楔块朝向所述叶片一侧设置有第一反射面，所述第一反射面向下倾斜设置。
3、由上，通过在消减槽的底部设置超声换能器，从而可以在消减槽中盛装水后，在消减槽中形成水声场，从而可以对消减槽中的机匣的残余应力进行消减。通过在叶片之间设置第一反射楔块，使第一反射楔块朝向叶片的第一
4、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述第一反射楔块呈圆形阵列设置有多个。
5、由上，通过将多个第一反射楔块呈圆形阵列设置，从而可以使第一反射楔块在多个叶片之间沿周向均匀布设，从而可以使不同叶片受到的超声波更加均匀，进而可以提高对叶片中残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
6、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述第一反射楔块沿所述机匣的径向设置有多层。
7、由上，通过将第一反射楔块沿机匣的径向设置多层，从而可以使第一反射楔块沿叶片的延伸方向设置有多个，对叶片不同位置的残余应力进行消减、均化，从而可以提高对叶片中残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
8、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述消减盖的底部还设置有第二反射楔块，所述第二反射楔块向下延伸到所述外环的外侧位置，所述第二反射楔块朝向所述外环一侧设置有第二反射面，所述第二反射面向下倾斜设置。
9、由上，通过在外环的外侧位置设置第二反射楔块，在第二反射楔块朝向外环一侧设置第二反射面，使第二反射面向下倾斜，从而可以使消减槽底部的超声换能器向上发出的超声波在第二反射面的反射下朝向外环传播，从而可以提高对外环及焊接位置的残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
10、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述第二反射楔块围绕所述外环设置有多个。
11、由上，通过围绕外环设置多个第二反射楔块，从而可以对外环的不同位置的残余应力进行消减，从而可以提高对外环及焊接位置的残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
12、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述超声换能器以圆形阵列设置有多个。
13、由上，通个以圆形阵列设置多个超声换能器，从而可以提高消减槽中形成的水声场的强度及均匀性，从而可以提高对机匣中残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
14、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述消减槽的底部还设置有安装件，所述超声换能器通过所述安装件安装在所述消减槽上。
15、作为第一方面的一种可能的实现方式，不同位置的所述安装件的高度随所述机匣的下表面的高度设置为不同。
16、由上，通过使安装件的高度随机匣下表面的高度设置为不同，从而可以通过调节安装件的高度对超声换能器的高度进行调节，从而可以使不同位置的超声换能器与机匣下表面的距离保持不变，从而可以使机匣不同位置受到的超声波更加均匀，以提高对机匣中残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
17、作为第一方面的一种可能的实现方式，所述超声换能器与所述机匣相距2mm～4mm。
18、由上，通过使超声换能器与机匣相距2mm～4mm，从而可以提高对机匣中残余应力的消减效果，提高机匣的制造精度及使用寿命。
19、本申请第二方面提供一种机匣残余应力调控方法，使用本申请第一方面中任一项所述的机匣残余应力调控装置对机匣的残余应力进行调控。
20、本专利技术的这些和其它方面在以下(多个)实施例的描述中会更加简明易懂。
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1.一种机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述机匣包括同轴设置的内环与外环，内环与外环之间沿径向均匀设置有多个叶片；包括：
2.根据权利要求1所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第一反射楔块呈圆形阵列设置有多个。
3.根据权利要求2所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第一反射楔块沿所述机匣的径向设置有多层。
4.根据权利要求1所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述消减盖的底部还设置有第二反射楔块，所述第二反射楔块向下延伸到所述外环的外侧位置，所述第二反射楔块朝向所述外环一侧设置有第二反射面，所述第二反射面向下倾斜设置。
5.根据权利要求4所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第二反射楔块围绕所述外环设置有多个。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述超声换能器以圆形阵列设置有多个。
7.根据权利要求6所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述消减槽的底部还设置有安装件，所述超声换能器通过所述安装件安装在所述消减槽上。
8.根据权利要
9.根据权利要求7或8所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述超声换能器与所述机匣相距2mm～4mm。
10.一种机匣残余应力调控方法，其特征在于，使用权利要求1-9中任一项所述的机匣残余应力调控装置对机匣的残余应力进行调控。
...【技术特征摘要】
1.一种机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述机匣包括同轴设置的内环与外环，内环与外环之间沿径向均匀设置有多个叶片；包括：
2.根据权利要求1所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第一反射楔块呈圆形阵列设置有多个。
3.根据权利要求2所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第一反射楔块沿所述机匣的径向设置有多层。
4.根据权利要求1所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述消减盖的底部还设置有第二反射楔块，所述第二反射楔块向下延伸到所述外环的外侧位置，所述第二反射楔块朝向所述外环一侧设置有第二反射面，所述第二反射面向下倾斜设置。
5.根据权利要求4所述的机匣残余应力调控装置，其特征在于，所述第二反射楔块围绕所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐春广，李文凯，陈常宏，尹鹏，张文君，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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